一種改進型帶狀線型大功率微波開關及其制作方法技術

本發明專利技術公開了一種改進型帶狀線型大功率微波開關及其制作方法，其中，該開關包括第一高頻插座、第二高頻插座、第三高頻插座、微波開關盒體、中心導體芯線、上蓋板、第一同軸型PIN二極管、第二同軸型PIN二極管、第三同軸型PIN二極管、第四同軸型PIN二極管、第一微波結構電容、第二微波結構電容、第三微波結構電容、第四微波結構電容、第一銅箔、第二銅箔、第三銅箔、第四銅箔、第一穿心電容、第二穿心電容、第三穿心電容、第四穿心電容、第一線繞電感、第二線繞電感、第三線繞電感、第四線繞電感、驅動控制PCB板、第一玻璃絕緣子、第二玻璃絕緣子、第三玻璃絕緣子、第四玻璃絕緣子和下蓋板。本發明專利技術減小了開關的插入損耗、提高了開關的承載大功率。

Improved band type high power microwave switch and manufacturing method thereof

The invention discloses an improved stripline type high power microwave switch and its manufacturing method, wherein, the switch comprises a first high-frequency socket, second high-frequency socket, third high frequency microwave switch socket, a box body, a center conductor wire, an upper cover plate, the first type PIN coaxial diode, second coaxial diode, third PIN coaxial type PIN fourth coaxial type diode, the PIN diode, the first microwave structure capacitor, capacitor, second microwave structure third microwave structure capacitor, capacitor, the first fourth microwave structure of copper foil, copper foil, copper foil, second third fourth copper foil, the first capacitor and second capacitor and third capacitor and fourth capacitor, the first line, second line winding inductor around third line inductance, winding inductor, fourth winding inductance, PCB drive control board, the first and second insulating glass glass insulator Sub, third glass insulator, fourth glass insulator and lower cover plate. The invention reduces the insertion loss of the switch and improves the power carrying capacity of the switch.

【技術實現步驟摘要】
一種改進型帶狀線型大功率微波開關及其制作方法
本專利技術涉及大功率微波器件
，尤其涉及一種改進型帶狀線型大功率微波開關及其制作方法。
技術介紹
微波開關通常采用微帶線作為傳輸載體，二極管也多采用裸芯芯片，傳輸主線上一般都設有隔直電容，以隔斷驅動電路驅動電流，因此器件承載的功率就非常有限，插入損耗也比較大，同時裝配工藝要求也比較苛刻，而大功率的波導微波開關，雖然能承受比較大的功率，但是在頻段比較低(C波段以下)時，體積、重量就比較大，轉換時間一般較長，焊接工藝要求高，可靠性難以保障。
技術實現思路
本專利技術解決的技術問題是：相比于現有技術，提供了一種改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，減小了開關的插入損耗、提高了開關的承載大功率。本專利技術目的通過以下技術方案予以實現：一種改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，所述方法包括以下步驟：步驟一：將第一高頻插座、第二高頻插座、第三高頻插座與微波開關盒體相連接；步驟二：將中心導體芯線與安裝在盒體上的第一高頻插座的芯線、第二高頻插座的芯線、第三高頻插座的芯線焊接，并將中心導體芯線位于盒體內腔，把上蓋板和盒體相連接；步驟三：將第一同軸型PIN二極管、第二同軸型PIN二極管、第三同軸型PIN二極管、第四同軸型PIN二極管與盒體相連接，并位于盒體的內腔內；步驟四：將第一微波結構電容設置于中心導體芯線的A位置，第二微波結構電容設置于中心導體芯線的B位置、第三微波結構電容設置于中心導體芯線的C位置、第四微波結構電容設置于中心導體芯線的D位置；步驟五：將第一銅箔的一端與第一微波結構電容相連接，將第一銅箔的另一端與第一同軸型PIN二極管相連接；將第二銅箔的一端與第二微波結構電容相連接，將第二銅箔的另一端與第二同軸型PIN二極管相連接；將第三銅箔的一端與第三微波結構電容相連接，將第三銅箔的另一端與第三同軸型PIN二極管相連接；將第四銅箔的一端與第四微波結構電容相連接，將第四銅箔的另一端與第四同軸型PIN二極管相連接；步驟六：將第一穿心電容、第二穿心電容、第三穿心電容和第四穿心電容設置于盒體的內腔，第一線繞電感的一端與第一同軸型PIN二極管相連接，第一線繞電感的另一端與第一穿心電容相連接；第二線繞電感的一端與第二同軸型PIN二極管相連接，第二線繞電感的另一端與第二穿心電容相連接；第三線繞電感的一端與第三同軸型PIN二極管相連接，第三線繞電感的另一端與第三穿心電容相連接；第四線繞電感的一端與第四同軸型PIN二極管相連接，第四線繞電感的另一端與第四穿心電容相連接；步驟七：將驅動控制PCB板與盒體相連接并位于盒體的內腔，將第一穿心電容、第二穿心電容、第三穿心電容和第四穿心電容與驅動控制PCB板的電壓輸出端口電連接；步驟八：將第一玻璃絕緣子、第三玻璃絕緣子設置于盒體上并與驅動控制PCB板的電壓輸入端口相連接，將第二玻璃絕緣子、第四玻璃絕緣子設置于盒體上并與驅動控制PCB板的TTL控制輸入端口相連接。步驟九：將下蓋板與盒體相連接。上述改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法中，在步驟二中，中心導體芯線包括豎部、橫部、第三部和第四部，其中，豎部的一端與橫部的中間位置相連接，橫部的一端與第三部相連接，橫部的另一端與第四部相連接，第三部與第四部關于豎部的軸線對稱。上述改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法中，所述豎部的一端與第一高頻插座的芯線焊接，所述第三部的一端與第二高頻插座的芯線焊接，所述第四部的一端與第三高頻插座的芯線焊接。上述改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法中，在步驟三中，第一同軸型PIN二極管設置于第三部的右端，第二同軸型PIN二極管設置于第四部的左端，第一同軸型PIN二極管與第二同軸型PIN二極管關于豎部的軸線對稱。上述改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法中，在步驟三中，第三同軸型PIN二極管、第四同軸型PIN二極管關于豎部的軸線對稱。上述改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法中，在步驟六中，第一穿心電容設置于第三部的右端，第二穿心電容設置于第四部的左端，第一穿心電容與第二穿心電容關于豎部的軸線對稱。上述改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法中，在步驟六中，第三穿心電容和第四穿心電容關于豎部的軸線對稱。本專利技術還提供了一種改進型帶狀線型大功率微波開關，包括：第一高頻插座、第二高頻插座、第三高頻插座、微波開關盒體、中心導體芯線、上蓋板、第一同軸型PIN二極管、第二同軸型PIN二極管、第三同軸型PIN二極管、第四同軸型PIN二極管、第一微波結構電容、第二微波結構電容、第三微波結構電容、第四微波結構電容、第一銅箔、第二銅箔、第三銅箔、第四銅箔、第一穿心電容、第二穿心電容、第三穿心電容、第四穿心電容、第一線繞電感、第二線繞電感、第三線繞電感、第四線繞電感、驅動控制PCB板、第一玻璃絕緣子、第二玻璃絕緣子、第三玻璃絕緣子、第四玻璃絕緣子和下蓋板；其中，第一高頻插座、第二高頻插座、第三高頻插座與微波開關盒體相連接；中心導體芯線與安裝在盒體上的第一高頻插座的芯線、第二高頻插座的芯線、第三高頻插座的芯線焊接，上蓋板和盒體相連接，其中，中心導體芯線位于盒體內腔；第一同軸型PIN二極管、第二同軸型PIN二極管、第三同軸型PIN二極管、第四同軸型PIN二極管與盒體相連接，并位于盒體的內腔內；第一微波結構電容設置于中心導體芯線的A位置，第二微波結構電容設置于中心導體芯線的B位置、第三微波結構電容設置于中心導體芯線的C位置、第四微波結構電容設置于中心導體芯線的D位置；第一銅箔的一端與第一微波結構電容相連接，第一銅箔的另一端與第一同軸型PIN二極管相連接；第二銅箔的一端與第二微波結構電容相連接，第二銅箔的另一端與第二同軸型PIN二極管相連接；第三銅箔的一端與第三微波結構電容相連接，第三銅箔的另一端與第三同軸型PIN二極管相連接；第四銅箔的一端與第四微波結構電容相連接，第四銅箔的另一端與第四同軸型PIN二極管相連接；第一穿心電容、第二穿心電容、第三穿心電容和第四穿心電容設置于盒體的內腔，第一線繞電感的一端與第一同軸型PIN二極管相連接，第一線繞電感的另一端與第一穿心電容相連接；第二線繞電感的一端與第二同軸型PIN二極管相連接，第二線繞電感的另一端與第二穿心電容相連接；第三線繞電感的一端與第三同軸型PIN二極管相連接，第三線繞電感的另一端與第三穿心電容相連接；第四線繞電感的一端與第四同軸型PIN二極管相連接，第四線繞電感的另一端與第四穿心電容相連接；驅動控制PCB板與盒體相連接并位于盒體的內腔，將第一穿心電容、第二穿心電容、第三穿心電容和第四穿心電容與驅動控制PCB板的電壓輸出端口電連接；第一玻璃絕緣子、第三玻璃絕緣子設置于盒體上并與驅動控制PCB板的電壓輸入端口相連接，將第二玻璃絕緣子、第四玻璃絕緣子設置于盒體上并與驅動控制PCB板的TTL控制輸入端口相連接。上述改進型帶狀線型大功率微波開關中，中心導體芯線包括豎部、橫部、第三部和第四部，其中，豎部)的一端與橫部的中間位置相連接，橫部的一端與第三部相連接，橫部的另一端與第四部相連接，第三部與第四部關于豎部的軸線對稱。上述改進型帶狀線型大功率微波開關中，所述豎部的一端與第一高頻插座的芯線焊接，所述第三部的一端與第二高頻插座的芯線焊接，所述第四部的一端與本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：步驟一：將第一高頻插座(21)、第二高頻插座(22)、第三高頻插座(23)與微波開關盒體(1)相連接；步驟二：將中心導體芯線(2)與安裝在盒體(1)上的第一高頻插座(21)的芯線、第二高頻插座(22)的芯線、第三高頻插座(23)的芯線焊接，并將中心導體芯線(2)位于盒體(1)內腔，把上蓋板(11)和盒體(1)相連接；步驟三：將第一同軸型PIN二極管(31)、第二同軸型PIN二極管(32)、第三同軸型PIN二極管(33)、第四同軸型PIN二極管(34)與盒體(1)相連接，并位于盒體(1)的內腔內；步驟四：將第一微波結構電容(41)設置于中心導體芯線(2)的A位置，第二微波結構電容(42)設置于中心導體芯線(2)的B位置、第三微波結構電容(43)設置于中心導體芯線(2)的C位置、第四微波結構電容(44)設置于中心導體芯線(2)的D位置；步驟五：將第一銅箔(71)的一端與第一微波結構電容(41)相連接，將第一銅箔(71)的另一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接；將第二銅箔(72)的一端與第二微波結構電容(42)相連接，將第二銅箔(72)的另一端與第二同軸型PIN二極管(32)相連接；將第三銅箔(73)的一端與第三微波結構電容(43)相連接，將第三銅箔(73)的另一端與第三同軸型PIN二極管(33)相連接；將第四銅箔(74)的一端與第四微波結構電容(44)相連接，將第四銅箔(74)的另一端與第四同軸型PIN二極管(34)相連接；步驟六：將第一穿心電容(51)、第二穿心電容(52)、第三穿心電容(53)和第四穿心電容(54)設置于盒體(1)的內腔，第一線繞電感(61)的一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接，第一線繞電感(61)的另一端與第一穿心電容(51)相連接；第二線繞電感(62)的一端與第二同軸型PIN二極管(32)相連接，第二線繞電感(62)的另一端與第二穿心電容(52)相連接；第三線繞電感(63)的一端與第三同軸型PIN二極管(33)相連接，第三線繞電感(63)的另一端與第三穿心電容(53)相連接；第四線繞電感(64)的一端與第四同軸型PIN二極管(34)相連接，第四線繞電感(64)的另一端與第四穿心電容(54)相連接；步驟七：將驅動控制PCB板(3)與盒體(1)相連接并位于盒體(1)的內腔，將第一穿心電容(51)、第二穿心電容(52)、第三穿心電容(53)和第四穿心電容(54)與驅動控制PCB板(3)的電壓輸出端口電連接；步驟八：將第一玻璃絕緣子(81)、第三玻璃絕緣子(83)設置于盒體(1)上并與驅動控制PCB板(3)的電壓輸入端口相連接，將第二玻璃絕緣子(82)、第四玻璃絕緣子(84)設置于盒體(1)上并與驅動控制PCB板(3)的TTL控制輸入端口相連接。步驟九：將下蓋板(12)與盒體(1)相連接。...

【技術特征摘要】
1.一種改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：步驟一：將第一高頻插座(21)、第二高頻插座(22)、第三高頻插座(23)與微波開關盒體(1)相連接；步驟二：將中心導體芯線(2)與安裝在盒體(1)上的第一高頻插座(21)的芯線、第二高頻插座(22)的芯線、第三高頻插座(23)的芯線焊接，并將中心導體芯線(2)位于盒體(1)內腔，把上蓋板(11)和盒體(1)相連接；步驟三：將第一同軸型PIN二極管(31)、第二同軸型PIN二極管(32)、第三同軸型PIN二極管(33)、第四同軸型PIN二極管(34)與盒體(1)相連接，并位于盒體(1)的內腔內；步驟四：將第一微波結構電容(41)設置于中心導體芯線(2)的A位置，第二微波結構電容(42)設置于中心導體芯線(2)的B位置、第三微波結構電容(43)設置于中心導體芯線(2)的C位置、第四微波結構電容(44)設置于中心導體芯線(2)的D位置；步驟五：將第一銅箔(71)的一端與第一微波結構電容(41)相連接，將第一銅箔(71)的另一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接；將第二銅箔(72)的一端與第二微波結構電容(42)相連接，將第二銅箔(72)的另一端與第二同軸型PIN二極管(32)相連接；將第三銅箔(73)的一端與第三微波結構電容(43)相連接，將第三銅箔(73)的另一端與第三同軸型PIN二極管(33)相連接；將第四銅箔(74)的一端與第四微波結構電容(44)相連接，將第四銅箔(74)的另一端與第四同軸型PIN二極管(34)相連接；步驟六：將第一穿心電容(51)、第二穿心電容(52)、第三穿心電容(53)和第四穿心電容(54)設置于盒體(1)的內腔，第一線繞電感(61)的一端與第一同軸型PIN二極管(31)相連接，第一線繞電感(61)的另一端與第一穿心電容(51)相連接；第二線繞電感(62)的一端與第二同軸型PIN二極管(32)相連接，第二線繞電感(62)的另一端與第二穿心電容(52)相連接；第三線繞電感(63)的一端與第三同軸型PIN二極管(33)相連接，第三線繞電感(63)的另一端與第三穿心電容(53)相連接；第四線繞電感(64)的一端與第四同軸型PIN二極管(34)相連接，第四線繞電感(64)的另一端與第四穿心電容(54)相連接；步驟七：將驅動控制PCB板(3)與盒體(1)相連接并位于盒體(1)的內腔，將第一穿心電容(51)、第二穿心電容(52)、第三穿心電容(53)和第四穿心電容(54)與驅動控制PCB板(3)的電壓輸出端口電連接；步驟八：將第一玻璃絕緣子(81)、第三玻璃絕緣子(83)設置于盒體(1)上并與驅動控制PCB板(3)的電壓輸入端口相連接，將第二玻璃絕緣子(82)、第四玻璃絕緣子(84)設置于盒體(1)上并與驅動控制PCB板(3)的TTL控制輸入端口相連接。步驟九：將下蓋板(12)與盒體(1)相連接。2.根據權利要求1所述的改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于：在步驟二中，中心導體芯線(2)包括豎部(210)、橫部(220)、第三部(230)和第四部(240)，其中，豎部(210)的一端與橫部(220)的中間位置相連接，橫部(220)的一端與第三部(230)相連接，橫部(220)的另一端與第四部(240)相連接，第三部(230)與第四部(240)關于豎部(210)的軸線對稱。3.根據權利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于：所述豎部(210)的一端與第一高頻插座(21)的芯線焊接，所述第三部(230)的一端與第二高頻插座(22)的芯線焊接，所述第四部(240)的一端與第三高頻插座(23)的芯線焊接。4.根據權利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于：在步驟三中，第一同軸型PIN二極管(31)設置于第三部(230)的右端，第二同軸型PIN二極管(32)設置于第四部(240)的左端，第一同軸型PIN二極管(31)與第二同軸型PIN二極管(32)關于豎部(210)的軸線對稱。5.根據權利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于：在步驟三中，第三同軸型PIN二極管(33)、第四同軸型PIN二極管(34)關于豎部(210)的軸線對稱。6.根據權利要求2所述的改進型帶狀線型大功率微波開關的制作方法，其特征在于：在步驟六中，第一穿心電容(51)設置于第三部(230)的右端，第二穿心電容(52)設置于第四部(240)的左端，第一穿心電容(51)與第二穿心電容(52)關于豎部(21...

【專利技術屬性】
技術研發人員：丁四如，
申請(專利權)人：北京遙測技術研究所，航天長征火箭技術有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11