載臺機構及半導體加工設備制造技術

本發明專利技術提供的載臺機構及半導體加工設備，其包括上載臺、下載臺和旋轉軸，其中，上載臺和下載臺相互疊置；在上載臺上設置有貫穿其厚度的片位槽，晶片位于片位槽內，且由下載臺的上表面承載；并且，在上載臺上，且位于片位槽的邊緣處還設置有貫穿其厚度的第一取片槽；在下載臺的上表面設置有第二取片槽；上載臺和下載臺可圍繞旋轉軸相對旋轉，以使第二取片槽與第一取片槽相重合或者完全錯開。本發明專利技術提供的載臺機構，其可以減小取片槽對晶片邊緣處的沉積速率的影響，從而可以提高薄膜厚度的均勻性。

Stage supporting mechanism and semiconductor processing equipment

The invention provides a carrier mechanism and semiconductor processing equipment, including Taiwan, Taiwan and on the axis of rotation, among them, upload and download Taiwan Taiwan overlapped; a slot through its thickness is arranged in the upload table, one chip is positioned in the groove, and the upper surface of the bearing Taiwan; and, in carrying on the stage, and is located at the edge of the plate slot is also provided with a first sheet taking groove through its thickness; in the download station are arranged on the upper surface of the second slot; upload and download Taiwan Taiwan rotate around an axis relative rotation, so that the second film fetching groove and the first groove take tablets coincidence or stagger. The carrier mechanism provided by the present invention can reduce the influence of the chip slot on the deposition rate at the edge of the wafer, thereby increasing uniformity of the film thickness.

