充電構件、其生產方法、處理盒和電子照相設備技術

提供相對介電常數高和表面自由能小并且能夠長期保持高的特定介電常數的充電構件。還提供有效地增加電子照相設備的打印速度和壽命的處理盒以及電子照相設備。充電構件具有支承體、彈性層和表面層，其中所述表面層為固化的涂布劑層，所述涂布劑包含水解性硅烷化合物和在表面上具有0.7質量%至35質量%的羥基的氧化鈦顆粒的反應產物。所述電子照相設備和所述處理盒各自包括所述充電構件。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及用于電子照相設備的充電構件和處理盒等。
技術介紹
從充分確保電子照相感光構件和充電構件之間的抵接輥隙的觀點，用于使電子照相感光構件的表面帶電的充電構件通常具有支承體、設置于支承體上的彈性層(導電性彈性層)和設置于彈性層上的表面層。專利文獻I公開了設置有通過將例如金屬氧化物如氧化鋯和氧化鈦或復合氧化物如鈦酸鋇分散于粘結劑中獲得的表面層的充電構件作為能夠防止低溫、低濕環境下發生帶電不良的充電構件。另外，專利文獻2公開了設置有包含具有氟化烷基和氧化烯基的聚硅氧烷的表面層的充電構件作為能夠抑制污物粘著到充電構件表面并能夠長期保持穩定的帶電性能的充電構件。如上所述，已將各種功能如充電構件的帶電性能的改善和其表面特性的改善賦予到充電構件的表面層。另外，從最近電子照相設備在從高溫、高濕環境至低溫、低濕環境范圍內多種環境下使用的實事的觀點，已開始需要在該環境下發揮穩定的高的帶電性能的充電構件。引文列表專利文獻專利文獻1:日本專利申請特開H06-159349號公報專利文獻2 :日本專利申請特開第2007-004102號公報
技術實現思路
專利技術要解決的問題在該情況下，考慮到改善充電構件的帶電性能，本專利技術的專利技術人對改善表面層的相對介電常數進行了研究。根據專利文獻I的引入表面層的氧化鈦的介電常數為約100，其高于二氧化硅的相對介電常數(約4. O)。因此，推測為了獲得具有高相對介電常數的表面層引入氧化鈦顆粒是優選的。然而，其中氧化鈦顆粒在均勻分散的同時而存在的表面層的形成要求在表面層的形成中要使用的涂布劑(涂布液)中將氧化鈦顆粒物理性地高度分散。該涂層劑的制備成本高并且所得涂布劑不適用于長期貯存。另外，即使氧化鈦顆粒能夠均勻地分散于表面層中，也會產生以下問題。氧化鈦顆粒通過表面層中的粘結劑固定的程度未必充分，因此顆粒因充電構件的長期使用而易于從表面層脫落。另外，通過分散氧化鈦顆粒而獲得的表面層的表面自由能趨于增加，因此從抑制污物粘著到表面的觀點存在改善的余地。鑒于上述，本專利技術的目的是通過包括具有高的相對介電常數和小的表面自由能的表面層來提供能夠長時間保持高帶電性能的充電構件及生產所述構件的方法。另外，本專利技術的目的是提供能夠長期形成高品質電子照相圖像的處理盒和電子照相設備。用于解決問題的方案根據本專利技術的一方面，提供一種充電構件，其包括支承體、彈性層和表面層，其中所述表面層包括涂布劑的固化產物層，所述涂布劑包含水解性硅烷化合物和氧化鈦顆粒的反應產物，所述氧化鈦顆粒在其表面上具有含量為0. 7質量％至35質量％的羥基。根據本專利技術另一方面，提供一種充電構件的生產方法，所述充電構件包括支承體、彈性層和表面層，所述方法包括在所述彈性層上施涂涂布劑，所述涂布劑包含水解性硅烷化合物和氧化鈦顆粒的反應產物，所述氧化鈦顆粒在其表面上具有含量為0. 7質量％至35質量％的羥基；和通過用活化能量射線照射來固化施涂到所述彈性層上的所述涂布劑，并形成所述表面層。根據本專利技術另外的方面，提供電子照相設備，其包括電子照相感光構件和與所述電子照相感光構件接觸配置的上述充電構件。根據本專利技術更進一步的方面，提供處理盒，其包括電子照相感光構件和與所述電子照相感光構件接觸配置的上述充電構件，其中所述處理盒以可拆卸地安裝至電子照相設備的主體的方式形成。專利技術的效果本專利技術的充電構件可長期保持其高的相對介電常數，這是因為具有高相對介電常數的氧化鈦作為與水解性硅烷化合物的反應產物(固化產物)牢固地保持于表面層中。另夕卜，表面層由于其表面自由能小所以可抑制污物組分的粘著。各自包括充電構件的處理盒和電子照相設備在提高打印速度和延長電子照相設備壽命方面是有效的。附圖說明圖1為說明本專利技術充電構件的構成的實例的圖。圖2為根據本專利技術的電子照相設備的說明圖。圖3為在形成根據本專利技術的表面層時的化學反應的說明圖。具體實施例方式圖1所示的根據本專利技術的充電構件依次層壓支承體101、導電性彈性層102和表面層103。作為基本結構，在上述中可在支承體和導電性彈性層之間或導電性彈性層和表面層之間設置一層或兩層以上的其它層。