一種蒸鍍掩膜版、其制作方法、電磁蒸鍍裝置及蒸鍍方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種蒸鍍掩膜版、其制作方法、電磁蒸鍍裝置及蒸鍍方法，用以解決現(xiàn)有的電磁蒸鍍裝置中，由于重力的作用蒸鍍掩膜版的中間位置下垂較多，蒸鍍材料容易在間隙處發(fā)生衍射的問題。該蒸鍍掩膜版包括：掩膜版主體，設(shè)置在掩膜版主體上的多個開口；每個開口作為一個蒸鍍區(qū)，除了開口之外的其它掩膜版主體作為遮擋區(qū)；在遮擋區(qū)設(shè)置有第一凹槽；第一凹槽中填充有磁性材料、且磁性材料的磁性強于掩膜版主體材料的磁性。在蒸鍍掩膜版主體上設(shè)置了第一凹槽，并在第一凹槽中填充有磁性較強的磁性材料，因而能夠增加電磁蒸鍍裝置中電磁裝置對蒸鍍掩膜版的吸附力度，可以減小蒸鍍掩膜版和待蒸鍍基板之間的間隙，避免蒸鍍材料在間隙處發(fā)生衍射。

Evaporation mask plate, method for producing the same, electromagnetic evaporation device and evaporation method

The invention relates to a vapor deposition mask and its manufacturing method, electromagnetic device and method for deposition, in order to solve the existing electromagnetic evaporation device, because of the gravity deposition mask middle sagging evaporation materials more prone to diffraction at the gap problem. The evaporation mask comprises a mask main body is provided with a plurality of openings in the mask main body; each opening as an evaporation zone, in addition to other mask opening of the main body outside the occlusion area; in the occlusion region is provided with a first groove; the first magnetic groove filled with magnetic material, ferromagnetic and magnetic material on the mask body material. The first groove arranged on the evaporation mask body, and a strong magnetic material filled in the first groove, so as to increase the electromagnetic steam plating device in the electromagnetic device on the adsorption intensity of evaporation mask, can reduce the evaporation mask and the evaporation gap between the substrate and avoid evaporation materials between the occurrence of diffraction.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種蒸鍍掩膜版、其制作方法、電磁蒸鍍裝置及蒸鍍方法
本專利技術(shù)涉及掩膜版
，尤其涉及一種蒸鍍掩膜版、其制作方法、電磁蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
技術(shù)介紹
目前，比較成熟的工藝是使用蒸鍍方法制作OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有機發(fā)光二極管)顯示產(chǎn)品。在電磁蒸鍍工藝中，蒸鍍掩膜版是非常重要的設(shè)備部件。由于大尺寸OLED顯示產(chǎn)品越來越多，隨著基板尺寸的增加，蒸鍍掩膜版尺寸也會隨之增加，蒸鍍掩膜版的主體厚度也需要隨之增加，而由于重力的作用，在蒸鍍掩膜版的中間位置下垂比較多，基板和蒸鍍掩膜版的間隙變大，在蒸鍍過程中蒸鍍材料容易在間隙處發(fā)生衍射，因而需要想辦法減小蒸鍍掩膜版和待蒸鍍基板之間間隙。綜上所述，目前現(xiàn)有的電磁蒸鍍裝置中，由于重力的作用，蒸鍍掩膜版的中間位置下垂較多，基板和蒸鍍掩膜版的間隙變大，在蒸鍍過程中蒸鍍材料容易在間隙處發(fā)生衍射。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種蒸鍍掩膜版、其制作方法、電磁蒸鍍裝置及蒸鍍方法，用以解決目前現(xiàn)有的電磁蒸鍍裝置中，由于重力的作用，蒸鍍掩膜版的中間位置下垂較多，基板和蒸鍍掩膜版的間隙變大，在蒸鍍過程中蒸鍍材料容易在間隙處發(fā)生衍射的問題。