阻焊圖案的形成方法技術

阻焊圖案的形成方法，其特征在于，依次含有在具有連接焊盤的電路基板的表面形成阻焊層的步驟、利用堿水溶液進行薄膜化，直至阻焊層的厚度為連接焊盤的厚度以下的步驟，其中，相互相鄰的半導體連接用的連接焊盤間不存在焊料導致的電短路，連接焊盤上不殘留阻焊劑殘渣。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
涉及。
技術介紹
為了使焊料不附著于不需要焊接的布線圖案，各種電氣儀器內部的電路基板的阻焊圖案被覆形成于進行焊接的部分之外的部分整面，另外，還發揮防止導體的氧化、導體的電絕緣和保護導體不受外部環境損害的功能。電路基板上搭載了半導體芯片等電子部件的半導體組件中，利用倒裝芯片(7 'J'7 7°千'y Flip Chip)連接的搭載在實現高速化、高密度化方面是有效的方法。倒裝芯片連接中，將電路基板的導體布線的一部分作為倒裝芯片連接用的連接焊盤，例如，將配設于該連接焊盤上的焊料凸點與半導體芯片的電極端子接合。圖1 圖5是將電路基板上進行焊接的部分(例如，連接焊盤)之外用阻焊層被覆的阻焊圖案的截面結構簡圖。圖1是阻焊層限定(Solder Mask Defined，SMD)結構的截面結構簡圖，其特征在于，阻焊層3的開口部比連接焊盤6小。圖2 圖5是非阻焊層限定(Non Solder Mask Defined,NSMD)結構的截面結構簡圖,其特征在于，阻焊層3的開口部為連接焊盤6以上。作為形成阻焊圖案的方法，通常已知的是光刻法方式。光刻法方式中，在絕緣性基板I上具有連接焊盤6和導體布線2的電路基板上形成阻焊層3后，進行曝光、顯影，由此將連接焊盤6周邊的阻焊層3完全除去而設置開口部。該光刻法方式中，迄今為止只能制作圖1、圖2和圖3的結構。如圖2所示，連接焊盤6間完全不存在阻焊層時，若連接焊盤間發生窄間距化，則在焊接之前進行的非電解鍍鎳/金之際，在連接焊盤間發生鍍覆的短路。即使是連接焊盤6間存在阻焊層3時，也如圖1和圖3所示，在阻焊層3厚的情形中，它們會成為障礙而發生不能正確搭載電子部件的不良情況。另外，隨著近年來電子儀器的小型化、多功能化，連接焊盤間小于50 μ m時，則從曝光位置偏移的觀點出發，用光刻法方式制作圖1和圖3的結構非常困難。基于這樣的原因，需求如圖4和圖5所示，連接焊盤6間的阻焊層3的厚度為連接焊盤6的厚度以下的結構。圖4的結構是下述結構，其中，通過濕式噴砂法形成有具有狹縫狀開口的阻焊圖案，大量并設的連接焊盤6露出的同時，在狹縫狀的開口內露出的相互相鄰的連接焊盤6間填充有與連接焊盤6高度相同的阻焊層3。該結構如下形成:在絕緣性基板I上具有連接焊盤6和導體布線2的電路基板上涂布阻焊層3后，在實施了紫外線固化、加熱固化的阻焊層3上，設置用于形成濕式噴砂用掩模的樹脂層，然后進行曝光、顯影，由此形成圖案狀的濕式噴砂用掩模，接著進行濕式噴砂，由此在阻焊層形成狹縫狀的開口，除去濕式噴砂用掩模(例如，參照專利文獻I)。另外，還公開有下述結構，其中，相對于具有連接焊盤與高度比連接焊盤低的導體布線的電路基板，連接焊盤露出，導體布線被阻焊層所被覆，連接焊盤間填充有與連接焊盤高度相同的阻焊層(例如，參照專利文獻2)。該結構如下形成:在具有連接焊盤與高度比連接焊盤低的導體布線的電路基板上涂布阻焊層后，進行研磨直至連接焊盤的上面露出。作為研磨方法，可以采用機械研磨方法或激光劃片法。圖5的結構中，連接焊盤6間存在阻焊層3，但連接焊盤6的外周面露出。圖5的結構如下形成:將連接焊盤6整體進行非電解鍍鎳而用鎳層被覆，在導體布線上涂布阻焊層3后，實施紫外線固化、加熱固化，對阻焊層3進行噴砂研磨，由此使鎳層的上面露出，之后通過蝕刻除去鎳層(例如，參照專利文獻3)。專利文獻I 3的方法中，為了形成阻焊層的開口部，使用濕式噴砂、機械研磨等研磨方法，但該方法中，難以使面內的研磨量均一，進而在連接焊盤上殘留阻焊層的殘渣，使其上面完全露出的高精度加工極其困難。另外，雖然容易使阻焊層和連接焊盤的高度相同，但要使阻焊層的高度比連接焊盤低時，研磨處理中有時發生損害包括連接焊盤的其它部分，或產生缺損的問題。作為除去阻焊層的方法，也存在通過激光照射來使不需要的阻焊劑分解的方法，但是存在步驟繁雜、生產率差等問題(例如，參照專利文獻2和4)。現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2008-300691號公報 專利文獻2:日本特開2006-344664號公報 專利文獻3:日本特開2009-253118號公報 專利文獻4:日本特開2010-034414號公報。
