本發(fā)明提供了ARC鍍膜生產(chǎn)線的傳送系統(tǒng)，ARC鍍膜生產(chǎn)線包括多個(gè)依次連接的箱體，多個(gè)箱體依次連接形成U形通道，所述傳送系統(tǒng)包括多組傳送組件，每個(gè)箱體內(nèi)布置一組傳送組件，多組傳送組件依次連接形成U形傳送路徑，每組傳送組件包括傳動(dòng)架、電源、...

本發(fā)明提供了用于ARC鍍膜生產(chǎn)線的基片架，用于裝載待鍍膜的基片，所述基片架在鍍膜生產(chǎn)線上運(yùn)行，包括基片架本體、框架組件和蓋板組件，框架組件連接基片架本體的各側(cè)邊，基片架本體上設(shè)有基片區(qū)，基片區(qū)包括彼此獨(dú)立的第一基片區(qū)、第二基片區(qū)和第三基...

本發(fā)明提供了一種ARC鍍膜生產(chǎn)線的基片架旋轉(zhuǎn)裝置，包括旋轉(zhuǎn)底座、傳動(dòng)底座、旋轉(zhuǎn)框架、固定部、回轉(zhuǎn)電機(jī)、兩組傳送機(jī)構(gòu)和一組導(dǎo)向機(jī)構(gòu)，固定部固定在相應(yīng)腔室內(nèi)，回轉(zhuǎn)電機(jī)安裝在固定部?jī)?nèi)，且回轉(zhuǎn)電機(jī)的電機(jī)軸連接旋轉(zhuǎn)底座的中心，旋轉(zhuǎn)底座安裝在固定部...

本發(fā)明提供了鍍膜機(jī)離子源總裝，包括殼體和安裝在殼體上的離子源，殼體為長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu)，殼體一面開口、具有容納腔，離子源位于所述殼體的容納腔內(nèi)，離子源的上端和下端各設(shè)有一個(gè)安裝柱，安裝柱穿過(guò)殼體，離子源通過(guò)兩個(gè)安裝柱架設(shè)在殼體上，殼體側(cè)面上設(shè)有...

本發(fā)明提供了用于鍍膜機(jī)的離子源，包括本體、限位柱和調(diào)節(jié)板，限位柱固定連接在本體的頂部，調(diào)節(jié)板一端設(shè)有安裝孔，另一端開設(shè)有多個(gè)弧形孔，不位于本體頂部的中心，鍍膜機(jī)的殼體的頂面設(shè)有通孔，限位柱穿過(guò)殼體頂面的通孔后再穿過(guò)調(diào)節(jié)板的安裝孔。本發(fā)明...

本發(fā)明公開了一種漸變色鍍膜機(jī)的鍍膜質(zhì)量控制方法，鍍膜機(jī)設(shè)有膜厚儀，所述膜厚儀包括晶振探頭和膜厚控制儀主機(jī)，晶振探頭固定在工件轉(zhuǎn)架的側(cè)面，所述膜厚儀實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)膜厚，每層鍍膜后，如果膜厚儀檢測(cè)到膜厚小于預(yù)設(shè)膜厚，則繼續(xù)進(jìn)行同色系濺射；如果膜厚...

本發(fā)明公開了一種鍍膜機(jī)自動(dòng)控制膜厚度的方法，所述的方法包括：步驟a)待鍍膜基片通過(guò)基片架傳輸至真空鍍膜室，啟動(dòng)真空泵直至真空鍍膜室內(nèi)真空度達(dá)2.65×10?3MPa；步驟b)厚度傳感器初測(cè)原始基片厚度后向數(shù)據(jù)處理器發(fā)送初始數(shù)據(jù)，開啟基片...

本發(fā)明公開一種用于雙室磁控鍍膜機(jī)的前處理室，用于雙室磁控鍍膜機(jī)的前處理室包括呈矩形的前處理倉(cāng)，所述前處理倉(cāng)具有用于容置承載有工件的承載架的處理腔室，所述前處理室能夠與鍍膜室連通，在所述處理腔室的內(nèi)部設(shè)有四個(gè)加熱組件，四個(gè)所述加熱組件分設(shè)...

本發(fā)明公開一種磁控下濺射鍍膜機(jī)，磁控下濺射鍍膜機(jī)包括安裝支架、濺射陰極以安裝架，所述安裝架設(shè)置在所述安裝支架內(nèi)部上方，所述濺射陰極設(shè)置在所述安裝支架內(nèi)部并位于所述安裝架的下方，所述安裝架用于安裝工件，所述安裝架能夠帶動(dòng)所述工件旋轉(zhuǎn)。本發(fā)...

本發(fā)明公開一種應(yīng)用于狹窄空間的三室鍍膜機(jī)，應(yīng)用于狹窄空間的三室鍍膜機(jī)包括第一流轉(zhuǎn)平臺(tái)、第一處理室、鍍膜室、第二處理室、第二流轉(zhuǎn)平臺(tái)、連接平臺(tái)以及多個(gè)承載架，所述鍍膜室的兩側(cè)分別與所述第一處理室和所述第二處理室連通，所述第一處理室遠(yuǎn)離所述...

