TFT基板及其制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種TFT基板及其制作方法。本發(fā)明專利技術(shù)的TFT基板的制作方法，采用底柵極結(jié)構(gòu)制作TFT基板，整個(gè)制程使用七道光罩完成，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有效減少了光罩的使用數(shù)量，簡(jiǎn)化了TFT基板的制作流程，同時(shí)有效提升產(chǎn)品良率，提高產(chǎn)能；通過對(duì)半導(dǎo)體圖案的兩端進(jìn)行離子重?fù)诫s形成源極與漏極，不僅可以減少工藝流程，而且制得的源極與漏極無需經(jīng)過層間介電層的過孔與有源層兩端接觸，可有效降低接觸電阻，提高產(chǎn)品良率。本發(fā)明專利技術(shù)的TFT基板，采用底柵極結(jié)構(gòu)，整個(gè)TFT基板使用七道光罩即可制作完成，與現(xiàn)有技術(shù)相比，光罩的使用數(shù)量較少，TFT基板的制作流程簡(jiǎn)單，且產(chǎn)品良率與產(chǎn)能較高。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
TFT基板及其制作方法
本專利技術(shù)涉及顯示
，尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。
技術(shù)介紹
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流?，F(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。通常液晶顯示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶體管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)顯示器，也稱為有機(jī)電致發(fā)光顯示器，是一種新興的平板顯示裝置，由于其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應(yīng)范圍廣、體積輕薄、響應(yīng)速度快，而且易于實(shí)現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實(shí)現(xiàn)和集成電路驅(qū)動(dòng)器相匹配、易于實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。OLED通常包括：基板、設(shè)于基板上的陽極、設(shè)于陽極上的空穴注入層、設(shè)于空穴注入層上的空穴傳輸層、設(shè)于空穴傳輸層上的發(fā)光層、設(shè)于發(fā)光層上的電子傳輸層、設(shè)于電子傳輸層上的電子注入層、及設(shè)于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導(dǎo)體材料和有機(jī)發(fā)光材料在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無源矩陣型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動(dòng)顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。薄膜晶體管(TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣驅(qū)動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中的主要驅(qū)動(dòng)元件，直接關(guān)系到高性能平板顯示裝置的發(fā)展方向。低溫多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，簡(jiǎn)稱LTPS)，由于其具有高的電子遷移率，可以有效的減小TFT器件的面積，從而提升像素的開口率，增大面板顯示亮度的同時(shí)可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。傳統(tǒng)的低溫多晶硅TFT采用頂柵極(topgate)結(jié)構(gòu)，通過柵極(gate)遮擋溝道(channel)達(dá)到自對(duì)準(zhǔn)制作輕摻雜漏區(qū)(LDD)的目的，以減小柵極(gate)與輕摻雜漏區(qū)(LDD)的交疊，圖1為現(xiàn)有的低溫多晶硅TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，所述低溫多晶硅TFT基板包括從下到上依次層疊設(shè)置的襯底基板100、遮光層200、緩沖層300、有源層400、柵極絕緣層500、柵極600、層間介電層700、源極810與漏極820、平坦層900、公用電極910、鈍化層920、及像素電極930，其中，所述有源層400包括分別位于有源層400兩端的兩N型重?fù)诫s區(qū)430、位于有源層400中間的溝道區(qū)410、及分別位于兩N型重?fù)诫s區(qū)430與溝道區(qū)410之間的兩N型輕摻雜區(qū)420。上述低溫多晶硅TFT基板的制作方法中，遮光層200的圖形化制程、有源層400的圖形化制程、N型重?fù)诫s區(qū)430的摻雜制程、柵極600的圖形化制程與N型輕摻雜區(qū)420的摻雜制程、層間介電層700的圖形化制程、源極810與漏極820的圖形化制程、平坦層900的圖形化制程、公用電極910的圖形化制程、鈍化層920的圖形化制程、以及像素電極930的圖形化制程分別需要使用一道光罩完成，因此整個(gè)低溫多晶硅TFT基板的制程共需要10張光罩完成，工藝流程復(fù)雜，制作成本較高，且產(chǎn)品良率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，能夠有效減少光罩的使用數(shù)量，簡(jiǎn)化TFT基板的制作流程，同時(shí)有效提升產(chǎn)品良率，提高產(chǎn)能。本專利技術(shù)的目的還在于提供一種TFT基板，制作過程中光罩的使用數(shù)量較少，制作流程簡(jiǎn)單，且產(chǎn)品良率與產(chǎn)能較高。