一種單晶硅片預清洗液及其清洗方法技術

本發(fā)明專利技術涉及一種單晶硅片預清洗液及其清洗方法。其特征在于由下列組成物組成：所述的預清洗液是由雙氧水、氫氧化鈉或氫氧化鉀和水組成。其特征在于由下列組成物組成：雙氧水，氫氧化鈉或氫氧化鉀，水。一種利用權利要求1所述一種單晶硅片預清洗液的清洗方法，其特征在于：將插入花籃中的硅片放入到混合均勻的單晶硅片預清洗液中，溫度在55～80℃，用超聲波清洗60～600秒，超聲波清洗后，在60℃的條件下用去離子水漂洗1分鐘后，去離子水漂洗后取出硅片烘干。本發(fā)明專利技術的優(yōu)點是使用雙氧水工藝后，堿濃度降低，產(chǎn)生氫氣量少，不會在硅片表面生產(chǎn)氣泡印，并且不會漂籃，不會產(chǎn)生明顯的界限。由于降低了堿的濃度，減薄量也有效的降低，有利于降低后道工序電池片的碎片率。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及。
技術介紹
太陽能電池是利用太陽光和材料相互作用直接產(chǎn)生電能，不需要消耗燃料和水等物質(zhì)，使用中不釋放包括二氧化碳在內(nèi)的任何氣體，是對環(huán)境無污染的可再生能源。對改善生態(tài)環(huán)境、緩解溫室氣體的有害作用具有重大意義。因此太陽能電池有望成為21世紀的重要新能源。電池片制造工藝主要為預清洗一制絨一擴散一刻蝕一去磷硅玻璃一鍍減反射膜—印刷一燒結一測試。太陽能硅片經(jīng)過線切割機的切割加工后，其表面已受到嚴重沾污，要達到太陽能發(fā)電的工業(yè)應用標準，就必須經(jīng)過嚴格的清洗工序。由于切割帶來的嚴重污染，其表面的清洗工序也必然需要比較復雜和精細的工藝流程。預清洗的目的就是去除硅片表面的機械損傷層，清除表面油污和金屬雜質(zhì)。在切片過程中會在硅片表面產(chǎn)生損傷層，損傷層去除不足，會導致殘余缺陷、殘余缺陷在后續(xù)高溫處理過程中向材料深處繼續(xù)延伸、切割過程中導致的雜質(zhì)未能完全去除，這些都會增加硅片的表面復合速率，嚴重影響電池片的效率。目前一般采用去損傷工藝進行清洗，由于初拋過程采用的常規(guī)工藝是低濃度堿(1%左右)，反應過程較為劇烈，反應過程中產(chǎn)生氫氣泡，由于氣泡無法及時脫離硅片表面，導致整籃硅片漂起，而使得部分硅 片未浸泡在反應液中而無法繼續(xù)反應，硅片外觀存在明顯界限。并且氫氣泡吸附在硅片表面，阻礙溶液繼續(xù)與硅片反應，而在硅片表面產(chǎn)生差異，存在一個個小的氣泡狀的黑洞印記。因此亟待開發(fā)出新的清洗液及清洗方法以解決目前存在的上述問題。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的是解決現(xiàn)有技術中對單晶硅片預清洗時所存在的上述問題，提供。本專利技術設計一種單晶硅片預清洗液，其特征在于由下列組成物組成:所述的預清洗液是由雙氧水、氫氧化鈉或氫氧化鉀和水組成。其特征在于由下列組成物組成: 雙氧水3% 7%, 氫氧化鈉或氫氧化鉀0.1% 1%， 水92% 96.9%。一種利用權利要求1所述一種單晶硅片預清洗液的清洗方法，其特征在于:將插入花籃中的硅片放入到混合均勻的單晶硅片預清洗液中，溫度在55 80°C，用超聲波清洗60 600秒，超聲波清洗后，在60°C的條件下用去離子水漂洗I分鐘后，去離子水漂洗后取出硅片烘干。本專利技術的優(yōu)點是使用雙氧水工藝后，堿濃度降低，產(chǎn)生氫氣量少，不會在硅片表面生產(chǎn)氣泡印，并且不會漂籃，不會產(chǎn)生明顯的界限。由于降低了堿的濃度，減薄量也有效的降低，有利于降低后道工序電池片的碎片率。采用超聲波清洗，可以去除吸附于硅片表面^ 0.4um的顆粒，有效提高硅片表面的潔凈程度。