基板載置臺(tái)及其制造方法和基板處理裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供不會(huì)損傷基板并有效地防止產(chǎn)生蝕刻斑的載置臺(tái)。載置臺(tái)(5A)具有例如由鋁或不銹鋼(SUS)等的導(dǎo)電性材料形成的基材(7)和在基材(7)上設(shè)置的絕緣膜(8)。絕緣膜(8)的上表面是載置FPD用玻璃基板(S)的基板載置面(50)。基板載置面(50)包括具有表面粗糙度Ra為2μm以上6μm以下的粗糙表面的粗化部(51)和包圍該粗化部(51)的周圍的表面粗糙度Ra小于2μm的平滑部(53)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及載置基板的基板載置臺(tái)、及其制造方法和基板處理裝置。
技術(shù)介紹
在平板顯示器(FPD)的制造工序中，對(duì)于作為被處理體的基板實(shí)施等離子體蝕刻處理。等離子體蝕刻處理是例如在配置有一對(duì)平行電板電極(上部和下部電極)的處理容器內(nèi)，在作為下部電極發(fā)揮作用的載置臺(tái)上載置基板，在至少一方的電極上施加高頻電力從而在電極之間形成高頻電場(chǎng)。通過該高頻電場(chǎng)形成處理氣體的等離子體，通過該等離子體對(duì)基板上的材料膜進(jìn)行蝕刻處理。若重復(fù)進(jìn)行等離子體蝕刻處理，則會(huì)產(chǎn)生蝕刻生成物， 這些生成物附著在載置臺(tái)表面并蓄積起來。載置臺(tái)的表面為平滑面時(shí)，在基板的背面和載置臺(tái)之間產(chǎn)生隔著附著物的區(qū)域，在與不存在附著物的區(qū)域之間在熱傳導(dǎo)性和導(dǎo)電性方面產(chǎn)生差異。其結(jié)果，在基板的表面內(nèi)形成蝕刻速率高的部分和低的部分，從而生成蝕刻斑。 另外，有時(shí)由于附著物基板粘貼在載置臺(tái)上。為了防止蝕刻斑，共知有在表面設(shè)置有壓紋形狀的載置臺(tái)。例如在專利文獻(xiàn)1中， 通過在載置臺(tái)的表面上設(shè)置頂面被粗化的多個(gè)凸部來保持基板和載置臺(tái)的表面的間隔，即使在載置臺(tái)的表面產(chǎn)生附著物也能防止產(chǎn)生蝕刻斑。另外，在專利文獻(xiàn)1中，提出了在載置臺(tái)的周圍形成平滑的臺(tái)部，使載置臺(tái)具有作為靜電吸附電極的作用時(shí)，通過導(dǎo)熱介質(zhì)提高熱傳導(dǎo)效率的方案。另外，在專利文獻(xiàn)2中，從防止基板貼在載置臺(tái)上、提高抑制顆粒和工藝穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，提出了對(duì)等離子體CVD用的載置臺(tái)的表面進(jìn)行噴砂處理形成凹凸部，使表面粗糙度Ra在1 μ m以上8 μ m以下，然后進(jìn)一步進(jìn)行化學(xué)的、電氣化學(xué)的和/或機(jī)械的研磨去除凸部的陡峭的突起的方案。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-351949號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開平10-340896號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
