像素電路及顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術屬于有機發光顯示技術領域，公開了一種能夠補償晶體管閾值電壓漂移的控制有源發光二極管顯示的像素電路及顯示裝置。本實用新型專利技術在向像素電路寫入數據時通過隔斷晶體管阻斷驅動晶體管和有機發光二極管的連接，確保數據寫入像素時不會對有機發光二極管的發光狀態產生影響，避免了顯示的閃爍。并通過存儲電容預存驅動晶體管的閾值電壓和數據電壓信號，對閾值電壓漂移進行了有效的補償，保持了驅動電流的均勻性和穩定性，提高了顯示裝置的顯示質量。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及有機發光顯示
，特別是涉及一種能夠補償晶體管閾值電壓漂移的控制有源發光二極管顯示的像素電路及顯示裝置。
技術介紹
實現有源發光二極管(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode,簡稱“AMOLED”)顯示器的途徑之一是使用有源矩陣薄膜晶體管背板。該有源矩陣薄膜晶體管·背板上設置有由橫縱交叉的柵線和數據線所限定的像素矩陣，每個像素包括一個有源器件(如晶體管)和發光器件(如發光二極管)。柵極驅動電路依次向被選擇的柵線上提供選擇信號，開啟像素中的晶體管，然后數據驅動電路通過數據線將數據信號傳送到導通的像素。因為AMOLED顯示器的發光亮度和提供給有機發光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,簡稱“0LED”)器件的驅動電流的大小成正比，故為了實現最佳的顯示效果，需要較大的驅動電流，故低溫多晶硅背板技術，由于可以提供較高的遷移率，是AMOLED顯示背板技術的最佳選擇，但是低溫多晶硅技術固有的閾值電壓漂移問題，造成了像素電路產生的驅動電流的不均勻性，給顯示亮度的均勻性提出了挑戰。為了能有效補償TFT閾值電壓的漂移，在進行電路設計中常常引入補償技術，從而獲得較好的顯示亮度均勻性。本專利中提出了一種電路結構簡單的像素電路的設計，該像素電路有效的對閾值電壓的漂移進行了了有效的補償。
技術實現思路
(一)要解決的技術問題本技術要解決的技術問題是提供一種像素電路，用以補償低溫多晶硅背板的閾值電壓漂移。本技術還提供一種有機發光顯示裝置，包括上述像素電路，以提高顯示質量，不會出現顯示閃爍問題。(二)技術方案為了解決上述技術問題，本技術提供一種像素電路，包括有機發光二極管、總電源極、接地極、開關晶體管、隔斷晶體管、驅動晶體管、補償晶體管和存儲電容，其中，用于控制數據線的數據電壓寫入的所述開關晶體管，其柵極與柵線連接，漏極連接數據線，源極分別連接所述存儲電容的一端和所述驅動晶體管的柵極；所述存儲電容的另一端連接所述總電源極；用于向所述存儲電容預先存儲閾值電壓的所述補償晶體管，其柵極與柵線連接，源極和漏極分別連接所述驅動晶體管的柵極和漏極；用于為所述有機發光二極管提供驅動電流的所述驅動晶體管，其源極與所述總電源極連接，漏極還連接所述隔斷晶體管的源極；用于隔斷所述驅動晶體管與所述有機發光二極管連接的所述隔斷晶體管，其柵極與一使能電極連接，漏極與所述有機發光二極管的陽極連接；所述有機發光二極管的陰極連接所述接地極。如上所述的像素電路，優選的是，還包括用于所述開關晶體管關斷時隔斷所述開關晶體管漏電流的阻斷電容；所述開關晶體管的源極通過所述阻斷電容再分別連接所述存儲電容的一端和所述驅動晶體管的柵極。如上所述的像素電路，優選的是，還包括用于為所述驅動晶體管的柵極提供初始電壓的復位晶體管，其柵極與一復位控制電極連接，漏極連接一復位電源極，源極連接所述驅動晶體管的柵極。本技術還提供一種顯示裝置，包括如上所述的像素電路。(三)有益效果本技術所提供的像素電路在向像素電路寫入數據時通過隔斷晶體管阻斷驅動晶體管和有機發光二極管的連接，確保數據寫入像素時不會對有機發光二極管的發光狀態產生影響，避免了顯示的閃爍。并通過存儲電容預存驅動晶體管的閾值電壓和數據電壓信號，對閾值電壓漂移進行了有效的補償，保持了驅動電流的均勻性和穩定性。還設置了阻斷電容來隔斷開關晶體管關斷時存在的漏電流，防止漏電流衰減像素電路中的驅動電流。更進一步設置了復位晶體管，用于初始化驅動晶體管的柵極電壓，因總電源極與像素電路之間存在導線電阻或寄生電阻，初始化后的柵極電壓用于補償電阻壓降，保證像素驅動電流的穩定性，提高了顯示裝置的顯示質量。附圖說明圖1為本技術實施例一中像素電路的結構示意圖；圖2為本技術實施例二中像素電路的驅動方法的驅動時序示意圖；圖3為本技術實施例二中像素電路在復位時序段I1的工作狀態示意圖；圖4為本技術實施例二中像素電路在補償時序段t2的工作狀態示意圖；圖5為本技術實施例二中像素電路在驅動顯示時序段t3的工作狀態示意圖。