一種偏氟乙烯單體的制備方法技術

本發明專利技術公開了一種偏氟乙烯單體的制備方法，采用二氟一氯乙烷作為原料，通過空管裂解或者水蒸氣稀釋裂解，經過前處理后，通過精餾得到偏氟乙烯單體，所述精餾采用3塔裝置，分別是偏氟乙烯脫輕塔脫除輕組分，偏氟乙烯精餾塔得到偏氟乙烯單體和側線除雜塔除去雜質和高沸物，并回收偏氟乙烯單體和未參與反應的二氟一氯乙烷。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及氟化工領域，具體地說涉及一種對原有的VDF (偏氟こ烯)単體生產エ藝流程的改進方法。
技術介紹
目前生產VDF單體的方法主要采用ニ氟ー氯こ烷(國際通用代號HCFC_142b)作為原料，通過空管裂解或者水蒸氣稀釋裂解，在經過一系列的前處理步驟，包括除碳、水洗、堿洗、壓縮、冷脫后，最終通過精餾得到VDF単體，而其中采用的精餾裝置為4塔精餾，1#VDF脫輕塔脫除輕組分，2#VDF精餾塔精餾得到VDF單體產品，3#142b脫輕塔主要回收VDF，4#142b精餾塔收集未反應的原料HCFC-142b。該方法在實際生產過程中，裂解氣中所含的雜質，包括CH3F、C2H3F、152a (CH3CHF2). C2H2ClF等并沒有合適的辦法從精餾系統中采出，大部分還是循環回到前面的流程，而雜質的存在與積累會影響產品VDF的純度，并且會對實 際的生產操作有比較大的影響。因此現有技術存在去除雜質困難的難題，并且會因此影響単體VDF的純度。由于VDF單體通常用于聚合反應，而聚合反應對單體的純度要求較高，一般要達到99. 95%以上，所以雜質的去除非常關鍵。另外在實際生產過程中，雜質的存在使得流程的操作不穩定，具體會體現在塔頂塔釜的溫度上，雜質積累到一定程度后會使得溫度很難控制，可見，雜質的存在也會對實際生產操作產生一定的影響。因此，本領域迫切需要提供ー種對目前的生產VDF単體的方法的改進，除去流程中的不同種類的雜質，且利于實際生產操作。
技術實現思路
本專利技術g在提供一種生產VDF單體的改進方法。本專利技術中，提供了一種偏氟こ烯單體的制備方法，采用ニ氟ー氯こ烷作為原料，通過空管裂解或者水蒸氣稀釋裂解，經過前處理后，通過精餾得到偏氟こ烯単體，所述精餾采用3塔裝置，分別是偏氟こ烯脫輕塔脫除輕組分，偏氟こ烯精餾塔得到偏氟こ烯単體和側線除雜塔除去雜質和高沸物，并回收偏氟こ烯単體和未參與反應的ニ氟ー氯こ烷。在另ー優選例中，所述前處理包括除碳、水洗、堿洗、壓縮、冷脫等步驟。在另ー優選例中，所述側線除雜塔塔頂溫度控制在-25 — _33°C，塔釜溫度控制在70 一 80°C，塔頂壓カ控制在O. 8 — O. 9MPa，全塔壓降控制在4 一 8KPa，摩爾回流比為40 —70。在另ー優選例中，所述側線除雜塔的各側線采出量以及塔頂塔釜采出量根據裂解氣的組成以及偏氟こ烯精餾塔的塔釜組成來調整；較佳地，所述側線除雜塔塔頂塔釜回收偏氟こ烯，采出量根據偏氟こ烯精餾塔釜出料量中偏氟こ烯的具體含量調整；優選采出量為I 一 I. 5kg/小時O在另ー優選例中，所述側線除雜塔的第45 — 50塊板進行側線雜質采出，采出量為I.4 - I. 8kg/ 小時。在另ー優選例中，所述雜質包括CH3F、C2H3F, CH3CHF2, C2H2C1F。在另ー優選例中，所述側線除雜塔的第85 — 93塊板進行側線ニ氟ー氯こ烷采出，米出量為16 — 18kg/小時。在另ー優選例中，所述側線除雜塔的進料位置為第68 — 72塊板。在另ー優選例中，所述偏氟こ烯精餾塔塔釜出料流量為18 — 22kg/小吋。在另ー優選例中，所述側線除雜塔塔釜底部采出高沸物雜質。據此，本專利技術提供了ー種對目前的生產VDF単體的方法的改進，除去流程中的不同種類的雜質，且利于實際生產操作。 附圖說明圖I為現有技術中精餾エ藝流程圖；其中I、VDF脫輕塔(塔)；2、VDF精餾塔(塔)；3、142b脫輕塔(塔)；4、142b精餾塔。；圖2為本專利技術提供的制備方法中精餾エ藝流程圖；其中I、VDF脫輕塔(塔)；2、VDF精餾塔(塔)；3、側線除雜塔(塔)。具體實施例方式專利技術人經過廣泛深入的研究，通過對裂解氣、各物流流股組分以及単體精餾流程的分析，提出了“兩塔合并、側線除雜”的技術改造方案，即將現有技術涉及的精餾段的2個塔合并為ー個塔，并從合并后的塔側線采出雜質，以達到去除雜質，并保證產品純度以及操作方便的目的。另外，需要回收的原料142b也是從合并后的塔身下部側線采出。在此基礎上，完成了本專利技術。如本文所用，“ 1#VDF脫輕塔”、“ 1#塔”或“偏氟こ烯脫輕塔”可以互換使用，都是指制備偏氟こ烯單體的エ藝涉及的精餾步驟中使用的脫除輕組分的裝置；所述的輕組分包括C2H2、⑶等。如本文所用，“ 2#VDF精餾塔”、“ 2#塔”或“偏氟こ烯精餾塔”可以互換使用，都是指制備偏氟こ烯單體的エ藝涉及的精餾步驟中使用的精餾得到VDF單體產品的裝置，是產品收集塔，收集產品VDF。如本文所用，“ 3#142b脫輕塔”或“ 3#塔”可以互換使用，都是指現有技術制備偏氟こ烯單體的エ藝涉及的精餾步驟中使用的回收VDF，即回收沒有從2#塔頂采出的VDF的裝置，這些回收的VDF并不是用來直接用作產品，因為純度不夠，而是循環至壓縮段與裂解氣一起進行后處理，以達到純度要求。如本文所用，“4#142b精餾塔”或“4#塔”可以互換使用，都是指現有技術制備偏氟こ烯單體的エ藝涉及的精餾步驟中使用的收集未反應的原料HCFC-142b的裝置。如本文所用，“側線除雜塔”是將現有技術制備偏氟こ烯単體的エ藝涉及的精餾步驟中使用的3#142b脫輕塔和4#142b精餾塔合并為ー塔，其塔板數為90 — 110，較佳地為100。如本文所用，“高沸物雜質”或“高沸物”可以互換使用，都是指沸點高于ニ氟ー氯こ烷的雜質。本專利技術中，一些物質的沸點關系為偏氟こ烯單體〈本專利技術提供的側線除雜塔的第45 — 50塊板采出的雜質〈ニ氟ー氯こ烷〈高沸物雜質。本專利技術提供的偏氟こ烯單體的制備方法是就現有技術制備偏氟こ烯單體的エ藝所涉及的精餾步驟進行改進，其中包括A、將3#142b脫輕塔和4#142b精餾塔合并為ー塔，稱為側線除雜塔；B、2#VDF精餾塔塔釜出料進入合并后的塔(側線除雜塔)；C、{R_除雜塔塔頂主要是回收VDF，純度達到了 99%左右，采出量根據2#塔釜出料量中VDF的具體含量而調整；D、側線除雜塔第48塊板側線采出一定量的物料，這部分物料可除去95%左右的雜質，包括 CH3F、C2H3F, 152a、C2H2ClF 等； E、側線除雜塔第90塊板側線采出未反應的原料142b，以便用于回收再利用，其純度達到了 99%左右；F、側線除雜塔塔釜底部采出高沸物雜質。本專利技術提供的改進方法中，所述側線除雜塔的各側線采出量以及塔頂塔釜采出量根據裂解氣的組成以及2#VDF精餾塔的塔釜組成來調整。由于生產過程中經常會有波動和干擾，一般通過監測裂解氣與2#塔釜組成中的VDF與雜質含量所占的比例，決定側線采出量，以達到理想的除雜效果。本專利技術在
技術介紹
基礎上改進設計的ー種VDF単體精餾エ藝流程，能夠將裂解過程產生的CH3F、C2H3F、152a、C2H2ClF等沸點介于VDF與142b之間的雜質脫除，以保證單體VDF的純度，并且也會利于實際生產的操作，避免產生不必要的操作困難。本專利技術提供的改進方法中，VDF的年產量在800 — 900t/a,所述側線除雜塔塔頂溫度控制在-25—33 °C (優選-28 — -32 0C )，塔釜溫度控制在70 — 80 °C (優選73 — 77°C )，塔頂壓カ控制在O. 8 — O. 9MPa (優選O. 85 一 O. 9MPa)，全塔壓降控制在4 一 8本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種偏氟乙烯單體的制備方法，采用二氟一氯乙烷作為原料，通過空管裂解或者水蒸氣稀釋裂解，經過前處理后，通過精餾得到偏氟乙烯單體，其特征在于，所述精餾采用3塔裝置，分別是偏氟乙烯脫輕塔脫除輕組分，偏氟乙烯精餾塔得到偏氟乙烯單體和側線除雜塔除去雜質和高沸物，并回收偏氟乙烯單體和未參與反應的二氟一氯乙烷。

【技術特征摘要】
1.一種偏氟こ烯單體的制備方法，采用ニ氟ー氯こ烷作為原料，通過空管裂解或者水蒸氣稀釋裂解，經過前處理后，通過精餾得到偏氟こ烯単體，其特征在于，所述精餾采用3塔裝置，分別是偏氟こ烯脫輕塔脫除輕組分，偏氟こ烯精餾塔得到偏氟こ烯単體和側線除雜塔除去雜質和高沸物，并回收偏氟こ烯単體和未參與反應的ニ氟ー氯こ烷。2.如權利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述側線除雜塔塔頂溫度控制在-25—33°C，塔釜溫度控制在70 — 80°C，塔頂壓カ控制在O. 8 — O. 9MPa，全塔壓降控制在.4- 8KPa，摩爾回流比為40 — 70。3.如權利要求I所述的制備方法，其特征在于，所述側線除雜塔的各側線采出量以及塔頂塔釜采出量根據裂解氣的組成以及偏氟こ烯精餾塔的塔釜組成來調整。4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述側線除雜塔塔頂塔釜回收偏氟こ烯，采...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周興貴，梁聰強，吳君毅，
申請(專利權)人：華東理工大學，
類型：發明
國別省市：