【技術實現步驟摘要】
載臺機構及半導體加工設備
本專利技術涉及半導體制造
，具體地，涉及一種載臺機構及半導體加工設備。
技術介紹
等離子體增強化學氣相沉積(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，以下簡稱PECVD)設備是是半導體行業較為普遍的一種真空鍍膜設備，廣泛用于SIO2、SiNx、SiON等介質膜的沉積。在LED領域，PECVD設備是芯片工藝中重要的鍍膜設備，其通常利用載臺承載晶片。圖1為現有的載臺的俯視圖。請參閱圖1，載臺1通常采用整體式結構，其包括多個片位槽2，用以承載和固定晶片。而且，為了避免操作人員在進行取放片操作劃傷晶片，提高取放片效率，在每個片位槽2的邊緣處還設置有取片槽3，該取片槽3的深度大于片位槽2的深度，當需要自取片槽3取出晶片時，操作人員可以使用吸筆自取片槽3掀起晶片，從而可以更方便地取出晶片。但是，由于取片槽3的深度大于片位槽2的深度，在工藝過程中，取片槽3會對晶片邊緣的沉積速率產生影響，從而造成沉積在晶片表面上的薄膜厚度不均。
技術實現思路
本專利技術旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種載臺機構及半導體加工設備，其可以減小取片槽對晶片邊緣處的沉積速率的影響，從而可以提高薄膜厚度的均勻性。為實現本專利技術的目的而提供一種載臺機構，用于承載晶片，包括上載臺、下載臺和旋轉軸，其中，所述上載臺和下載臺相互疊置；在所述上載臺上設置有貫穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽內，且由所述下載臺的上表面承載；并且，在所述上載臺上，且位于所述片位槽的邊緣處還設置有貫穿其厚度的第一取片槽；在所述下載臺的上表面設置有第二取片槽；所述上載臺和下載臺可圍繞所述旋轉軸相對旋轉，以使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合或者完全錯開。優選的，所述上載臺通過相對于所述下載臺正轉而使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合；所述上載臺通過相對于所述下載臺反轉而使所述第二取片槽與所述第一取片槽完全錯開。優選的，在所述上載臺的中心位置處設置有中心通孔，所述旋轉軸豎直向下穿過所述中心通孔，并與所述所述下載臺固定連接；通過旋轉所述上載臺，使其與所述下載臺相對旋轉。優選的，在所述下載臺的中心位置處設置有中心通孔，所述旋轉軸豎直向上穿過所述中心通孔，并與所述上載臺固定連接；通過旋轉所述旋轉軸，使所述上載臺與所述下載臺相對旋轉。優選的，還包括旋轉驅動裝置，用于驅動所述旋轉軸旋轉。優選的，所述片位槽為一個或多個；多個所述片位槽圍繞所述旋轉軸均勻分布；所述第一取片槽的數量與所述片位槽的數量相對應，且二者一一對應地設置；所述第二取片槽的數量與所述第一取片槽的數量相對應，且二者一一對應地設置。作為另一個技術方案，本專利技術還提供一種半導體加工設備，其包括反應腔室，在所述反應腔室內設置有載臺機構，用以承載晶片；所述載臺機構采用了本專利技術提供的上述載臺機構。優選的，還包括上電極組件，所述上電極組件包括勻流腔和射頻電源，其中，所述勻流腔設置在所述反應腔室的頂部，且在所述勻流腔的頂部設置有進氣口，用以向所述勻流腔內輸送反應氣體；在所述勻流腔的底部設置有多個出氣口，所述多個出氣口相對于所述載臺機構用于承載晶片的表面均勻分布，用以將所述勻流腔內的反應氣體輸送至所述反應腔室內；所述射頻電源與所述勻流腔電連接，用以激發所述反應腔室內的反應氣體形成等離子體。優選的，所述半導體加工設備包括等離子體增強化學氣相沉積設備，用于在所述晶片上沉積SiO2薄膜、SiNx薄膜或者SiON薄膜。本專利技術具有以下有益效果：本專利技術提供的載臺機構，其采用分體式結構，即由相互疊置的上載臺和下載臺組成，晶片由下載臺的上表面承載，并位于上載臺上貫穿其厚度的片位槽內。并且，在上載臺上，且位于片位槽的邊緣處還設置有貫穿其厚度的第一取片槽，在下載臺的上表面設置有第二取片槽，通過使上載臺和下載臺圍繞旋轉軸相對旋轉，可以使第二取片槽與第一取片槽相重合，此時操作人員可以自第一取片槽中暴露出來的第二取片槽進行取片或放片操作；或者，可以使第二取片槽與第一取片槽完全錯開，此時第二取片槽被隱藏在上載臺底部，從而可以減小取片槽對晶片邊緣處的沉積速率的影響，進而可以提高薄膜厚度的均勻性。本專利技術提供的半導體加工設備，其通過采用本專利技術提供的上述載臺機構，可以減小取片槽對晶片邊緣處的沉積速率的影響，從而可以提高薄膜厚度的均勻性。附圖說明圖1為現有的載臺的俯視圖；圖2為本專利技術實施例提供的載臺機構的上載臺的俯視圖；圖3為本專利技術實施例提供的載臺機構的下載臺的俯視圖；圖4為本專利技術實施例提供的載臺機構在進行取放片操作時的俯視圖；圖5為本專利技術實施例提供的載臺機構在進行工藝時的俯視圖；以及圖6為本專利技術實施例提供的半導體加工設備的剖視圖。具體實施方式為使本領域的技術人員更好地理解本專利技術的技術方案，下面結合附圖來對本專利技術提供的載臺機構及半導體加工設備進行詳細描述。請一并參閱圖2-5，載臺機構用于承載晶片，其包括上載臺11、下載臺21和旋轉軸31。其中，上載臺11和下載臺21相互疊置，二者的形狀和外徑相同。如圖2所示，在上載臺11上設置有三個貫穿其厚度的片位槽12，且圍繞其軸向中心線均勻分布。晶片(圖中未示出)位于片位槽12內，且由下載臺21的上表面承載。并且，在上載臺11上，且位于各個片位槽12的邊緣處還設置有貫穿其厚度的第一取片槽13。如圖3所示，在下載臺21的上表面設置有第二取片槽22，通過使上載臺11和下載臺21圍繞旋轉軸31相對旋轉，可以使第二取片槽22與第一取片槽13相重合，如圖4所示，此時操作人員可以自第一取片槽13中暴露出來的第二取片槽22進行取片或放片操作?；蛘?，可以使第二取片槽22與第一取片槽13完全錯開，此時第二取片槽22被隱藏在上載臺11或者晶片底部，從而可以減小取片槽對晶片邊緣處的沉積速率的影響，進而可以提高薄膜厚度的均勻性。優選的，上載臺11通過相對于下載臺21正轉而使第二取片槽22與第一取片槽13相重合；上載臺11通過相對于下載臺21反轉而使第二取片槽22與第一取片槽13完全錯開。這種旋轉方式需要旋轉的角度較小，效率較高。需要說明的是，所謂正轉是指上載臺11相對于下載臺21圍繞旋轉軸31沿順時針或逆時針的方向旋轉，而反轉與正轉的方向相反。也就是說，若正轉是上載臺11相對于下載臺21順時針旋轉，則反轉是上載臺11相對于下載臺21逆時針旋轉；反之，若正轉是上載臺11相對于下載臺21逆時針旋轉，則反轉是上載臺11相對于下載臺21順時針旋轉。當然，在實際應用中，上載臺11還可以采用始終相對于下載臺21正轉或反轉的方式來實現第二取片槽22與第一取片槽13的重合和完全錯開。容易理解，當上載臺11相對于下載臺21沿一個方向(順時針或逆時針)旋轉指定角度時，第二取片槽22與第一取片槽13相互重合；當上載臺11繼續沿該方向旋轉一定的角度時，第二取片槽22與第一取片槽13完全錯開。在本實施例中，在上載臺11的中心位置處設置有中心通孔，即，該中心通孔的軸線與上載臺11的軸向中心線重合。旋轉軸31豎直向下穿過該中心通孔，并與下載臺21固定連接。在這種情況下，可以通過旋轉上載臺11，使其與下載臺21相對旋轉。也就是說，上載臺11相對于旋轉軸31具有相對旋轉運動，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種載臺機構，用于承載晶片，其特征在于，包括上載臺、下載臺和旋轉軸，其中，所述上載臺和下載臺相互疊置；在所述上載臺上設置有貫穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽內，且由所述下載臺的上表面承載；并且，在所述上載臺上，且位于所述片位槽的邊緣處還設置有貫穿其厚度的第一取片槽；在所述下載臺的上表面設置有第二取片槽；所述上載臺和下載臺可圍繞所述旋轉軸相對旋轉，以使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合或者完全錯開。