本專利技術(shù)實施例提供了一種蒸鍍掩膜版，應(yīng)用于電磁蒸鍍裝置中，該蒸鍍掩膜版包括：掩膜版主體，設(shè)置在所述掩膜版主體上的多個開口；其中，每個所述開口作為一個蒸鍍區(qū)，除了所述開口之外的其它掩膜版主體作為遮擋區(qū)；在所述遮擋區(qū)設(shè)置有至少一個第一凹槽；所述第一凹槽中填充有磁性材料、且所述磁性材料的磁性強于所述掩膜版主體材料的磁性。較佳的，所述第一凹槽設(shè)置在圍繞每個所述蒸鍍區(qū)的遮擋區(qū)中。較佳的，所述蒸鍍掩膜版還包括：設(shè)置在所述遮擋區(qū)、且圍繞所述第一凹槽的第二凹槽。較佳的，所述第一凹槽與所述第二凹槽設(shè)置在所述掩膜版主體上的同一側(cè)。較佳的，所述第一凹槽設(shè)置在所述掩膜版主體上的背面，所述背面為面向所述電磁蒸鍍裝置中的磁性裝置的一面。較佳的，所述第一凹槽在垂直于所述掩膜版主體方向上的截面形狀為下列形狀之一或組合：倒梯形，矩形，或弧形。本專利技術(shù)實施例還提供了一種如本專利技術(shù)實施例提供的上述蒸鍍掩膜版的制作方法，包括：在蒸鍍掩膜版的掩膜版主體上的遮擋區(qū)形成與所述蒸鍍區(qū)對應(yīng)的第一凹槽；在所述第一凹槽中形成磁性材料，使所述磁性材料的表面與所述掩膜版主體的表面齊平；其中，所述磁性材料的磁性強于所述掩膜版主體材料的磁性。較佳的，該方法還包括：在所述遮擋區(qū)形成圍繞所述第一凹槽的第二凹槽。本專利技術(shù)實施例還提供了一種電磁蒸鍍裝置，包括：蒸鍍腔體，蒸鍍源，待蒸鍍基板，如本專利技術(shù)實施例提供的上述蒸鍍掩膜版，以及用于吸附所述蒸鍍掩膜版且可調(diào)控磁場的磁性裝置。較佳的，所述磁性裝置為下列裝置中的一種或組合：電磁鐵或磁極轉(zhuǎn)化裝置。本專利技術(shù)實施例還提供了一種采用如本專利技術(shù)實施例提供的上述蒸鍍裝置的進行蒸鍍的方法，包括：將待蒸鍍基板和蒸鍍掩膜版放入蒸鍍腔體內(nèi)；在關(guān)閉磁性裝置磁場的狀態(tài)下，將所述待蒸鍍基板和所述蒸鍍掩膜版進行對位；當(dāng)對位完成后，開啟所述磁性裝置的磁場，在磁力作用下，所述蒸鍍掩膜版與所述待蒸鍍基板貼緊；使用蒸鍍源對所述待蒸鍍基板進行蒸鍍；在蒸鍍完成后，關(guān)閉所述磁性裝置的磁場，移出所述蒸鍍掩膜版以及蒸鍍完成的基板。本專利技術(shù)有益效果如下：本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍掩膜版，在蒸鍍掩膜版主體上設(shè)置了至少一個第一凹槽，并在第一凹槽中填充有磁性較強的磁性材料，因而填充的磁性材料能夠增加電磁蒸鍍裝置中電磁裝置對蒸鍍掩膜版的吸附力度，可以在不增加磁性裝置磁場強度的前提下，減小蒸鍍掩膜版和待蒸鍍基板之間的間隙，避免在蒸鍍過程中蒸鍍材料在間隙處發(fā)生衍射。附圖說明圖1為本專利技術(shù)實施例提供的電磁蒸鍍裝置的簡化結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a-2c為本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍掩膜版的局部結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本專利技術(shù)實施例提供的圖2a中局部區(qū)域A的放大結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a為本專利技術(shù)實施例提供的圖2a沿著P-P’的方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍裝置內(nèi)的部分截面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍掩膜版的制作方法的步驟流程圖；圖6為本專利技術(shù)實施例提供的采用上述蒸鍍裝置進行蒸鍍方法的步驟流程圖；圖7為本專利技術(shù)實施例提供的在關(guān)閉磁性裝置磁場的狀態(tài)下蒸鍍裝置內(nèi)的部分截面的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖，對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本專利技術(shù)一部分實施例，并不是全部的實施例?；诒緦＠夹g(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。其中，附圖中膜層厚度和區(qū)域形狀不反映其真實比例，目的只是示意說明本專利技術(shù)的內(nèi)容。本專利技術(shù)實施例提供的一種蒸鍍掩膜版，主要是應(yīng)用于電磁蒸鍍裝置中的蒸鍍掩膜版，是在現(xiàn)有蒸鍍掩膜版的基礎(chǔ)上，在掩膜版主體上設(shè)置了填充有磁性材料的第一凹槽，由于磁性材料的磁性強于掩膜版主體材料的磁性，因而設(shè)置的磁性材料能夠增加電磁蒸鍍裝置中電磁裝置對蒸鍍掩膜版的吸附力度，減小蒸鍍掩膜版和待蒸鍍基板之間的間隙，避免在蒸鍍過程中蒸鍍材料在間隙處發(fā)生衍射。