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)首先提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：步驟1、提供襯底基板，在所述襯底基板上沉積第一導(dǎo)電層，采用第一道光罩對(duì)所述第一導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，得到柵極；步驟2、在所述柵極與襯底基板上沉積柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層，采用第二道光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖形化處理，得到半導(dǎo)體圖案；步驟3、在所述半導(dǎo)體圖案及柵極絕緣層上形成光阻層，采用第三道光罩對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光顯影，得到對(duì)應(yīng)位于半導(dǎo)體圖案中間區(qū)域上方的光阻圖案，所述光阻圖案的縱剖面呈梯形；以該光阻圖案為掩膜板，對(duì)半導(dǎo)體圖案進(jìn)行離子重?fù)诫s處理，在所述半導(dǎo)體圖案上形成位于兩端的源極及漏極、及位于源極和漏極之間的有源層；步驟4、對(duì)所述光阻圖案進(jìn)行干蝕刻處理，減薄所述光阻圖案的厚度，從而暴露出所述有源層的兩端；以蝕刻后的光阻圖案為掩膜板，對(duì)所述有源層的兩端進(jìn)行離子輕摻雜處理，在所述有源層上形成位于兩端且分別與所述源極和漏極相連接的兩個(gè)離子輕摻雜半導(dǎo)體層、以及位于兩個(gè)離子輕摻雜半導(dǎo)體層之間的溝道區(qū)半導(dǎo)體層；步驟5、去除蝕刻后的光阻圖案，在所述有源層、源極、漏極、及柵極絕緣層上沉積第一鈍化層，在所述第一鈍化層上沉積平坦層，采用第四道光罩對(duì)所述第一鈍化層與平坦層進(jìn)行圖形化處理，在所述第一鈍化層與平坦層上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極上方的第一過孔；步驟6、在所述平坦層上沉積第一透明導(dǎo)電膜層，采用第五道光罩對(duì)所述第一透明導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理，得到公用電極；步驟7、在所述公用電極與平坦層上沉積第二鈍化層，采用第六道光罩對(duì)所述第二鈍化層進(jìn)行圖形化處理，在所述第二鈍化層上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極上方且位于第一過孔內(nèi)的第二過孔；步驟8、在所述第二鈍化層上沉積第二透明導(dǎo)電膜層，采用第七道光罩對(duì)所述第二透明導(dǎo)電膜層進(jìn)行圖形化處理，得到像素電極，所述像素電極經(jīng)由所述第二過孔與所述漏極相連接。所述步驟2中，在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層的步驟包括：在所述柵極絕緣層上沉積非晶硅層，采用結(jié)晶制程將非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層，所述多晶硅層即為半導(dǎo)體層。所本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積第一導(dǎo)電層(19)，采用第一道光罩(11)對(duì)所述第一導(dǎo)電層(19)進(jìn)行圖形化處理，得到柵極(20)；步驟2、在所述柵極(20)與襯底基板(10)上沉積柵極絕緣層(30)，在所述柵極絕緣層(30)上形成半導(dǎo)體層(35)，采用第二道光罩(12)對(duì)所述半導(dǎo)體層(35)進(jìn)行圖形化處理，得到半導(dǎo)體圖案(35’)；步驟3、在所述半導(dǎo)體圖案(35’)及柵極絕緣層(30)上形成光阻層(55)，采用第三道光罩(13)對(duì)所述光阻層(55)進(jìn)行曝光顯影，得到對(duì)應(yīng)位于半導(dǎo)體圖案(35’)中間區(qū)域上方的光阻圖案(551)，所述光阻圖案(551)的縱剖面呈梯形；以該光阻圖案(551)為掩膜板，對(duì)半導(dǎo)體圖案(35’)進(jìn)行離子重?fù)诫s處理，在所述半導(dǎo)體圖案(35’)上形成位于兩端的源極(51)及漏極(52)、及位于源極(51)和漏極(52)之間的有源層(40)；步驟4、對(duì)所述光阻圖案(551)進(jìn)行干蝕刻處理，減薄所述光阻圖案(551)的厚度，從而暴露出所述有源層(40)的兩端；以蝕刻后的光阻圖案(551)為掩膜板，對(duì)所述有源層(40)的兩端進(jìn)行離子輕摻雜處理，在所述有源層(40)上形成位于兩端且分別與所述源極(51)和漏極(52)相連接的兩個(gè)離子輕摻雜半導(dǎo)體層(42)、以及位于兩個(gè)離子輕摻雜半導(dǎo)體層(42)之間的溝道區(qū)半導(dǎo)體層(41)；步驟5、去除蝕刻后的光阻圖案(551)，在所述有源層(40)、源極(51)、漏極(52)、及柵極絕緣層(30)上沉積第一鈍化層(60)，在所述第一鈍化層(60)上沉積平坦層(70)，采用第四道光罩(14)對(duì)所述第一鈍化層(60)與平坦層(70)進(jìn)行圖形化處理，在所述第一鈍化層(60)與平坦層(70)上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極(52)上方的第一過孔(71)；步驟6、在所述平坦層(70)上沉積第一透明導(dǎo)電膜層(75)，采用第五道光罩(15)對(duì)所述第一透明導(dǎo)電膜層(75)進(jìn)行圖形化處理，得到公用電極(80)；步驟7、在所述公用電極(80)與平坦層(70)上沉積第二鈍化層(90)，采用第六道光罩(16)對(duì)所述第二鈍化層(90)進(jìn)行圖形化處理，在所述第二鈍化層(90)上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極(52)上方且位于第一過孔(71)內(nèi)的第二過孔(92)；步驟8、在所述第二鈍化層(90)上沉積第二透明導(dǎo)電膜層(95)，采用第七道光罩(17)對(duì)所述第二透明導(dǎo)電膜層(95)進(jìn)行圖形化處理，得到像素電極(91)，所述像素電極(91)經(jīng)由所述第二過孔(92)與所述漏極(52)相連接。...