【技術特征摘要】
1.一種載臺機構，用于承載晶片，其特征在于，包括上載臺、下載臺和旋轉軸，其中，所述上載臺和下載臺相互疊置；在所述上載臺上設置有貫穿其厚度的片位槽，所述晶片位于所述片位槽內，且由所述下載臺的上表面承載；并且，在所述上載臺上，且位于所述片位槽的邊緣處還設置有貫穿其厚度的第一取片槽；在所述下載臺的上表面設置有第二取片槽；所述上載臺和下載臺可圍繞所述旋轉軸相對旋轉，以使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合或者完全錯開。2.根據權利要求1所述的載臺機構，其特征在于，所述上載臺通過相對于所述下載臺正轉而使所述第二取片槽與所述第一取片槽相重合；所述上載臺通過相對于所述下載臺反轉而使所述第二取片槽與所述第一取片槽完全錯開。3.根據權利要求1所述的載臺機構，其特征在于，在所述上載臺的中心位置處設置有中心通孔，所述旋轉軸豎直向下穿過所述中心通孔，并與所述所述下載臺固定連接；通過旋轉所述上載臺，使其與所述下載臺相對旋轉。4.根據權利要求1所述的載臺機構，其特征在于，在所述下載臺的中心位置處設置有中心通孔，所述旋轉軸豎直向上穿過所述中心通孔，并與所述上載臺固定連接；通過旋轉所述旋轉軸，使所述上載臺與所述下載臺相對旋轉。5.根據權利要求4所述的載臺機構，其特征在于，還...

【專利技術屬性】
技術研發人員：賈士亮，
申請(專利權)人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，
類型：發明
國別省市：北京,11