本發明公開了一種磁控濺射真空鍍膜裝置，包括安裝在鍍膜腔室內的旋轉架和安裝在鍍膜腔室側壁上的一組以上靶材組件，旋轉架上安裝有多塊用于放置基片的矩形掛板，多塊矩形掛板環繞旋轉架的轉動軸線均勻間隔布置，各組靶材組件包括兩靶并排設置的靶材，每靶...

本發明公開了一種磁控濺射真空鍍膜裝置，包括安裝在鍍膜腔室內的旋轉架和安裝在鍍膜腔室側壁上的一組以上靶材組件，旋轉架上安裝有多塊用于放置基片的矩形掛板，多塊矩形掛板環繞旋轉架的轉動軸線均勻間隔布置，各組靶材組件包括兩靶并排設置的靶材，每靶...

本發明公開了一種臥式雙面鍍膜機，包括雙面鍍膜室和裝設于所述雙面鍍膜室內的轉盤，所述轉盤上沿周向布設有多個基片安裝位，各基片安裝位上均裝設有基片安裝盤，所述基片安裝盤上設有與基片適配的安裝孔，所述基片安裝盤沿周邊設有用于釋放熱應力的應力釋...

本發明公開了一種HUD高反射膜，包括PC基層、高反介質層以及設于PC基層與高反介質層之間的鍍鉻層和鍍鋁層，所述鍍鉻層與所述PC基層連接，所述鍍鋁層與高反介質層連接，所述鍍鉻層和鍍鋁層之間設有共鍵過渡疊層。該HUD高反射膜具有結構附著力強...

本發明公開了一種低阻高透ITO膜，包括SiO<subgt;2</subgt;基層，所述SiO<subgt;2</subgt;基層上附著低阻高透ITO層，所述低阻高透ITO層包括多層交替設置的ITO層和疏松SiO&...

本發明公開了一種用于磁控濺射鍍膜的等離子發生器及磁控濺射鍍膜機，用于磁控濺射鍍膜的等離子發生器，包括殼體和ICP線圈，所述殼體設有線圈安裝腔和等離子激發槽，所述線圈安裝腔圍繞等離子激發槽設置，所述ICP線圈裝設于線圈安裝腔內。磁控濺射鍍...

本實用新型公開了一種真空磁控濺射雙面鍍膜機，包括抽真空機構和鍍膜室，鍍膜室上設有磁控濺射系統和可轉動的水平布置的轉盤，轉盤位于鍍膜室內，轉盤上環形陣列布置有多個用于安裝基片的基片安裝位，磁控濺射系統包括至少一組上陰極磁控濺射組件和至少一...

本實用新型公開了一種真空磁控濺射雙面鍍膜系統，包括抽真空機構、入口室、加熱室、中轉室和鍍膜室，入口室、中轉室和鍍膜室依次連接，加熱室和中轉室連接，鍍膜室上設有磁控濺射系統和可轉動的水平布置的轉盤，轉盤位于鍍膜室內，轉盤上環形陣列布置有多...

本發明公開了一種真空磁控濺射臥式雙面鍍膜系統，包括抽真空機構、入口室、加熱室、中轉室和鍍膜室，入口室、中轉室和鍍膜室依次連接，加熱室和中轉室連接，鍍膜室上設有磁控濺射系統和可轉動的轉盤，轉盤上環形陣列布置有多個基片安裝位，磁控濺射系統包...

本發明提供了一種膜厚測試和均勻性調節方法，包括：步驟S1：在待測樣品上選定多個測試點；步驟S2：獲取多個測試點的反射率或透過率光譜圖；步驟S3：選定參考波長、參考光譜和波長點。步驟S4：通過光學模擬軟件模擬光譜曲線和光譜曲線對應的膜厚，...

本實用新型公開一種真空鍍膜用濺射陰極，其包括安裝板，所述安裝板的頂部設有驅動裝置，所述安裝板上設有左擋板以及右擋板，所述左擋板和所述右擋板與所述安裝板共同形成用于安裝靶管的容置腔，所述驅動裝置同時和所述左擋板和所述右擋板連接，以同時驅動...

本實用新型公開一種真空鍍膜工件架，其包括上支撐盤、下支撐盤以及連接柱，所述連接柱的上下兩端分別和所述上支撐盤和所述下支撐盤彼此相對的壁面連接以形成安裝間隙，所述安裝間隙內設有多個旋轉桶，所述旋轉桶的外壁面用于安裝待鍍膜工件；所述真空鍍膜...

本實用新型公開一種可調節可加偏壓工件架，其包括安裝底座、軸承座、轉動齒輪、旋轉主軸，轉動齒輪包括齒輪本體以及安裝軸，安裝軸一端伸入至轉動齒輪的軸心處，安裝軸的另一端與齒輪本體連接，旋轉主軸兩端分別設置在齒輪本體遠離安裝軸一側的軸心處和上...

本實用新型公開一種反向傾斜鍍膜裝置，其包括依次連通的第一隔離室、第一過渡室、第一鍍膜室、第二鍍膜室、第二過渡室以及第二隔離室，所述第一鍍膜室和所述第二鍍膜室均設置在底架上并與豎直方向形成3

本實用新型公開一種真空濺射鍍膜裝置，其包括鍍膜室，所述鍍膜室的上方和下方分別設有上陰極靶管以及下陰極靶管，所述鍍膜室的中部的兩側設有位于上陰極靶管和下陰極靶管之間的基片載盤，兩個所述基片載盤之間夾持有待鍍膜基片，所述鍍膜室上設有與所述基...

本發明公開一種磁控濺鍍真空室及其控制方法，磁控濺鍍真空室包括真空室，所述真空室呈環形，所述真空室內為真空腔，沿所述真空室的周向間隔設置有多個靶位，其中一個所述靶位設有離子源用于離子源轟擊，另外所述靶材設有NbOx靶材或In/Cr靶材，所...

本發明公開一種真空磁控鍍膜生產線及其鍍膜方法，真空磁控鍍膜生產線包括依次連通的進口室、進口緩沖室、進口過渡室、AR層鍍膜室、ITO層鍍膜室、出口過渡室、出口緩沖室以及出片室，形成連通的直線通道，真空磁控鍍膜生產線還包括基片傳送機構以及濺...

本發明涉及真空鍍膜技術領域，具體涉及一種大面積真空鍍膜的玻璃基片角度調節裝置，包括底板，設置在底板下表面用于支撐整個所述玻璃基片角度調節裝置的底座，固定于所述底板的后壁，固定于所述后壁上的頂板，所述底板、后壁和頂板構成開口狀，固定于后壁...

本發明公開一種真空濺射鍍膜裝置，真空濺射鍍膜裝置包括進口室、進口緩沖室、進口過渡室、鍍膜室、出口過渡室、出口緩沖室以及出片室，所述鍍膜室內部設有鍍膜腔，所述鍍膜腔內設有用于基片通過的移動間隙，所述移動間隙的兩側均設置有濺射陰極，所述鍍膜...

本發明公開一種真空磁控濺射鍍膜裝置、控制方法及計算機可讀存儲介質，真空磁控濺射鍍膜裝置的控制方法包括獲取用戶輸入的氣體輸入數據，根據所述氣體輸入數據調整第一氣體出口、第二氣體出口以及第三氣體出口的電控閥以改變濺射陰極的氧氣、氬氣以及氫氣...