本發明公開了一種用于硅鋁絲超聲楔焊的柔性工裝及鍵合工藝方法，該工裝通過調節限位槽尺寸，適應多種FP封裝形式的器件鍵合。鍵合前，逆時針旋轉工裝表面控制機構的旋鈕，將限位槽尺寸擴展到最大，再將器件放入限位槽內，然后分別順時針旋轉控制水平方向...

本發明涉及一種抗單粒子多位翻轉的鎖存器電路，該鎖存器電路包括：時鐘控制反相器電路，由時鐘信號CK1、CK2控制時鐘控制反相器電路的導通或關閉，在導通時將數據信號傳輸至鎖存單元；鎖存單元，從時鐘控制反相器電路接收數據信號，通過控制時鐘信號...

一種發送廣播碼的廣播接口，包括預分頻模塊、廣播碼間隔模塊、廣播碼寄存器、發送模塊和廣播碼控制模塊；預分頻模塊連接廣播碼間隔模塊，用于將外部輸入的系統時鐘進行分頻，產生廣播碼間隔模塊所需的基準時鐘；廣播碼間隔模塊，用于獨立設置或者一次性設...

本發明公開了一種用于傳感器芯片的高平面度粘片結構的制作方法，包括：點膠：采用熱塑性樹脂作為粘接材料，在陶瓷外殼上的芯片粘片區采用自動點膠/手動點膠方式，按照規定的點膠路徑進行點膠；塑形：待粘接材料冷卻固化后進行機械加工，得到凸臺陣列；裝...

一種帶有分段補償的高精度帶隙基準電路，包括場效應管M1～M13、雙極性晶體管Q1～Q3、電阻R1～R2、可修調電阻R3、R4、運算放大器。場效應管M1～M4、運算放大器、電阻R1、雙極性晶體管Q1、Q2構成了PTAT電流產生電路；場效應...

一種基于SPARC多核處理器的抗輻照測試系統，包括應用層和裸機SPARC多核任務調度系統，裸機SPARC多核任務調度系統包括驅動層、系統層和控制層；驅動層用于實現抗輻照測試系統的底層硬件驅動；系統層實現多核之間的進程調度；控制層與上位機...

一種元器件空間驗證單元，包括主控通信組件和試驗組件，主控通信組件負責對試驗組件進行控制、調度、通信，與控制系統進行通信；試驗組件負責對被試驗的器件進行測試試驗，并與主控通信組件進行通信。主控通信組件和試驗組件采取分立隔離設計的方案。本發...

本發明提供了一種高效能視頻SAR處理微系統及其并行實現方法，圖像數據在雙通道DDR3和DSP之間交互完成數據的成像處理，DDR3存儲器分為兩個緩沖區；DSP的每個內核均在DSP的內部緩存設有四個大小相同的緩沖條，四個緩沖條形成兩組Pin...

本發明提供了一種基于系統級封裝的配置一體化FPGA電路，由可編程邏輯單元與配置存儲器單元組成。采用系統級封裝技術，將配置存儲器單元與可編程邏輯單元的芯片集成在一片封裝基板上，實現可編程邏輯單元的上電自配置功能，無需外置配置存儲器。本發明...

本發明公開了一種基于DRP的FPGA內嵌Interlaken?IP測試方法，包括以下步驟：針對測試項的要求，按照Interlaken協議規范配置BIST控制器，設定測試采用的PRBS碼型；通過DRP接口重配置Interlaken?IP；...

一種大翹曲晶圓回流過程翹曲控制裝置及回流焊接方法，適用于Fan?out晶圓Bumping工藝，采用回流翹曲控制裝置及方法進行Bumping制備及大翹曲晶圓回流控制，通過壓力自動控制實現回流過程中翹曲晶圓的整平，大大提高回流工藝的成品率，...

本發明涉及一種碳化硅場效應晶體管結構，屬于功率半導體技術領域；包括漏極金屬電極、N+襯底區、第一N?漂移區、埋置P區、埋置N+區、埋置多晶硅、隔離介質層、第二N?漂移區、P?base區、N+源區、源極金屬電極、柵極多晶硅和柵極氧化層；埋...

本發明涉及一種碳化硅結勢壘肖特基二極管結構，屬于功率半導體技術領域；包括底部的陰極金屬層、N+襯底層、N型緩沖層、第一N?外延層、內置P型區、內置多晶硅、N+注入區、隔離介質層、第二N?外延層、P+區、肖特基接觸層、歐姆接觸層以及頂部的...

一種多通道傳感通用微系統，由多種傳感器、FPGA電路裸芯片、FPGA配置存儲器裸芯片、AD轉換電路裸芯片、基板、引出端組成，FPGA電路裸芯片、FPGA配置存儲器裸芯片、AD轉換電路裸芯片都組裝在基板上，并根據功能設計在基板上進行互聯，...

本發明涉及一種基于互補存儲單元的RRAM靈敏放大器電路，屬于非易失性存儲器電路設計技術領域，包括正向放大電路、反向放大電路、比較器、數據存儲單元和互補存儲單元。正向放大電路向數據存儲單元提供穩定的讀電壓，并放大位線電流，轉換為電壓信號；...

一種在軌錯誤率多模校驗方法、介質及設備，屬于空間環境工程和輻射效應技術領域，包括：確定單粒子截面模型；提取單粒子截面模型參數的關鍵參數，變換所述關鍵參數得到至少兩個新值，所述關鍵參數的原值和新值分別與單粒子截面模型參數中的其他參數組合獲...

一種MOSFET電磁輻射抗擾性測試方法，屬于半導體分立器件測試領域。本發明采用了MOSFET電磁兼容測試板設計以及合理的測試步驟：一方面采用MOSFET電磁兼容測試板，在保護外圍器件免受干擾的情況下，使得待測器件受到規定的電磁場干擾，從...

本發明屬于電路級抗輻射加固技術領域，具體涉及了一種低延時抗單粒子瞬態和單粒子翻轉的鎖存器電路，旨在解決傳統的鎖存器電路功耗、成本、適用性和延時難以滿足需求的問題。本發明包括：時鐘產生電路，鎖存器電路的信號輸入端分別連接至第一傳輸門電路、...

本發明屬于人工智能應用領域，涉及一種面向卷積神經網絡中大尺度運算的編譯器內存分配方法，使硬件加速器對大尺度神經網絡運算的高效執行。本發明包括一種面向卷積神經網絡算子的大尺度輸入/輸出的特征圖切分方法，根據提出的數據存儲方案，分析特征圖的...

一種基于存儲單元單向編程的存儲器寫保護電路，包括：寫保護配置信息存儲位，用于接收寫保護狀態配置信號IN1和IN2并存儲寫保護狀態配置數據；或非門讀取控制模塊用于接收IN1和IN2并控制寫保護配置信息存儲位中數據讀取通路的開閉；單向編程供...