多指狀晶體管的電阻計算方法及多指狀晶體管的仿真方法技術

本申請公開了一種多指狀晶體管的電阻計算方法及多指狀晶體管的仿真方法。該多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各柵極的兩側的源極和漏極，且源極和漏極依次間隔設置，該多指狀晶體管包括nf個柵極，多指狀晶體管在平行于柵極的延伸方向上的源漏電阻寬度為w，nf≥2，該計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，nrd為多指狀晶體管的漏極方塊電阻，Ld為各漏極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和；nrs＝Ls/nf/w，nrs為多指狀晶體管的源極方塊電阻，Ls為各源極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和。利用該計算方法實現了準確地對晶體管進行仿真的目的。

Resistance calculation method of multi finger transistor and simulation method of multi finger transistor

The present invention discloses a method for calculating the resistance of a multi finger transistor and a simulation method for a multi finger transistor. The multi finger transistor includes a plurality of gate are sequentially arranged on both sides, and set up at the gate of the source and drain and source and drain electrodes are arranged at intervals, the multi finger transistor includes a gate NF transistor, multi finger in the direction parallel to the gate source and drain resistance width for W, NF = 2, the method includes the following formula: NRD = Ld/nf/w, NRD refers to the sheetresistance like transistor leakage, leakage resistance Ld for each length in the direction perpendicular to the gate of NRs = Ls/nf/w, NRS; for multi finger transistor source side block Ls is the source of resistance, resistance in the direction perpendicular to the length of the gate and. The method is used to simulate transistors accurately.

【技術實現步驟摘要】
多指狀晶體管的電阻計算方法及多指狀晶體管的仿真方法
本申請涉及半導體集成電路的
，具體而言，涉及一種多指狀晶體管的電阻計算方法及多指狀晶體管的仿真方法。
技術介紹
晶體管是半導體集成電路中一種重要的半導體器件，它在集成電路工藝領域中被廣泛的應用。為了預測晶體管器件在其所處的環境中的性能和可靠性，需要對晶體管進行仿真。器件仿真在集成電路設計中具有非常重要的作用，它可大大縮短產品的設計生產周期、提高產品的成品率以及節省成本等。多指狀晶體管通常由多個晶體管組成，即多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各柵極的兩側的源極和漏極，且源極和漏極依次間隔設置。多指狀晶體管的源漏飽和電流(Ids)隨著源漏極的電阻寬度和柵極的個數的增加而呈非線性減少。因此，目前現有技術中還沒有計算多指狀晶體管的源極方塊電阻(nrs)和漏極方塊電阻(nrd)的方法，從而導致無法準確地對晶體管進行仿真。
技術實現思路
本申請旨在提供一種多指狀晶體管的電阻計算方法及多指狀晶體管的仿真方法，以準確地計算多指狀晶體管的源極方塊電阻和漏極方塊電阻。為了實現上述目的，本申請提供了一種多指狀晶體管的電阻計算方法，該多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各柵極的兩側的源極和漏極，且源極和漏極依次間隔設置，其特征在于，多指狀晶體管包括nf個柵極，多指狀晶體管在平行于柵極的延伸方向上的源漏電阻寬度為w，nf≥2，且該電阻計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd為多指狀晶體管的漏極方塊電阻，Ld為各漏極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs為多指狀晶體管的源極方塊電阻，Ls為各源極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和。進一步地，nf為偶數，多指狀晶體管包括nf/2個漏極和nf/2+1個源極，且位于所有柵極的外側的兩個源極的電阻長度分別為sa和sb，相鄰柵極之間的電阻長度為sd，計算方法包括以下公式：Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×sd)/nf/w＝sd/(2w)；Ls＝sa+sb+(nf/2-1)×sd，且nrs＝(sa+sb+(nf/2-1)×sd)/nf/w。進一步地，nf≥4，且sa＝sb。進一步地，nf為奇數，位于所有柵極的外側的漏極的電阻長度為sb，位于所有柵極的外側的源極的電阻長度為sb，相鄰柵極之間的電阻長度為sd，計算方法包括以下公式：Ld＝(nf-1)/2*sd+sa，且nrd＝((nf-1)/2*sd+sa)/nf/w；Ls＝(nf-1)/2*sd+sb，且nrs＝((nf-1)/2*sd+sa)/nf/w。進一步地，nf≥3，且sa＝sb。進一步地，該計算方法還包括利用漏極方塊電阻和源極方塊電阻計算多指狀晶體管的源漏電阻的步驟。本申請還提供了一種多指狀晶體管的仿真方法，包括采用多指狀晶體管的漏極方塊電阻和多指狀晶體管的源極方塊電阻對多指狀晶體管的源漏飽和電流和多指狀晶體管的源漏電壓之間的關系曲線進行仿真的步驟，其特征在于，多指狀晶體管的漏極方塊電阻和多指狀晶體管的源極方塊電阻由本申請提供的電阻計算方法計算獲得。進一步地，采用Spice軟件進行仿真。進一步地，仿真處理的步驟中，柵極電壓為0.5～1.2V。進一步地，多指狀晶體管的制程為40nm或28nm。應用本申請的技術方案，本申請提供的多指狀晶體管的電阻計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，以及nrs＝Ls/nf/w，利用該公式能夠準確地計算多指狀晶體管的源極方塊電阻和漏極方塊電阻，從而實現準確地對晶體管進行仿真的目的。附圖說明構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本申請的進一步理解，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：圖1示出了本申請一種優選實施方式所提供的多指狀晶體管的電阻計算方法中，多指狀晶體管的剖面結構示意圖；圖2示出了本申請另一種優選實施方式所提供的多指狀晶體管的電阻計算方法中，多指狀晶體管的剖面結構示意圖；以及圖3示出了本申請實施方式所提供的多指狀晶體管的仿真方法的仿真結果圖。具體實施方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本申請。需要注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施方式，而非意圖限制根據本申請的示例性實施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括復數形式，此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。為了便于描述，在這里可以使用空間相對術語，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個器件或特征與其他器件或特征的空間位置關系。應當理解的是，空間相對術語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構造上方”或“在其他器件或構造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構造下方”或“在其他器件或構造之下”。因而，示例性術語“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉90度或處于其他方位)，并且對這里所使用的空間相對描述作出相應解釋。正如
技術介紹
中所介紹的，現有技術中還沒有計算多指狀晶體管的源極方塊電阻(nrs)和漏極方塊電阻(nrd)的方法，從而導致無法準確地對晶體管進行仿真。本申請的專利技術人針對上述問題進行研究，提出了一種多指狀晶體管的電阻計算方法，該多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各柵極的兩側的源極和漏極，且源極和漏極依次間隔設置，且多指狀晶體管包括nf個柵極，多指狀晶體管在平行于柵極的延伸方向上的源漏電阻寬度為w，nf≥2，且該電阻計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd為多指狀晶體管的漏極方塊電阻，Ld為各漏極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs為多指狀晶體管的源極方塊電阻，Ls為各源極在垂直于柵極的延伸方向上的電阻長度之和。本申請提供的多指狀晶體管的電阻計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，以及nrs＝Ls/nf/w，利用該公式能夠準確地計算多指狀晶體管的源極方塊電阻和漏極方塊電阻，從而實現準確地對晶體管進行仿真的目的。下面將更詳細地描述本申請提供的多指狀晶體管的電阻計算方法的示例性實施方式。然而，這些示例性實施方式可以由多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的實施方式。應當理解的是，提供這些實施方式是為了使得本申請的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施方式的構思充分傳達給本領域普通技術人員上述電阻計算方法中，nf可以為偶數或奇數，且當nf為偶數或奇數時電阻計算方法的公式有所不同。在一種優選的實施方式中，如圖1所示，nf為偶數，多指狀晶體管包括nf/2個漏極和nf/2+1個源極，且位于所有柵極的外側的兩個源極的電阻長度分別為sa和sb，相鄰柵極之間的電阻長度為sd，計算方法包括以下公式：Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種多指狀晶體管的電阻計算方法，所述多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各所述柵極的兩側的源極和漏極，且所述源極和所述漏極依次間隔設置，其特征在于，所述多指狀晶體管包括nf個所述柵極，所述多指狀晶體管在平行于所述柵極的延伸方向上的源漏電阻寬度為w，nf≥2，且所述電阻計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd為所述多指狀晶體管的漏極方塊電阻，Ld為各所述漏極在垂直于所述柵極的延伸方向上的電阻長度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs為所述多指狀晶體管的源極方塊電阻，Ls為各所述源極在垂直于所述柵極的延伸方向上的電阻長度之和。