【技術(shù)特征摘要】
1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積第一導(dǎo)電層(19)，采用第一道光罩(11)對(duì)所述第一導(dǎo)電層(19)進(jìn)行圖形化處理，得到柵極(20)；步驟2、在所述柵極(20)與襯底基板(10)上沉積柵極絕緣層(30)，在所述柵極絕緣層(30)上形成半導(dǎo)體層(35)，采用第二道光罩(12)對(duì)所述半導(dǎo)體層(35)進(jìn)行圖形化處理，得到半導(dǎo)體圖案(35’)；步驟3、在所述半導(dǎo)體圖案(35’)及柵極絕緣層(30)上形成光阻層(55)，采用第三道光罩(13)對(duì)所述光阻層(55)進(jìn)行曝光顯影，得到對(duì)應(yīng)位于半導(dǎo)體圖案(35’)中間區(qū)域上方的光阻圖案(551)，所述光阻圖案(551)的縱剖面呈梯形；以該光阻圖案(551)為掩膜板，對(duì)半導(dǎo)體圖案(35’)進(jìn)行離子重?fù)诫s處理，在所述半導(dǎo)體圖案(35’)上形成位于兩端的源極(51)及漏極(52)、及位于源極(51)和漏極(52)之間的有源層(40)；步驟4、對(duì)所述光阻圖案(551)進(jìn)行干蝕刻處理，減薄所述光阻圖案(551)的厚度，從而暴露出所述有源層(40)的兩端；以蝕刻后的光阻圖案(551)為掩膜板，對(duì)所述有源層(40)的兩端進(jìn)行離子輕摻雜處理，在所述有源層(40)上形成位于兩端且分別與所述源極(51)和漏極(52)相連接的兩個(gè)離子輕摻雜半導(dǎo)體層(42)、以及位于兩個(gè)離子輕摻雜半導(dǎo)體層(42)之間的溝道區(qū)半導(dǎo)體層(41)；步驟5、去除蝕刻后的光阻圖案(551)，在所述有源層(40)、源極(51)、漏極(52)、及柵極絕緣層(30)上沉積第一鈍化層(60)，在所述第一鈍化層(60)上沉積平坦層(70)，采用第四道光罩(14)對(duì)所述第一鈍化層(60)與平坦層(70)進(jìn)行圖形化處理，在所述第一鈍化層(60)與平坦層(70)上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極(52)上方的第一過孔(71)；步驟6、在所述平坦層(70)上沉積第一透明導(dǎo)電膜層(75)，采用第五道光罩(15)對(duì)所述第一透明導(dǎo)電膜層(75)進(jìn)行圖形化處理，得到公用電極(80)；步驟7、在所述公用電極(80)與平坦層(70)上沉積第二鈍化層(90)，采用第六道光罩(16)對(duì)所述第二鈍化層(90)進(jìn)行圖形化處理，在所述第二鈍化層(90)上形成對(duì)應(yīng)于所述漏極(52)上方且位于第一過孔(71)內(nèi)的第二過孔(92)；步驟8、在所述第二鈍化層(90)上沉積第二透明導(dǎo)電膜層(95)，采用第七道光罩(17)對(duì)所述第二透明導(dǎo)電膜層(95)進(jìn)行圖形化處理，得到像素電極(91)，所述像素電極(91)經(jīng)由所述第二過孔(92)與所述漏極(52)相連接。2.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，在所述柵極絕緣層(30)上形成半導(dǎo)體層(35)的步驟包括：在所述柵極絕緣層(30)上沉積非晶硅層，采用結(jié)晶制程將非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層，所述多晶硅層即為半導(dǎo)體層(35)。3.如權(quán)利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉元甫，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：武漢華星光電技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：湖北,42