在表面上設(shè)置有亞紋形狀的凸部的載置臺(tái)上，由于與基板的接觸為點(diǎn)接觸，所以存在應(yīng)力集中在接觸部位，對(duì)基板造成損傷的問題。另一方面，若將載置臺(tái)的整個(gè)面變成粗化面，則使載置臺(tái)作為靜電吸附電極發(fā)揮作用時(shí)，具有向基板的背面?zhèn)裙┙o導(dǎo)熱介質(zhì)變得不穩(wěn)定，控制熱傳導(dǎo)效率變得困難、還有產(chǎn)生蝕刻斑的隱患。本專利技術(shù)是鑒于上述實(shí)際情況而提出的，其課題在于提供對(duì)基板無損傷、能夠有效地防止產(chǎn)生蝕刻斑的載置臺(tái)。本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)包括基材，和覆蓋該基材的絕緣膜。通過所述絕緣膜形成載置基板的基板載置面；并且在該基板載置面上具有表面粗糙度Ra為2 μ m以上6 μ m以下的粗化部，和在所述粗化部的周圍設(shè)置的表面粗糙度Ra小于2 μ m的平滑部。另外，本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)通過所述粗化部支撐基板的中央部分，通過所述平滑CN 102157423 A說明書2/9頁 部支撐基板的周邊部分。另外，本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)優(yōu)選至少所述粗化部由具有所述基板的硬度以下的硬度的材質(zhì)形成。另外，本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)優(yōu)選所述絕緣膜具有通過噴鍍形成的第一噴鍍膜和通過噴鍍以覆蓋所述第一噴鍍膜的至少一部分的方式形成的第二噴鍍膜；所述粗化部在所述第一噴鍍膜上疊層所述第二噴鍍膜。在這種情況下，所述平滑部的表面優(yōu)選由所述第一噴鍍膜形成。另外，所述第二噴鍍膜優(yōu)選由具有所述基板的硬度以下的硬度的材質(zhì)形成。該情況下，所述第一噴鍍膜與所述第二噴鍍膜的材質(zhì)可以不同，所述第二噴鍍膜可以由具有所述第一噴鍍膜的硬度以下的硬度的材質(zhì)形成。另外，本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)優(yōu)選具有埋設(shè)在所述絕緣膜中的導(dǎo)電層、具有靜電吸附功能。本專利技術(shù)的基板處理裝置具有上述任何一種的基板載置臺(tái)。本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)的制造方法是在對(duì)基板實(shí)施處理時(shí)，用于載置基板的基板載置臺(tái)的制造方法，其包括研磨覆蓋基材的絕緣膜，形成表面粗糙度Ra小于2μπι的平滑面的研磨工序；和對(duì)于研磨后的所述絕緣膜的表面，以在基板載置面的周邊部的區(qū)域內(nèi)留有平滑面的方式，對(duì)所述基板載置面的中央部分的區(qū)域?qū)嵤﹪娚疤幚怼⑿纬杀砻娲植诙萊a為 2 μ m以上6 μ m以下的粗化部的粗化工序。在本專利技術(shù)的另一方面的基板載置臺(tái)的制造方法是在對(duì)基板實(shí)施處理時(shí)，用于載置基板的基板載置臺(tái)的制造方法，其包括研磨覆蓋基材的絕緣膜，形成表面粗糙度Ra小于 2 μ m的平滑面的研磨工序；對(duì)研磨后的所述絕緣膜的表面，以在基板載置面的周邊部的區(qū)域內(nèi)留有平滑面的方式，對(duì)所述基板載置面的中央部分的區(qū)域?qū)嵤﹪娚疤幚硎蛊錅p膜的工序；和對(duì)減膜后的所述中央部分的區(qū)域，通過噴鍍形成表面粗糙度Ra為2 μ m以上6 μ m以下的噴鍍膜的工序。本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)的制造方法優(yōu)選所述絕緣膜是通過噴鍍形成的噴鍍膜。本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)構(gòu)成為，在基板載置面上具有表面粗糙度Ra為2μπι以上 6 μ m以下的粗化部和在粗化部的周圍設(shè)置的表面粗糙度Ra小于2 μ m的平滑面。在粗化部，因?yàn)橥ㄟ^微小的凹凸能夠多點(diǎn)支撐，所以應(yīng)力被分散，減少損傷基板背面。另外，具有微小的凹凸的粗化部，即使生產(chǎn)附著物也難以平坦化，所以能夠抑制由于附著物導(dǎo)致的從基板載置臺(tái)向基板的熱傳導(dǎo)率和導(dǎo)電效率的變動(dòng)。