H2O2是很強的氧化劑，使硅片表面發(fā)生氧化,與此同時，NaOH則慢慢地溶解所產(chǎn)生的氧化物。正是這種氧化-溶解,再氧化再溶解過程，去除硅片表面的有機薄膜，硅片表面雜質(zhì)微粒的去除也是基于這種原理。具體實施例方式清洗的一般思路是首先去除表面的有機沾污，因為有機物會遮蓋部分硅表面，使氧化層和與之相關的沾污顆粒難以去除；然后溶解氧化層，因為氧化層是“沾污陷阱”，也會引入外延缺陷；最后再去除顆粒、金屬沾污，同時使硅表面鈍化。清洗液的配方對清洗效果非常重要。對清洗液的要求是:1.對硅腐蝕速率適中；2.高氧化勢；3.能與金屬離子形成絡合物；4.能溶解金屬沾污；5.不增加表面微粗糙度；6.對環(huán)境的影響小；7.去除自然氧化層。一般都有這樣的共識，即二氧化硅的生成是各向同性的，所以若氧化速率大于堿或氫氟酸對二氧化硅的腐蝕速率，則表面是被均勻地腐蝕；而硅被氫氟酸或0!Γ腐蝕為各向異性，易引起RMS的惡化。因此強氧化劑的引入有利于RMS的降低。另外，強氧化劑可將原子態(tài)金屬沾污如銅氧化為可溶于酸的陽離子，使之易于去除。所述的預清洗液是由雙氧水、氫氧化鈉或氫氧化鉀和水組成。其特征在于由下列組成物組成: 雙氧水3% 7%, 氫氧化鈉或氫氧化鉀0.1% 1%， 水96.9% 92%。一種利用權利要求1所述一種單晶硅片預清洗液的清洗方法，其特征在于:將插入花籃中的硅片放入到混合均勻的單晶硅片預清洗液中，溫度在55 80°C，用超聲波清洗60 600秒，超聲波清洗后，在60°C的條件下用去離子水漂洗I分鐘后，去離子水漂洗后取出硅片烘干。實施1: 取雙氧水4.25千克(濃度30%)，氫 氧化鈉0.24千克，加入95.51千克的水中，配成100千克清洗液，混合均勻，開啟制絨機的循環(huán)、鼓泡開關，5分鐘后關閉鼓泡。將插入花籃中的硅片放入到混合均勻的單晶硅片預清洗液中，溫度在55°C，用超聲波清洗60秒，超聲波清洗后，在60°C的條件下用去離子水漂洗I分鐘后，去離子水漂洗后取出硅片烘干。實施2: 取雙氧水3千克(濃度30%)，氫氧化鈉0.2千克，加入96.8千克的水中，配成100千克清洗液，混合均勻，開啟制絨機的循環(huán)、鼓泡開關，3分鐘后關閉鼓泡。將插入花籃中的硅片放入到混合均勻的單晶硅片預清洗液中，溫度在65°C，用超聲波清洗300秒，超聲波清洗后，在60°C的條件下用去離子水漂洗I分鐘后，去離子水漂洗后取出硅片烘干。實施3: 取雙氧水7千克(濃度30%)，氫氧化鈉I千克,加入92千克的水中，配成100千克清洗液，混合均勻，開啟制絨機的循環(huán)、鼓泡開關，4分鐘后關閉鼓泡。將插入花籃中的硅片放入到混合均勻的單晶硅片預清洗液中，溫度在80°C，用超聲波清洗600秒，超聲波清洗后，在60°C的條件下用去離子水漂 洗I分鐘后，去離子水漂洗后取出硅片烘干。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種單晶硅片預清洗液，其特征在于由下列組成物組成：所述的預清洗液是由雙氧水、氫氧化鈉或氫氧化鉀和水組成。

【技術特征摘要】
1.一種單晶硅片預清洗液，其特征在于由下列組成物組成:所述的預清洗液是由雙氧水、氫氧化鈉或氫氧化鉀和水組成。2.按權利要求1所述的一種單晶硅片預清洗液，其特征在于由下列組成物組成:雙氧水3% 7%，氫氧化鈉或氫氧化鉀0.1% 1%，水92% 96.9%。3...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：高華，戴麗麗，周光華，李杏兵，田怡，
申請(專利權)人：上海超日太陽能科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：