(支承體)可使用由鐵、銅、不銹鋼、鋁、鋁合金或鎳形成的金屬(合金)支承體作為支承體。(彈性層)可將用于常規充電構件的彈性層(導電性彈性層)的一種或兩種以上的彈性體例如橡膠和熱塑性彈性體各自用于導電性彈性層。橡膠的實例包括以下聚氨酯橡膠、硅酮橡膠、丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、丁苯橡膠、乙丙橡膠、聚降冰片烯橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡膠、丙烯腈橡膠、表氯醇橡膠和烷基醚橡膠。熱塑性彈性體為例如，苯乙烯類彈性體或烯烴類彈性體。苯乙烯類彈性體的商購可得的產品為例如，“RABAL0N” (商品名，由Mitsubishi Chemical Corporation制造)或“ SEPTON compound ”(商品名，由KURARAY CO.，LTD制造)。烯烴類彈性體的商購可得的產品為例如，“Thermolan”(商品名，由 Mitsubishi Chemical Corporation 制造)、“Milastomer” (商品名，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造)、“Sumitomo TPE，，(商品名，由 Sumitomo Chemical Co. , Ltd.制造)或 “Santoprene，，(商品名，Advanced ElastomerSystems, L. P.)。另外，通過引入導電劑來將彈性層構造為具有預定的導電性。彈性層的電阻優選為IO2Q至IO8Q，特別優選IO3Q至IO6Q。用于彈性層的導電劑的實例包括陽離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、抗靜電劑和電解質。陽離子性表面活性劑的實例包括季銨鹽(季銨鹽例如月桂基三甲基銨、硬脂基三甲基銨、八_十二燒基三甲基銨(octadodecyltrimethylammonium)、十二燒基三甲基銨、十六烷基三甲基銨和改性的脂肪酸-二甲基乙基銨)、高氯酸鹽、氯酸鹽、氟硼酸鹽、乙基硫酸鹽(ethosulfate salt)和齒化節基鹽(例如節基溴鹽和節基氯鹽)。陰離子性表面活性劑的實例包括脂肪族磺酸鹽、高級醇硫酸酯鹽、高級醇環氧乙烷加合物硫酸酯鹽、高級醇磷酸酯鹽和高級醇環氧乙烷加合物磷酸酯鹽。抗靜電劑的實例包括非離子性抗靜電劑例如高級醇環氧乙烷、聚乙二醇脂肪酸酯和多元醇脂肪酸酯。電解質的實例包括周期表第I族的金屬(例如L1、Na和K)的鹽(例如季銨鹽)。周期表第I族的金屬的鹽的具體實例包括LiCF3S03、NaClO4, LiAsF6, LiBF4, NaSCN, KSCN和NaCl。另外，作為彈性層用導電劑，還可使用周期表第2族金屬(例如Ca和Ba)的鹽(例如，Ca(ClO4)2)以及由其衍生的抗靜電劑。可選地，可使用離子導電性導電劑例如任意此類導電劑與多元醇(例如1，4_ 丁二醇、乙二醇、聚乙二醇、丙二醇和聚乙二醇)或其衍生物的配合物，或任意此類導電劑與一元醇(monool)(例如乙二醇單甲醚和乙二醇單乙醚)的配合物。另外，作為彈性層用導電劑，還可使用碳類材料(例如導電性炭黑和石墨)、金屬氧化物(例如氧化錫、氧化鈦和氧化鋅)和金屬(例如鎳、銅、銀和鍺)。從當充電構件和作為被充電體的電子照相感光構本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.08.09 JP 2010-1787351.一種充電構件，其包括:支承體、彈性層和表面層； 所述表面層包括涂布劑的固化產物層，所述涂布劑包含水解性硅烷化合物和氧化鈦顆粒的反應產物，所述氧化鈦顆粒的表面上具有含量為0.7質量％至35質量％的羥基。2.根據權利要求1所述的充電構件，其中所述水解性硅烷化合物的Si原子數與所述氧化鈦顆粒的Ti原子數之比Si/Ti為0.5至10。3.根據權利要求1或2所述的充電構件，其中將所述氧化鈦顆粒進行堿處理和酸處理或進行酸處理。4.根據權利要求1至3任一項所述的充電構件，其中 所述水解性硅烷化合物包括選自由下式(I)和(2)表示的化合物的一種或多種，并且其至少一種為由式(I)表示的化合物:式(I)R1-Z-S1-(OR2)3式(2) R3-S1-(...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鈴村典子，黑田紀明，
申請(專利權)人：佳能株式會社，
類型：
國別省市：