充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備制造技術(shù)

提供一種充電構(gòu)件，其以高水平結(jié)合電子照相感光構(gòu)件的帶電特性和抑制低分子量組分從彈性層滲出至表面。所述充電構(gòu)件具有基體、彈性層和表面層，所述表面層包括具有由式(1)、(2)和(3)表示的結(jié)構(gòu)單元并且具有Si-O-Ti鍵、Ti-O-Ta鍵和Si-O-Ta鍵的高分子化合物：式(1)TiO4/2?式(2)TaO5/2?式(3)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及用于使電子照相設(shè)備接觸充電的充電構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。
技術(shù)介紹
通常，接觸電子照相感光構(gòu)件以使電子照相感光構(gòu)件充電的充電構(gòu)件具有存在含橡膠的彈性層的構(gòu)造以便充分和均勻地確保電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件之間的接觸輥隙。彈性層不可避免地包含低分子量組分。為此原因，如果長(zhǎng)期使用充電構(gòu)件，則低分子量組分會(huì)從充電構(gòu)件表面滲出從而污染電子照相感光構(gòu)件的表面。對(duì)于該問(wèn)題，日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)2001-173641提出其中彈性層的周面涂布有無(wú)機(jī)氧化物涂膜或無(wú)機(jī)-有機(jī)雜化涂膜從而抑制低分子量組分從充電構(gòu)件表面滲出的構(gòu)造。近來(lái)，隨著電子照相圖像形成工藝的高速化，電子照相感光構(gòu)件和充電構(gòu)件之間的接觸時(shí)間相對(duì)更短。該趨勢(shì)不利于使得電子照相感光構(gòu)件穩(wěn)定和可靠的充電。在該環(huán)境下，具有形成于其周面上的用于抑制低分子量組分滲出的厚膜的充電構(gòu)件不利于使得電子照相感光構(gòu)件穩(wěn)定和可靠的充電。另一方面，即使在將調(diào)色劑圖像從電子照相感光構(gòu)件轉(zhuǎn)印至紙等上之后電子照相感光構(gòu)件的表面也會(huì)具有殘余調(diào)色劑或外部添加劑。該殘余物由于長(zhǎng)期使用會(huì)粘附至充電構(gòu)件的表面，導(dǎo)致充電構(gòu)件的充電性能的降低和電子照相圖像品質(zhì)的降低。為了抑制通過(guò)調(diào)色劑粘附引起的該調(diào)色劑成膜，日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)2000-337355公開(kāi)了具有包括特定有機(jī)娃接枝聚合物(silicone graft polymer)的最外層的導(dǎo)電棍。引用列表專(zhuān)利文獻(xiàn)PTLl :日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)2001-173641。PTLl :日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)2000-337355。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
_9] 專(zhuān)利技術(shù)要解決的問(wèn)題本專(zhuān)利技術(shù)旨在提供具有其中抑制低分子量組分從彈性層滲出和調(diào)色劑粘附至表面從而減少表面層的污物的高帶電性能的充電構(gòu)件。本專(zhuān)利技術(shù)還旨在提供能夠穩(wěn)定形成具有高品質(zhì)電子照相圖像的電子照相設(shè)備和處理盒。用于解決問(wèn)題的方案根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一方面，提供一種充電構(gòu)件，其包括基體、彈性層和表面層，其中所述表面層包括具有由下式(I)、(2)和(3)表示的結(jié)構(gòu)單元，并且具有S1-O-Ti鍵、T1-O-Ta鍵和S1-O-Ta鍵的高分子化合物本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】2010.08.19 JP 2010-1839841.一種充電構(gòu)件，其包括基體、彈性層和表面層，其中 所述表面層包括具有由式(I)、(2)和(3)表示的結(jié)構(gòu)單元并且具有S1-O-Ti鍵、T1-O-Ta鍵和S1-O-Ta鍵的高分子化合物:2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的充電構(gòu)件，其中在所述高分子化合物中，所述式(I)中的R1和R2各自獨(dú)立地表不任一種選自由式(8)-(11)表不的結(jié)構(gòu):3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的充電構(gòu)件，其中在所述高分子化合物中，鈦和鉭的原子總數(shù)與硅原子數(shù)之比(Ti+Ta)/Si為不小于0.1且不大于5.0。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的充電構(gòu)件，其中所述高分子化合物是具有由式(12)表示的結(jié)構(gòu)的可水解化合物與由式(13)和式(14)表示的可水解化合物的交聯(lián)產(chǎn)物: R33-Si (OR34) (OR35) (OR36)式(12)Ti (OR37) (OR38) (OR39) (OR40)式(13)Ta(OR41) (OR42) (OR43)...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鈴村典子，黑田紀(jì)明，友水雄也，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：佳能株式會(huì)社，
類(lèi)型：
國(guó)別省市：