本發(fā)明公開一種管狀工件鍍膜機(jī)，管狀工件鍍膜機(jī)包括內(nèi)部具有鍍膜腔的鍍膜倉(cāng)、滑動(dòng)設(shè)置在所述鍍膜腔內(nèi)的工件架以及與所述工件架連接以驅(qū)動(dòng)所述工件架沿所述鍍膜倉(cāng)的長(zhǎng)度方向滑動(dòng)的第一驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述工件架上承載有至少一管狀工件，沿所述鍍膜倉(cāng)的長(zhǎng)度方向...

本發(fā)明公開一種磁控濺射鍍膜裝置，磁控濺射鍍膜裝置包括殼體、設(shè)置于所述殼體頂部的真空組件、設(shè)置于所述殼體外側(cè)壁的多個(gè)濺射陰極，所述殼體內(nèi)部開設(shè)有用于容納承載有工件的承載架的鍍膜腔體，所述真空組件與所述鍍膜腔體連通以抽取所述鍍膜腔體的氣體，...

本發(fā)明公開一種多工位雙室鍍膜機(jī)，多工位雙室鍍膜機(jī)包括第一工件臺(tái)、第二工件臺(tái)、流轉(zhuǎn)臺(tái)、處理室、鍍膜室以及多個(gè)承載架，所述第二工件臺(tái)與所述第一工件臺(tái)的一側(cè)連通，所述第一工件臺(tái)的另一側(cè)與所述流轉(zhuǎn)臺(tái)的一側(cè)連通，所述流轉(zhuǎn)臺(tái)的另一側(cè)與所述處理室連通...

本發(fā)明公開一種便于工件流轉(zhuǎn)的鍍膜機(jī)，便于工件流轉(zhuǎn)的鍍膜機(jī)包括第一流轉(zhuǎn)平臺(tái)、第一處理室、鍍膜室、第二處理室、第二流轉(zhuǎn)平臺(tái)以及多個(gè)承載架，所述鍍膜室的兩側(cè)分別與所述第一處理室和所述第二處理室連通，所述第一處理室遠(yuǎn)離所述鍍膜室的一側(cè)與所述第一...

本發(fā)明公開一種雙室高效鍍膜機(jī)，雙室高效鍍膜機(jī)包括運(yùn)輸臺(tái)以及鍍膜系統(tǒng)，所述運(yùn)輸臺(tái)與所述鍍膜系統(tǒng)相連通，所述鍍膜系統(tǒng)包括第一處理室以及第二處理室，所述第一處理室與所述運(yùn)輸臺(tái)連通，所述運(yùn)輸臺(tái)用于承載工件并將所述工件傳輸至所述第一處理室中，所述...

本發(fā)明公開一種用于磁控濺射鍍膜機(jī)的承載裝置，用于磁控濺射鍍膜機(jī)的承載裝置包括第一安裝盤、第二安裝盤以及多個(gè)安裝筒，所述第一安裝盤和所述第二安裝盤沿上下方向間隔設(shè)置，多個(gè)所述安裝筒的兩端分別與所述第一安裝盤和所述第二安裝盤的相面對(duì)的壁面連...

本發(fā)明公開了一種漸變色彩色鍍膜機(jī)及其鍍膜方法，所述方法包括：將目標(biāo)漸變色需求輸入至計(jì)算機(jī)設(shè)備得到仿真模擬結(jié)果；在鍍膜基片桶上貼上待鍍膜的鍍膜基片，并根據(jù)所述仿真模擬結(jié)果通過(guò)鐵片對(duì)待工作靶材進(jìn)行遮擋；控制器啟動(dòng)真空機(jī)對(duì)所述鍍膜機(jī)進(jìn)行抽真空...

本發(fā)明公開了一種多室連續(xù)光學(xué)鍍膜機(jī)，所述鍍膜機(jī)包括運(yùn)轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、至少一個(gè)傳送部、至少一個(gè)前室，以及至少一個(gè)鍍膜室，鍍件設(shè)于一工件轉(zhuǎn)架上，所述傳送部與前室銜接，所述前室與鍍膜室銜接，所述傳送部、前室和鍍膜室形成鍍件的鍍膜通道，所述前室與鍍膜室...

本實(shí)用新型提供了一種曲面屏磁控濺射組件，包括公自轉(zhuǎn)傘具轉(zhuǎn)架和多組陰極組件，多組陰極組件與公自轉(zhuǎn)傘具轉(zhuǎn)架不接觸，多組陰極組件沿公自轉(zhuǎn)傘具轉(zhuǎn)架的周向分布，每組陰極組件包括兩個(gè)陰極裝置，每個(gè)陰極裝置包括磁棒，每組陰極組件的兩個(gè)磁棒的磁場(chǎng)方向可...

本實(shí)用新型提供了一種ARC鍍膜生產(chǎn)線，包括呈直線依次連接的旋轉(zhuǎn)臺(tái)、進(jìn)出口室、緩沖室、前過(guò)渡室、工藝室組、后過(guò)渡室和旋轉(zhuǎn)室，工藝室組包括至少一個(gè)工藝室，進(jìn)出口室、緩沖室、前過(guò)渡室、工藝室和后過(guò)渡室均沿著所述直線方向?qū)ΨQ分隔成兩個(gè)腔室，形成...