因此，能夠改善例如蝕刻斑等的處理的不均勻等。另外，在平滑部由于能夠緊貼基板進(jìn)行支撐，所以能夠在基板的背面一側(cè)較容易地形成密閉空間，例如，在向該空間內(nèi)導(dǎo)入導(dǎo)熱介質(zhì)進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)時(shí)，能夠提高導(dǎo)熱效率。附圖說明圖1是本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的載置臺(tái)的俯視圖。圖2是沿圖1的II - II線的箭頭方向觀察的截面圖。圖3是將圖2的載置臺(tái)的表面附近的結(jié)構(gòu)放大表示的主要部分截面圖。圖4是說明本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的載置臺(tái)的制造工序的圖。圖5是說明繼圖4之后的工序的圖。圖6是本專利技術(shù)的第二實(shí)施方式的載置臺(tái)的截面圖。圖7是將圖6的載置臺(tái)的表面附近的結(jié)構(gòu)放大表示的主要部分截面圖。5圖8是說明本專利技術(shù)的第二實(shí)施方式的載置臺(tái)的制造工序的圖。圖9是說明繼圖8之后的工序的圖。圖10是表示粗化后的絕緣膜的狀態(tài)的圖。圖11是將粗化后的載置臺(tái)的表面附近的結(jié)構(gòu)放大表示的主要部分截面圖。圖12是說明繼圖10的工序的圖。圖13是表示適用本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)的等離子體蝕刻裝置的一個(gè)例子的概略截面圖。圖14是表示適用本專利技術(shù)的基板載置臺(tái)的等離子體蝕刻裝置的另一個(gè)例子的概略截面圖。符號(hào)說明1處理容器 Ia地壁 Ib1,1 側(cè)壁 Ic蓋體 3密封部件13絕緣材料 5載置臺(tái) 7基材 8絕緣膜 15噴淋頭1 氣體擴(kuò)散空間1 氣體噴出孔 17氣體導(dǎo)入口19理氣體供給管 21閥門 23質(zhì)量流量控制器25氣體供給源 27排氣用開口四排氣管 31排氣裝置33基板輸送用開口35閘閥 370形環(huán) 39供電線41匹配器(M. B.) 43高頻電源 45供電用開口 50基板載置面51粗化部 53平滑部 100、101等離子體蝕刻裝置 S基板具體實(shí)施例方式第一實(shí)施方式以下參照附圖對(duì)本專利技術(shù)的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。圖1是作為本專利技術(shù)的第一實(shí)施方式的基板載置臺(tái)的載置臺(tái)5A的俯視圖。圖2是從圖1的II - II線的箭頭方向觀察的截面圖。另外，圖3是將在圖2中的虛線包圍的部分的載置臺(tái)5A的表面附件的結(jié)構(gòu)放大表示的主要部分截面圖。載置臺(tái)5A具有基材7和在基材7上設(shè)置的絕緣膜8。基材7例如由鋁或不銹鋼 (SUS)等的導(dǎo)電性材料形成。絕緣膜8的上表面例如是載置FPD用的玻璃基板(以下單獨(dú)稱為「基板」)S的基板載置面50。基板載置面50具有表面粗糙度Ra為2 μ m以上6 μ m以下的粗糙表面的粗化部51和將該粗化部51的周圍包圍的本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
１．一種基板載置臺(tái)，其特征在于，包括：基材；和覆蓋該基材的絕緣膜，通過所述絕緣膜形成載置基板的基板載置面，并且在該基板載置面具有表面粗糙度Ｒａ為２μｍ以上６μｍ以下的粗化部、和在所述粗化部的周圍設(shè)置的表面粗糙度Ｒａ小于２μｍ的平滑部。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：南雅人，奧山幸一，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP