本發明涉及一種低壓低電容雙向瞬態抑制二極管，屬于二極管設計領域；陶瓷管殼的內腔底部上表面設置有粘片區；N+NP+N+結構瞬態抑制二極管管芯和P+PN+P+結構瞬態抑制二極管管芯的底部電極共晶焊在粘片區上；壓點設置在陶瓷管殼的內腔底部上表...

本發明屬于導航定位領域，具體涉及了一種基于混合工藝的微型多源導航模塊，旨在解決難以實現可靠定位，系統功能分立、體積大、功耗高、定制性強、通用性差、成本高及生產周期長的問題。本發明包括：GNSS模塊用于接收多路的GNSS射頻信號并至少完成...

本發明公開了一種適用高速SerDes的混合模驅動器電路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2，用于傳輸經過并串轉換后輸入驅動器模塊的差分主數據信號，以及根據預加重使能信號給出的值，對主數據進行預加重。還包括...

本發明公開了一種自恢復的抗單粒子多位翻轉鎖存器電路結構，包括：時鐘控制反相器電路、鎖存單元、SEU監控單元、輸出控制單元和反相器電路。第一時鐘控制反相器電路的輸出端接第一鎖存單元的輸入端和SEU監控單元的輸入端；第二時鐘控制反相器電路的...

本發明屬于熱控管理的技術領域，具體涉及了一種雷達電子系統的多工況復合熱控裝置，旨在解決拆除更換輔助散熱時間較長的問題。本發明包括A/D采樣陣列、傳熱組件、儲能組件以及熱交換組件；傳熱組件安裝在A/D采樣陣列上，傳熱組件包括上蓋、下蓋、上...

本發明涉及一種基于冪函數的電子背散射噪聲建模標定方法，首先對地面模擬空間環境裝置和待測材料進行簡化建模，然后通過冪函數以平均分布隨機數和等間隔的方式選取預標定點位，使用蒙特卡洛方法對預標定點位進行選定能量的吸收劑量仿真，最后通過比較篩選...

本發明一種面向視覺感知的光電感存器件及其制作方法，器件由光電探測器和非易失性存儲器焊接組成；光電探測器將入射光信號轉為電信號，即實現光電感知功能；所述電信號激勵非易失性存儲器產生電阻變化，完成非易失性存儲；所述光電探測器和存儲器之間通過...

本發明涉及一種用于神經網絡的軟錯誤定位方法及系統，包括獲取神經網絡前向傳播時的中間數據，在數據中確定分析數組；使用肖維納準則對數組進行異常判斷；根據異常值出現節點及位置完成軟錯誤定位。本發明利用了神經網絡的冗余性，利用同一節點內數據的相...

一種基于改進KL算法的選擇性三模冗余方法，通過對電路節點的軟錯誤敏感度進行分析，通過拓撲準則和改進KL算法將節點分為SEU敏感和SEU不敏感兩類，并只對SEU敏感的節點插入三模冗余結構，基于改進KL算法的選擇性三模冗余方法可以兼顧抗SE...

本發明公開了一種分階段的大容量柵氧反熔絲存儲器編程方法，將編程過程劃分成全數據初始編程、回讀定向編程和全數據加強編程三個主要階段：全數據初始編程階段順序對所有地址只進行一次編程，不關注數據寫入是否成功；回讀定向編程階段對所有地址逐個進行...

本發明涉及一種應用于高線性度寬帶全差分運放的共模反饋電路，包括全差分運算放大器、輸出緩沖器、離散共模反饋單元、連續共模反饋單元和共模反饋調節單元，全差分運算放大器的輸出信號經過輸出緩沖器進行緩沖和隔離，輸出信號分別經過連續共模反饋單元和...

本發明屬于硬件安全技術領域，具體涉及了一種面向FPGA木馬檢測的可測試性值計算方法和系統，旨在解決現有的FPGA綜合網表的可測試性值獲取方法無法在早期的設計階段進行計算的問題。本發明包括：初始化FPGA綜合網表的全部節點，獲得初始網表；...

一種抗輻射加固的SiC超結JFET結構及制備方法，從下至上依次為：漏極金屬化層、N+襯底層、N緩沖層、P柱區、N柱區、P?base區、電流擴展區、N+源區、P+柵區、隔離介質層、柵極金屬化層、源極金屬化層。P柱區與N柱區交替排列于N緩沖...

本發明提供一種抗單粒子柵穿的SiC?MOSFET及制備方法，從下到上依次包括：漏極金屬化層、N+襯底層、N?漂移區、電流擴展區、P?well區、第二N+源區、第二P?base區、第一P?base區、第一N+源區、柵氧、多晶硅柵、隔離氧、...

本發明涉及一種高可靠實時自中斷STT?MRAM寫電路，由寫電流通路和實時自中斷寫電流控制等模塊組成。本發明所述的寫電路適用于2T2MTJ存儲單元結構，即采用2個Transistor和2個MTJ記錄1bit數據；寫電流通路由存儲單元和外圍...

本發明涉及一種倒裝焊電路的單粒子有效數據獲取方法，包括：試驗樣品襯底減??；試驗用重離子選擇；試驗電路溫度監控；數據有效性判斷；減薄厚度測量及有效數據計算。相比與傳統試驗方法，利用本發明中的單粒子試驗評估方法，可以有效提高倒裝焊工藝電路單...

本發明涉及一種具有混合溝道結構的GaN器件及其制備方法，屬于半導體器件技術領域，包括襯底層、GaN下溝道層、GaN區、GaN緩沖層、AlGaN勢壘層、漏極歐姆金屬、源極歐姆金屬、柵電極G1和柵電極G2，相比傳統HEMT器件，添加一個由源...

平面工藝的敏感區沉積能量疊層仿真標定方法，屬于核物理和集成電路工藝技術領域，包括：首先根據實際平面工藝電路結構構建金屬層、柵氧化層、溝道等不同結構的簡化模型，并在敏感區域設置沉積能量的采集探針，接著采用鈷源、電子、質子等粒子源對結構進行...

一種應用于DC?DC的高可靠多模式軟啟動電路，包含兩種軟啟動模式，可實現外部電容控制軟啟動和內部固定時間軟啟動兩種模式。相比傳統的軟啟動技術，具有更高的可靠性和靈活性。高可靠性體現在當外部電容虛焊或損壞后，電路啟動將采用內部軟啟動模式，...

本發明公開了一種用于大尺寸傳感器芯片高平面度粘片結構的制作方法，包括：在芯片粘接區均勻涂抹助焊劑，將定位球放置在芯片粘接區；將限位片按照設計規定位置進行貼裝，將定位球與芯片粘接區進行焊接；將焊接后得到的器件進行清洗和烘干，將助焊劑清洗干...