具體實施方式以下結合附圖和實施例，對本技術的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本技術，但不用來限制本技術的范圍。實施例一圖1所示為本技術實施例中像素電路的結構示意圖。本實施例中以共陰極的有機發光二極管顯示器的像素電路結構為例來具體說明電壓驅動像素電路的電路結構及工作原理。如圖1所示，本技術實施例中的像素電路包括4個薄膜晶體管，分別為開關晶體管101、隔斷晶體管102、驅動晶體管103和補償晶體管104,還包括存儲電容106、總電源極110、接地極120和有機發光二極管130，柵線140提供選擇信號來開啟開關晶體管101，數據線150通過開關晶體管101向像素中寫入數據電壓信號。其中，開關晶體管101的柵極與柵線140連接，漏極連接數據線150，源極分別連接存儲電容105的一端和驅動晶體管103的柵極，在柵線140選擇信號的控制下，開關晶體管101向存儲電容106和驅動晶體管103提供數據線150的數據電壓信號Vdata，存儲電容106的另一端連接總電源極110，在總電源極110的控制下，通過開關晶體管101給A點充電至數據電壓信號Vdata，并由存儲電容106保持該電壓。補償晶體管104的柵極與柵線140連接，源極和漏極分別連接驅動晶體管103的柵極和漏極，在柵線140選擇信號的控制下，補償晶體管104導通，驅動晶體管103的源極和漏極相連，形成一個二極管連接，保證驅動晶體管103處于飽和電流區，提供穩定的充電電流，在總電源極110的控制下，通過給存儲電容106充電的方法，將驅動晶體管103的閾值電壓Vth存儲到存儲電容106里，達到補償閾值電壓Vth的目的。驅動晶體管103受存儲電容106存儲電壓的控制而導通或截斷，其源極與總電源極110連接，漏極還連接隔斷晶體管102的源極，用于向有機發光二極管130提供均勻、穩定的驅動電流，其中，流過驅動晶體管103的電流受到存儲電容106上存儲的電壓控制。隔斷晶體管102的柵極與一使能電極160連接，漏極與有機發光二極管130的陽極連接，在使能電極160的控制下，打開或關斷隔斷晶體管102。在向該像素電路寫入數據線150的數據電壓信號Vdata時，關斷隔斷晶體管102，以防止隔斷晶體管102導通后給有機發光二極管130充電，導致存儲電容106預先存儲的驅動晶體管103閾值電壓發生偏移，有機發光二極管130顯示閃爍。有機發光二極管130的陰極連接接地極120。由于晶體管在關斷狀態，一般還會存在漏電流，本實施例中優選開關晶體管101源極通過一阻斷電容107再分別連接存儲電容106的一端和驅動晶體管103的柵極，阻斷電容107用于隔斷開關晶體管101關斷時存在的漏電流。防止在向像素電路中寫入數據電壓時，由于漏電流的存在使得驅動晶體管103的驅動電流產生衰減，從而導致有機發光二極管120發光不穩定，顯示閃爍。本實施例中的像素電路還可以包括復位晶體管105，其柵極與一復位控制電極170連接，漏極連接一復位電源極180，源極連接驅動晶體管103的柵極，通本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種像素電路，包括有機發光二極管、總電源極、接地極、開關晶體管、隔斷晶體管、驅動晶體管、補償晶體管和存儲電容，其特征在于，用于控制數據線的數據電壓寫入的所述開關晶體管，其柵極與柵線連接，漏極連接數據線，源極分別連接所述存儲電容的一端和所述驅動晶體管的柵極；所述存儲電容的另一端連接所述總電源極；用于向所述存儲電容預先存儲閾值電壓的所述補償晶體管，其柵極與柵線連接，源極和漏極分別連接所述驅動晶體管的柵極和漏極；用于為所述有機發光二極管提供驅動電流的所述驅動晶體管，其源極與所述總電源極連接，漏極還連接所述隔斷晶體管的源極；用于隔斷所述驅動晶體管與所述有機發光二極管連接的所述隔斷晶體管，其柵極與一使能電極連接，漏極與所述有機發光二極管的陽極連接；所述有機發光二極管的陰極連接所述接地極。

【技術特征摘要】
1.一種像素電路，包括有機發光二極管、總電源極、接地極、開關晶體管、隔斷晶體管、驅動晶體管、補償晶體管和存儲電容，其特征在于， 用于控制數據線的數據電壓寫入的所述開關晶體管，其柵極與柵線連接，漏極連接數據線，源極分別連接所述存儲電容的一端和所述驅動晶體管的柵極； 所述存儲電容的另一端連接所述總電源極； 用于向所述存儲電容預先存儲閾值電壓的所述補償晶體管，其柵極與柵線連接，源極和漏極分別連接所述驅動晶體管的柵極和漏極； 用于為所述有機發光二極管提供驅動電流的所述驅動晶體管，其源極與所述總電源極連接，漏極還連接所述隔斷晶體管的源極； 用于隔斷所述驅動晶體管與所述有機發光二極管...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王穎，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：