技術實現思路
專利技術要解決的技術問題 本專利技術的課題在于，提供，其中，不存在相互相鄰的半導體連接用的連接焊盤間的焊料導致的電短路，連接焊盤上不殘留阻焊劑殘渣。用于解決技術問題的方法 本專利技術人為了解決上述課題而進行了深入研究，結果發現通過下述專利技術可以解決上述課題。(I)，其特征在于，依次含有: (Al)在具有連接焊盤的電路基板的表面形成阻焊層的步驟， (BI)利用堿水溶液進行薄膜化，直至阻焊層的厚度為連接焊盤的厚度以下的步驟。(2)，其特征在于，含有: (A2)在具有連接焊盤和導體布線的電路基板的表面形成阻焊層的步驟， (C)將進行薄膜化直至阻焊層的厚度為連接焊盤的厚度以下的區域之外的部分曝光的步驟， (B2)利用堿水溶液對阻焊層進行薄膜化，直至非曝光部的阻焊層的厚度為連接焊盤的厚度以下的步驟。(3)權利要求2所述的，其中，在(A2)步驟與(C)步驟之間，含有(D)利用堿水溶液對阻焊層整面進行薄膜化的步驟。(4)，其特征在于，依次含有: (A3)在具有連接焊盤和高度比連接焊盤低的導體布線的電路基板的表面形成阻焊層的步驟， (B3)利用堿水溶液進行薄膜化，直至阻焊層的厚度為連接焊盤的厚度以下、且較導體布線的厚度厚的步驟。(5) (I) (4)中任一項所述的，其中，堿水溶液為含有無機堿性化合物的水溶液，該無機堿性化合物的含量為3 25質量％。(6) (5)所述的，其中，無機堿性化合物為選自堿金屬碳酸鹽、堿金屬磷酸鹽、堿金屬氫氧化物、堿金屬硅酸鹽中的至少任意I種。(7) (5)所述的，其中，無機堿性化合物為堿金屬硅酸鹽。(8) (7)所述的，其中，堿金屬硅酸鹽為偏硅酸鈉。(9) (5)所述的抗蝕圖案的形成方法，其中，無機堿性化合物為堿金屬磷酸鹽。(10) (9)所述的抗蝕圖案的形成方法，其中，堿金屬磷酸鹽為選自磷酸三鈉、磷酸三鉀中的至少I種。(11) (5)所述的抗蝕圖案的形成方法，其中，無機堿性化合物為碳酸鉀。(12) (I) (4)中任一項所述的，其中，堿水溶液為含有有機堿性化合物的水溶液。(13) (12)所述的，其中，有機堿性化合物的含量為5 25質量% O(14) (I) (13)中任一項所述的，其中，堿水溶液的pH為12.5以上。(15) (I) (14)中任一項所述的，其中，在利用堿水溶液對阻焊層進行薄膜化的步驟之后，含有(E)用含有堿性化合物且該堿性化合物的含量較堿水溶液少、pH為5.0 10.0、溫度為22 50°C的水溶液進行處理的步驟。(16) (I) (15)中任一項所述的，其中，利用堿水溶液對阻焊層進行薄膜化的步驟是利用浸潰處理進行的。專利技術效果 通過本專利技術中的(I) (4)中的任一方法，可以實現下述效果:相互相鄰的半導體連接用的連接焊盤間不存在焊料導致的電短路，連接焊盤上不殘留阻焊劑殘渣。附圖說明阻焊圖案的截面結構簡圖。阻焊圖案的截面結構簡圖。阻焊圖案的截面結構簡圖。阻焊圖案的截面結構簡圖。阻焊圖案的截面結構簡圖。表示本專利技術的(I)的一例的截面步驟本文檔來自技高網...

【技術保護點】
阻焊圖案的形成方法，其特征在于，依次含有：（A1）在具有連接焊盤的電路基板的表面形成阻焊層的步驟，（B1）利用堿水溶液進行薄膜化，直至阻焊層的厚度為連接焊盤的厚度以下的步驟。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：豐田裕二，后閑寬彥，入澤宗利，金田安生，中川邦弘，
申請(專利權)人：三菱制紙株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP