【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)屬于材料制備，特別涉及一種適用于原位分析的微型cvd爐。
技術(shù)介紹
1、目前，化學(xué)氣相沉積(cvd)作為傳統(tǒng)制備薄膜技術(shù)的一種，指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料，近幾十年來(lái)，隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，化學(xué)氣相沉積發(fā)展有常壓化學(xué)氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機(jī)化合物沉積等，cvd技術(shù)在保護(hù)膜層、微電子技術(shù)、太陽(yáng)能利用、光纖通信、超導(dǎo)技術(shù)、制備新材料等許多方面都得到廣泛的應(yīng)用，隨著其應(yīng)用范圍日益擴(kuò)大，作用和經(jīng)濟(jì)效益的不斷提高，化學(xué)氣相沉積已經(jīng)成為一種極其重要的材料現(xiàn)代成型技術(shù)。
2、在cvd過(guò)程中，電加熱片需要承受高溫環(huán)境并保持穩(wěn)定性能，然而，高溫環(huán)境可能會(huì)對(duì)電加熱片的材料和結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損壞或退化，從而影響其正常工作和使用壽命，需要定期的維護(hù)和更換，這會(huì)增加設(shè)備后續(xù)維護(hù)的成本，因此，我們希望研發(fā)一種新型結(jié)構(gòu)的微型cvd爐，以解決上述的技術(shù)問(wèn)題
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本專利技術(shù)目的是提供一種適用于原位分析的微型cvd爐，解決上述
技術(shù)介紹
中提出的問(wèn)題。
2、本專利技術(shù)通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：一種適用于原位分析的微型cvd爐，包括：法蘭支架一、法蘭支架二、加熱爐組件、光學(xué)顯微鏡、調(diào)節(jié)組件以及電路控制組件，所述法蘭支架一與加熱爐組件右端固定有，所述加熱爐組件左端與法蘭支架二上端固定連接；
4、作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述法蘭支架一的規(guī)格與法蘭支架二的規(guī)格相同，所述法蘭支架二包括伸縮桿、固定套以及固定頭，所述伸縮桿上端焊接有固定套，所述固定套通過(guò)固定頭與加熱爐組件的一端固定連接。
5、作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述加熱爐組件包括密封法蘭、加熱件一、加熱件二以及石英腔體，所述石英腔體左端、右端分別通過(guò)一個(gè)固定頭密封安裝有一個(gè)密封法蘭，每一個(gè)所述密封法蘭上均焊接有四個(gè)陶封電極，每一個(gè)所述密封法蘭上均安裝有熱電偶，每一個(gè)所述密封法蘭上均安裝有一個(gè)φ6.35mm的卡套接頭；
6、所述石英腔體左側(cè)內(nèi)部滑動(dòng)安裝有加熱件一，所述加熱件一左側(cè)固定有柱塊，所述柱塊下側(cè)嵌入安裝有磁塊三，所述磁塊三為一種弧板形結(jié)構(gòu)，在實(shí)際使用中，兩個(gè)卡套接頭一個(gè)作為進(jìn)氣接頭，另一個(gè)作為排氣接頭，與外部的供氣設(shè)備連接。
7、作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述石英腔體右側(cè)內(nèi)部固定有加熱件二，所述加熱件一的規(guī)格與加熱件二的規(guī)格相同，所述加熱件二左端上側(cè)放置有晶片，所述加熱件一、加熱件二均為一種陶瓷電加熱片，所述石英腔體上側(cè)設(shè)置有光學(xué)觀察窗口，所述晶片位于光學(xué)觀察窗口正下方，所述光學(xué)觀察窗口位于光學(xué)顯微鏡的物鏡正下方；
8、所述石英腔體上端左側(cè)滑動(dòng)安裝有遮擋件，所述遮擋件包括磁塊一、磁塊二以及遮擋板，所述磁塊一與遮擋板左端上側(cè)固定連接，所述磁塊二與磁塊一磁力連接，所述磁塊二置于石英腔體外壁，所述磁塊一置于石英腔體內(nèi)壁，所述遮擋板整體呈弧形結(jié)構(gòu)，所述遮擋板水平截面呈z形結(jié)構(gòu)，在實(shí)際使用中，加熱件一、加熱件二均為是以氮化硅陶瓷為基體，以鎢絲為發(fā)熱源，鎢絲埋在氮化硅基體中，通過(guò)熱壓燒結(jié)工藝形成一體再經(jīng)過(guò)磨削加工焊接導(dǎo)線制作而成的加熱片，能快速升溫到1100℃，具有瞬間高溫、速度快、效率高、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，且加熱件一、加熱件二之間的間隙可以進(jìn)行調(diào)整，加熱溫度由電路控制組件控制，電路控制組件帶可編程的雙溫度控制單元，用于獨(dú)立控制兩個(gè)加熱件一、加熱件二，同時(shí)具有過(guò)熱和熱電偶損壞保護(hù)功能。
9、作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述調(diào)節(jié)組件包括安裝座、豎桿、滑桿以及吸附件，所述安裝座通過(guò)螺栓固定在伸縮桿下端上側(cè)，所述安裝座上端右側(cè)一體設(shè)置有豎桿，所述豎桿頂端右側(cè)焊接有滑桿，所述豎桿右邊上側(cè)焊接有限位桿，所述限位桿置于滑桿正下方，所述限位桿的長(zhǎng)度大于滑桿的長(zhǎng)度，所述限位桿右端下側(cè)與豎桿下端右側(cè)之間傾斜焊接有加強(qiáng)桿；
10、所述滑桿前側(cè)、后側(cè)分別向內(nèi)開(kāi)設(shè)有一個(gè)條形的導(dǎo)向滑槽，每一個(gè)所述導(dǎo)向滑槽右端均向右貫穿滑桿的右端，所述滑桿內(nèi)部開(kāi)設(shè)有滑動(dòng)腔，所述滑動(dòng)腔上端向上貫穿形成條形貫穿槽，所述條形貫穿槽右端向右貫穿滑桿右端，所述滑動(dòng)腔的橫截面呈正六邊形結(jié)構(gòu)，所述滑桿上側(cè)滑動(dòng)安裝有吸附件。
11、作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述吸附件包括滑套一、滑套二、滑條、磁塊四，所述滑套一滑動(dòng)套裝在限位桿外壁，所述滑套一上端通過(guò)連桿一與滑套二下端固定連接，所述滑套二上端通過(guò)連桿二與磁塊四下端固定連接，所述磁塊四上側(cè)粘接有海綿片，所述海綿片的厚度小于1mm，所述磁塊四與磁塊三磁力相互吸引，所述磁塊四置于石英腔體下側(cè)外壁，所述磁塊三置于石英腔體內(nèi)部。
12、作為一優(yōu)選的實(shí)施方式，所述滑套二前側(cè)內(nèi)壁、后側(cè)內(nèi)壁分別設(shè)置有一個(gè)滑條，每一個(gè)所述滑條均滑動(dòng)安裝在一個(gè)導(dǎo)向滑槽內(nèi)，所述滑套二內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)向柱，所述導(dǎo)向柱包括棱柱、連接板，所述棱柱上端設(shè)置有連接板，所述連接板上端與滑套二頂部?jī)?nèi)壁焊接；
13、所述棱柱的橫截面呈正六邊形結(jié)構(gòu)，所述棱柱滑動(dòng)安裝在滑動(dòng)腔內(nèi)部，所述連接板的厚度與條形貫穿槽的厚度相匹配，所述棱柱的軸線與滑套二的軸線共線，所述棱柱中心從左至有貫穿形成螺紋孔；
14、所述限位桿右端上側(cè)安裝有軸承座，所述軸承座上端轉(zhuǎn)動(dòng)安裝有調(diào)節(jié)螺桿，所述調(diào)節(jié)螺桿左端通過(guò)螺紋孔與棱柱螺紋連接，所述調(diào)節(jié)螺桿左端延伸至滑桿內(nèi)部，且不與滑桿直接接觸。