【技術特征摘要】
1.一種多指狀晶體管的電阻計算方法，所述多指狀晶體管包括依次設置的多個柵極，以及設置于各所述柵極的兩側的源極和漏極，且所述源極和所述漏極依次間隔設置，其特征在于，所述多指狀晶體管包括nf個所述柵極，所述多指狀晶體管在平行于所述柵極的延伸方向上的源漏電阻寬度為w，nf≥2，且所述電阻計算方法包括以下公式：nrd＝Ld/nf/w，其中，nrd為所述多指狀晶體管的漏極方塊電阻，Ld為各所述漏極在垂直于所述柵極的延伸方向上的電阻長度之和；以及nrs＝Ls/nf/w，其中，nrs為所述多指狀晶體管的源極方塊電阻，Ls為各所述源極在垂直于所述柵極的延伸方向上的電阻長度之和。2.根據權利要求1所述的電阻計算方法，其特征在于，nf為偶數，所述多指狀晶體管包括nf/2個所述漏極和nf/2+1個所述源極，且位于所有所述柵極的外側的兩個所述源極的電阻長度分別為sa和sb，相鄰所述柵極之間的電阻長度為sd，所述計算方法包括以下公式：Ld＝(nf/2×sd)，且nrd＝(nf/2×sd)/nf/w＝sd/(2w)；Ls＝sa+sb+(nf/2-1)×sd，且nrs＝(sa+sb+(nf/2-1)×sd)/nf/w。3.根據權利要求2所述的電阻計算方法，其特征在于，nf≥4，且sa＝sb。4.根據權利要求1所述的電阻計算方法，其特征在于，nf為奇數，位...

【專利技術屬性】
技術研發人員：何丹，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海,31