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    一種CTCP版的制備方法技術

    技術編號:7062003 閱讀:272 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
    本發明專利技術公開了一種CTCP版的制備方法,它包括以下步驟:選擇基片,對基片進行堿洗;然后用硫酸溶液對基片進行中和;對基片表面進行粗糙化處理;用水進行沖洗,除去基片表面的電解灰,在一定溫度下通過堿溶液進行化學蝕刻,化學蝕刻后進行降溫,再用酸溶液進行第一次清洗,最后再用清水進行第二次清洗;對清洗后的基片進行陽極氧化處理;將在酸性溶液中浸漬封孔處理,然后進行烘干;對烘干后的基片進行涂布,形成感光層;對形成感光層的基片,進行四道烘干處理,形成預制感光板;將預制感光板進行曝光成像,最后在成像后的預制感光板上涂有顯影劑得到CTCP版。本發明專利技術不但不需要菲林片,而且擁有多層次的砂目,氧化密細致且密度好,耐印率較高。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種CTCP版的制備方法
    技術介紹
    目前市場上生產的普通陽圖PS版,均需要和菲林配套使用,不僅使得成本較高, 而且耐印率較低。
    技術實現思路
    本專利技術提供了一種CTCP版的制備方法,它不但不需要菲林片,而且擁有多層次的砂目,氧化密細致且密度好,耐印率較高。本專利技術采用了以下技術方案一種CTCP版的制備方法,它包括以下步驟步驟一, 首先選擇基片,在一定溫度下通過NaOH溶液對基片進行堿洗,然后再用清水進行清洗;步驟二,在正常溫度下對清洗后的基片用硫酸溶液進行中和,然后再用清水進行清洗;步驟三,對清洗后的基片表面進行粗糙化處理;步驟四,將粗糙化后的基片用水進行沖洗,除去基片表面的電解灰,在一定溫度下通過堿溶液進行化學蝕刻,化學蝕刻后進行降溫,再用酸溶液進行第一次清洗,最后再用清水進行第二次清洗;步驟五,對清洗后的基片進行陽極氧化處理;步驟六,將經過氧化處理后的基片在酸性溶液中浸漬封孔處理,然后進行烘干;步驟七,對烘干后的基片進行涂布,形成感光層;步驟八,對形成感光層的基片,進行四道烘干處理,形成預制感光板;步驟九,將預制感光板進行曝光成像,最后在成像后的預制感光板上涂有顯影劑得到CTCP版。所述的基片為鋁板或者鋁合金板;步驟一中的堿洗過程為用濃度為6-15%,溫度為45°C的NaOH溶液對基片正反面進行沖洗,沖洗時間為30秒;步驟二中的中和過程為 在常溫下,用濃度為18-20%的硫酸溶液對基片正反面進行沖洗,沖洗時間為30秒;步驟三中的粗糙化處理過程為將基片放入鹽酸、磷酸溶液中,濃度為鹽酸1.2% -1.5%,磷酸 0.6%,溶液溫度為,交流電流為800A-900A,時間為1-120秒,進行三相電解,形成多層砂目;步驟四中化學蝕刻的溫度為70°C,堿溶液包括的NaOH和6wt%鋁離子, 化學蝕刻后溫度降至30°C,酸溶液為含有的硫酸和0. 5wt%的鋁離子;步驟五中的陽極氧化處理的過程為將基片放入電解質中通過直流電進行電解反應從而在基片的表面形成陽極氧化膜;電解質為硫酸、磷酸、鉻酸、氨基磺酸、醋酸或者它們的混合物,電解溫度為10-40°C,電流密度0. 5-60A/dm2,電壓為l_50v,電解反應時間為10-120秒;步驟六中封孔工藝為酸性溶液為磷酸二氫鈉、氟化鋯鉀溶液,比例為磷酸二氫鈉氟化鋯鉀水= 10 1 1000,電導率為2800-3000 μ m,PH值為4-5,加熱到50°C-60°c,將基片在酸性溶液中浸漬20-30秒,然后用40-50°C的熱水進行清洗;步驟七中的涂布液為普通PS版的快速感光膠;步驟八中四道烘干,分別為105°C、80°C、8(TC、8(rC遠紅外加熱管,時間均為90 秒。本專利技術具有以下有益效果本專利技術提供了一種CTCP版的制備方法,它不但不需要菲林片,而且擁有多層次的砂目,氧化密細致且密度好,耐印率較高。 具體實施例方式本專利技術提供了一種CTCP版的制備方法,它包括以下步驟步驟一,首先選擇基片, 所述的基片為鋁板或者鋁合金板;在一定溫度下通過NaOH溶液對基片進行堿洗,堿洗過程為用濃度為6-15%,溫度為45°C的NaOH溶液對基片正反面進行沖洗,沖洗時間為30 秒;然后再用清水進行清洗。步驟二,在正常溫度下對清洗后的基片用硫酸溶液進行中和, 中和過程為在常溫下,用濃度為18-20%的硫酸溶液對基片正反面進行沖洗,沖洗時間為 30秒;然后再用清水進行清洗。步驟三,對清洗后的基片表面進行粗糙化處理,粗糙化處理過程為將基片放入鹽酸、磷酸溶液中,濃度為鹽酸1. 2% -1. 5%,磷酸0. 6 %,溶液溫度為26-32°C,交流電流為800A-900A,時間為1_120秒,進行三相電解,形成多層砂目。步驟四,將粗糙化后的基片用水進行沖洗,除去基片表面的電解灰,在一定溫度下通過堿溶液進行化學蝕刻,化學蝕刻的溫度為70°C,堿溶液包括的NaOH和6wt%鋁離子,化學蝕刻后溫度降至30°C,再用酸溶液進行第一次清洗,酸溶液為含有Iwt %的硫酸和0. 5wt% 的鋁離子,最后再用清水進行第二次清洗。步驟五,對清洗后的基片進行陽極氧化處理,陽極氧化處理的過程為將基片放入電解質中通過直流電進行電解反應從而在基片的表面形成陽極氧化膜;電解質為硫酸、磷酸、鉻酸、氨基磺酸、醋酸或者它們的混合物,電解溫度為 10-40°C,電流密度0. 5-60A/dm2,電壓為l_50v,電解反應時間為10-120秒。步驟六,將經過氧化處理后的基片在酸性溶液中浸漬封孔處理,封孔工藝為酸性溶液為磷酸二氫鈉、氟化鋯鉀溶液,比例為磷酸二氫鈉氟化鋯鉀水=10 1 1000,電導率為2800-3000 μ m, PH值為4-5,加熱到50°C -60°C,將基片在酸性溶液中浸漬20-30秒,然后用40_50°C的熱水進行清洗;然后進行烘干。步驟七,用普通PS版的快速感光膠對烘干后的基片進行涂布,形成感光層。步驟八,對形成感光層的基片,進行四道烘干處理,形成預制感光板;四道烘干, 分別為105°C、80°C、80°C、8(rC遠紅外加熱管,時間均為90秒。步驟九,將預制感光板進行曝光成像,最后在成像后的預制感光板上涂有顯影劑得到CTCP版。權利要求1.一種CTCP版的制備方法,其特征是它包括以下步驟步驟一,首先選擇基片,在一定溫度下通過NaOH溶液對基片進行堿洗,然后再用清水進行清洗;步驟二,在正常溫度下對清洗后的基片用硫酸溶液進行中和,然后再用清水進行清洗;步驟三,對清洗后的基片表面進行粗糙化處理;步驟四,將粗糙化后的基片用水進行沖洗,除去基片表面的電解灰,在一定溫度下通過堿溶液進行化學蝕刻,化學蝕刻后進行降溫,再用酸溶液進行第一次清洗,最后再用清水進行第二次清洗;步驟五,對清洗后的基片進行陽極氧化處理;步驟六,將經過氧化處理后的基片在酸性溶液中浸漬封孔處理,然后進行烘干; 步驟七,對烘干后的基片進行涂布,形成感光層; 步驟八,對形成感光層的基片,進行四道烘干處理,形成預制感光板; 步驟九,將預制感光板進行曝光成像,最后在成像后的預制感光板上涂有顯影劑得到 CTCP 版。2.根據權利要求1所述的一種CTCP版的制備方法,其特征是所述的基片為鋁板或者鋁合金板。3.根據權利要求1所述的一種CTCP版的制備方法,其特征是步驟一中的堿洗過程為 用濃度為6-15%,溫度為45°C的NaOH溶液對基片正反面進行沖洗,沖洗時間為30秒。4.根據權利要求1所述的一種CTCP版的制備方法,其特征是步驟二中的中和過程為 在常溫下,用濃度為18-20%的硫酸溶液對基片正反面進行沖洗,沖洗時間為30秒。5.根據權利要求1所述的一種CTCP版的制備方法,其特征是步驟三中的粗糙化處理過程為將基片放入鹽酸、磷酸溶液中,濃度為鹽酸1. 2% -1. 5%,磷酸0. 6%,溶液溫度為 ^-32°C,交流電流為800A-900A,時間為1_120秒,進行三相電解,形成多層砂目。6.根據權利要求1所述的一種CTCP版的制備方法,其特征是步驟四中化學蝕刻的溫度為70°C,堿溶液包括^wt %的NaOH和6wt %鋁離子,化學蝕刻后溫度降至30°C,酸溶液為含有Iwt %的硫酸和0. 5wt%的鋁離子。7.根據權利要求1所述的一種CT本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    1.一種CTCP版的制備方法,其特征是它包括以下步驟:步驟一,首先選擇基片,在一定溫度下通過NaOH溶液對基片進行堿洗,然后再用清水進行清洗;步驟二,在正常溫度下對清洗后的基片用硫酸溶液進行中和,然后再用清水進行清洗;步驟三,對清洗后的基片表面進行粗糙化處理;步驟四,將粗糙化后的基片用水進行沖洗,除去基片表面的電解灰,在一定溫度下通過堿溶液進行化學蝕刻,化學蝕刻后進行降溫,再用酸溶液進行第一次清洗,最后再用清水進行第二次清洗;步驟五,對清洗后的基片進行陽極氧化處理;步驟六,將經過氧化處理后的基片在酸性溶液中浸漬封孔處理,然后進行烘干;步驟七,對烘干后的基片進行涂布,形成感光層;步驟八,對形成感光層的基片,進行四道烘干處理,形成預制感光板;步驟九,將預制感光板進行曝光成像,最后在成像后的預制感光板上涂有顯影劑得到CTCP版。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:劉華禮
    申請(專利權)人:劉華禮
    類型:發明
    國別省市:32

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