15、采用了上述技術(shù)方案后，本專利技術(shù)的有益效果是：通過(guò)在加熱爐組件中安裝加熱件一、加熱件二，加熱件一、加熱件二均為是以氮化硅陶瓷為基體，以鎢絲為發(fā)熱源，能快速升溫到1100℃，具有瞬間高溫、速度快、效率高、壽命長(zhǎng)特點(diǎn)，這樣能夠使得樣品可以瞬間到達(dá)高溫狀況，可以研究樣品的瞬間變化，加熱件一、加熱件二的材質(zhì)及工藝使其可以承受高溫環(huán)境并保持穩(wěn)定性能，保證加熱件一、加熱件二的正常工作和提升其使用壽命，降低維護(hù)和更換的頻率；
16、調(diào)節(jié)組件的設(shè)置，能夠達(dá)到精確調(diào)節(jié)加熱件一與加熱件二之間的間距的目的，實(shí)現(xiàn)加熱件一、加熱件二之間的間隙可以進(jìn)行調(diào)整，加熱件一、加熱件二之間距離通過(guò)調(diào)節(jié)組件的調(diào)整可以生成不同厚度的新材料，便于進(jìn)行研究。
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1.一種適用于原位分析的微型CVD爐，包括：法蘭支架一(100)、法蘭支架二(300)、加熱爐組件(400)、光學(xué)顯微鏡(200)、調(diào)節(jié)組件(500)以及電路控制組件(600)，其特征在于，所述法蘭支架一(100)與加熱爐組件(400)右端固定有，所述加熱爐組件(400)左端與法蘭支架二(300)上端固定連接；
2.如權(quán)利要求1所述的一種適用于原位分析的微型CVD爐，其特征在于：所述法蘭支架一(100)的規(guī)格與法蘭支架二(300)的規(guī)格相同，所述法蘭支架二(300)包括伸縮桿(310)、固定套(320)以及固定頭(330)，所述伸縮桿(310)上端焊接有固定套(320)，所述固定套(320)通過(guò)固定頭(330)與加熱爐組件(400)的一端固定連接。
3.如權(quán)利要求1所述的一種適用于原位分析的微型CVD爐，其特征在于：所述加熱爐組件(400)包括密封法蘭(420)、加熱件一(430)、加熱件二(440)以及石英腔體(450)，所述石英腔體(450)左端、右端分別通過(guò)一個(gè)固定頭(330)密封安裝有一個(gè)密封法蘭(420)，每一個(gè)所述密封法蘭(420)上均焊接有四
4.如權(quán)利要求3所述的一種適用于原位分析的微型CVD爐，其特征在于：所述石英腔體(450)右側(cè)內(nèi)部固定有加熱件二(440)，所述加熱件一(430)的規(guī)格與加熱件二(440)的規(guī)格相同，所述加熱件二(440)左端上側(cè)放置有晶片(470)，所述加熱件一(430)、加熱件二(440)均為一種陶瓷電加熱片，所述石英腔體(450)上側(cè)設(shè)置有光學(xué)觀察窗口(451)，所述晶片(470)位于光學(xué)觀察窗口(451)正下方，所述光學(xué)觀察窗口(451)位于光學(xué)顯微鏡(200)的物鏡正下方；
5.如權(quán)利要求4所述的一種適用于原位分析的微型CVD爐，其特征在于：所述調(diào)節(jié)組件(500)包括安裝座(510)、豎桿(520)、滑桿(530)以及吸附件(540)，所述安裝座(510)通過(guò)螺栓固定在伸縮桿(310)下端上側(cè)，所述安裝座(510)上端右側(cè)一體設(shè)置有豎桿(520)，所述豎桿(520)頂端右側(cè)焊接有滑桿(530)，所述豎桿(520)右邊上側(cè)焊接有限位桿(590)，所述限位桿(590)置于滑桿(530)正下方，所述限位桿(590)的長(zhǎng)度大于滑桿(530)的長(zhǎng)度，所述限位桿(590)右端下側(cè)與豎桿(520)下端右側(cè)之間傾斜焊接有加強(qiáng)桿(580)；
6.如權(quán)利要求5所述的一種適用于原位分析的微型CVD爐，其特征在于：所述吸附件(540)包括滑套一(541)、滑套二(542)、滑條(543)、磁塊四(544)，所述滑套一(541)滑動(dòng)套裝在限位桿(590)外壁，所述滑套一(541)上端通過(guò)連桿一與滑套二(542)下端固定連接，所述滑套二(542)上端通過(guò)連桿二與磁塊四(544)下端固定連接，所述磁塊四(544)上側(cè)粘接有海綿片，所述海綿片的厚度小于1mm，所述磁塊四(544)與磁塊三(431)磁力相互吸引，所述磁塊四(544)置于石英腔體(450)下側(cè)外壁，所述磁塊三(431)置于石英腔體(450)內(nèi)部。
7.如權(quán)利要求6所述的一種適用于原位分析的微型CVD爐，其特征在于：所述滑套二(542)前側(cè)內(nèi)壁、后側(cè)內(nèi)壁分別設(shè)置有一個(gè)滑條(543)，每一個(gè)所述滑條(543)均滑動(dòng)安裝在一個(gè)導(dǎo)向滑槽內(nèi)，所述滑套二(542)內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)向柱(550)，所述導(dǎo)向柱(550)包括棱柱(551)、連接板(553)，所述棱柱(551)上端設(shè)置有連接板(553)，所述連接板(553)上端與滑套二(542)頂部?jī)?nèi)壁焊接；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種適用于原位分析的微型cvd爐，包括：法蘭支架一(100)、法蘭支架二(300)、加熱爐組件(400)、光學(xué)顯微鏡(200)、調(diào)節(jié)組件(500)以及電路控制組件(600)，其特征在于，所述法蘭支架一(100)與加熱爐組件(400)右端固定有，所述加熱爐組件(400)左端與法蘭支架二(300)上端固定連接；
2.如權(quán)利要求1所述的一種適用于原位分析的微型cvd爐，其特征在于：所述法蘭支架一(100)的規(guī)格與法蘭支架二(300)的規(guī)格相同，所述法蘭支架二(300)包括伸縮桿(310)、固定套(320)以及固定頭(330)，所述伸縮桿(310)上端焊接有固定套(320)，所述固定套(320)通過(guò)固定頭(330)與加熱爐組件(400)的一端固定連接。
3.如權(quán)利要求1所述的一種適用于原位分析的微型cvd爐，其特征在于：所述加熱爐組件(400)包括密封法蘭(420)、加熱件一(430)、加熱件二(440)以及石英腔體(450)，所述石英腔體(450)左端、右端分別通過(guò)一個(gè)固定頭(330)密封安裝有一個(gè)密封法蘭(420)，每一個(gè)所述密封法蘭(420)上均焊接有四個(gè)陶封電極(410)，每一個(gè)所述密封法蘭(420)上均安裝有熱電偶，每一個(gè)所述密封法蘭(420)上均安裝有一個(gè)φ6.35mm的卡套接頭；
4.如權(quán)利要求3所述的一種適用于原位分析的微型cvd爐，其特征在于：所述石英腔體(450)右側(cè)內(nèi)部固定有加熱件二(440)，所述加熱件一(430)的規(guī)格與加熱件二(440)的規(guī)格相同，所述加熱件二(440)左端上側(cè)放置有晶片(470)，所述加熱件一(430)、加熱件二(440)均為一種陶瓷電加熱片，所述石英腔體(450)上側(cè)設(shè)置有光學(xué)觀察窗口(451)，所述晶片(470)位于光學(xué)觀察窗口(451)正下方，所述光學(xué)觀察窗口(451)位于光學(xué)顯...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：邾根祥，方輝，江曉平，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：合肥科晶材料技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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