同時，本專利技術(shù)實施例還提供了一種電磁蒸鍍裝置，該電磁蒸鍍裝置采用上述蒸鍍掩膜版，并改進了其中的電磁裝置，使其能夠調(diào)控磁場的開啟和關(guān)閉，進而能夠更好的配合蒸鍍掩膜版的使用，另外，本專利技術(shù)還對應(yīng)的提供了蒸鍍掩膜版的制作方法及采用上述磁蒸鍍裝置進行蒸鍍的方法，下面分別對本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍掩膜版、其制作方法、電磁蒸鍍裝置及蒸鍍方法進行詳細的說明。本專利技術(shù)實施例提供了一種蒸鍍掩膜版，應(yīng)用于電磁蒸鍍裝置中，為了清楚的進行說明，本專利技術(shù)實施例先簡單介紹一下電磁蒸鍍裝置，如圖1所示，為本專利技術(shù)實施例提供的一種電磁蒸鍍裝置的簡化結(jié)構(gòu)示意圖；該電磁蒸鍍裝置包括蒸鍍腔體11，蒸鍍源12，待蒸鍍基板13，蒸鍍掩膜版14(下面會具體進行介紹)，以及磁性裝置15(后面也會具體進行介紹)。圖1只是簡單示意了電磁蒸鍍裝置中幾個重要部件的位置，并未完全畫出電磁蒸鍍裝置的詳細結(jié)構(gòu)，例如，并沒有畫出各個的固定裝置，或者其它功能裝置，剩余的其它結(jié)構(gòu)都可以根據(jù)需要進行設(shè)置，在此不做介紹。當(dāng)然，除了圖1中的結(jié)構(gòu)外，電磁蒸鍍裝置也可以是其它類似結(jié)構(gòu)，為了方便說明，本專利技術(shù)僅是以其中一種常見的電磁蒸鍍裝置作為例子進行說明，并不用于限定本專利技術(shù)。如圖2a所示，為本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍掩膜版的局部結(jié)構(gòu)示意圖，該蒸鍍掩膜版可以應(yīng)用到圖1中所示的電磁蒸鍍裝置中。該蒸鍍掩膜版14包括：掩膜版主體141，設(shè)置在掩膜版主體141上的多個開口；其中，每個開口作為一個蒸鍍區(qū)142，除了開口之外的其它掩膜版主體作為遮擋區(qū)143；在遮擋區(qū)143設(shè)置有至少一個第一凹槽144；第一凹槽144中填充有磁性材料145、且磁性材料145的磁性強于掩膜版主體材料的磁性。具體地，本專利技術(shù)實施例提供的蒸鍍掩膜版14上設(shè)置有蒸鍍區(qū)142(開口所在區(qū)域)和遮擋區(qū)143(未設(shè)置開口的區(qū)域)，在電磁蒸鍍工藝中，為了更好的完成蒸鍍，待蒸鍍的基板13和蒸鍍掩膜版14之間是盡量沒有間隙的，而由于受重力作用，蒸鍍掩膜版的中間位置下垂較多，使圖1中待蒸鍍的基板13和蒸鍍掩膜版14的間隙變大，進而使蒸鍍區(qū)142的邊緣位置處容易發(fā)生蒸鍍材料衍射的問題，影響蒸鍍效果。為了本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種蒸鍍掩膜版，應(yīng)用于電磁蒸鍍裝置中，其特征在于，該蒸鍍掩膜版包括：掩膜版主體，設(shè)置在所述掩膜版主體上的多個開口；其中，每個所述開口作為一個蒸鍍區(qū)，除了所述開口之外的其它掩膜版主體作為遮擋區(qū)；在所述遮擋區(qū)設(shè)置有至少一個第一凹槽；所述第一凹槽中填充有磁性材料、且所述磁性材料的磁性強于所述掩膜版主體材料的磁性。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種蒸鍍掩膜版，應(yīng)用于電磁蒸鍍裝置中，其特征在于，該蒸鍍掩膜版包括：掩膜版主體，設(shè)置在所述掩膜版主體上的多個開口；其中，每個所述開口作為一個蒸鍍區(qū)，除了所述開口之外的其它掩膜版主體作為遮擋區(qū)；在所述遮擋區(qū)設(shè)置有至少一個第一凹槽；所述第一凹槽中填充有磁性材料、且所述磁性材料的磁性強于所述掩膜版主體材料的磁性。2.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述第一凹槽設(shè)置在圍繞每個所述蒸鍍區(qū)的遮擋區(qū)中。3.如權(quán)利要求2所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述蒸鍍掩膜版還包括：設(shè)置在所述遮擋區(qū)、且圍繞所述第一凹槽的第二凹槽。4.如權(quán)利要求3所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述第一凹槽與所述第二凹槽設(shè)置在所述掩膜版主體上的同一側(cè)。5.如權(quán)利要求1所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述第一凹槽設(shè)置在所述掩膜版主體上的背面，所述背面為面向所述電磁蒸鍍裝置中的磁性裝置的一面。6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的蒸鍍掩膜版，其特征在于，所述第一凹槽在垂直于所述掩膜版主體方向上的截面形狀為下列形狀之一或組合：倒梯形，矩形，或弧形。7.一種如權(quán)利要求1-6任一項所述的蒸鍍掩膜版的制作方法...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙德江，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京,11