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    一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置制造方法及圖紙

    技術編號:8272521 閱讀:238 留言:0更新日期:2013-01-31 05:03
    本發明專利技術屬于晶體硅太陽能電池制絨設備技術領域,具體涉及一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置。該裝置包括反應室、氣體管道、噴淋裝置和反應離子擋板,其中,噴淋裝置位于反應室的頂部,氣體管道上設置有流量控制器;硅片正面上方添加反應離子擋板。本發明專利技術可以改善電池片在后續組件的焊接性能,有利于提高組件的穩定性和轉化效率;另外,本發明專利技術可控性好,靈活性高,適用于晶體硅太陽能電池的工業化生產。

    【技術實現步驟摘要】
    本專利技術屬于晶體硅太陽能電池制絨設備
    ,具體涉及一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置
    技術介紹
    太陽能作為一種綠色能源,以其取之不竭、無污染、不受地域資源限制等優點越來越受到人們的重視。在太陽電池的研制歷程中曾使用過各種半導體,硅是其中最重要的一種。按豐度排列.硅是地球上第二大元素。硅是單元素半導體,無毒,廢棄硅對環境沒有污染。因此硅至今仍是太陽電池的最佳選用材料。在太陽能電池的制造工藝流程中,RIE制絨逐漸成為降低晶體硅表面反射率,提高陷光效果的重要方法,尤其是在多晶硅方面,大大的減少了硅的表面反射率,提高了電池的 轉化效率。但是,在后續電池可靠性方面,電池主柵的焊接拉力也隨著降低。這樣,在一定程度上增加組件的串聯電阻,降低組件效率和功率,在后期的組件穩定性留下了隱患。
    技術實現思路
    本專利技術的目的是針對上述存在的問題而提供的一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,該裝置可控性好,靈活性高,適用于晶體硅太陽能電池的工業化生產。本專利技術的一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置采用的技術方案為包括反應室、氣體管道、噴淋裝置和反應離子擋板,其中,噴淋裝置位于反應室的頂部,反應氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應室,氣體管道上設置有流量控制器;在硅片的制絨過程中,在硅片正面上方添加反應離子擋板,通過控制反應離子檔板的位置,實現電池主柵區域未制絨的效果。所述的反應離子擋板位于電池正面上方0-100cm。所述的反應離子擋板位于電池正面上方O. Ol-IOcm0反應離子擋板位于硅片正面電池主柵區域正上方,形狀與電池主柵區域的形狀一致。反應離子擋板的寬度為0-30cm ;所述的反應離子擋板的寬度優選為O. 01-5cm。應離子擋板為至少一個,反應離子擋板之間相互平行。反應離子擋板由耐腐蝕材料制成。反應離子擋板優選由石墨制成;或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。本專利技術的有益效果是本專利技術的一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置包括反應室、氣體管道、噴淋裝置,噴淋裝置位于反應室的頂部,反應氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應室,氣體管道上設置有流量控制器,反應室中還設有反應離子擋板,置于需制絨硅片的正面上方。該裝置可控性好,靈活性高,能夠準確地在硅片電池主柵區域以外的區域制絨,實現電池主柵區域未制絨的效果,適用于晶體硅太陽能電池的工業化生產。另外,多個反應離子擋板的設計可以更好的適應產線工藝的變更。采用該裝置制備的晶體硅太陽能電池可以改善其焊接拉力,提高組件性能的穩定性以及轉化效率。附圖說明 圖I所示為本專利技術的結構示意 圖2所示為本專利技術實施效果圖。圖中,I.反應室,2.氣體管道,3.噴淋裝置,4.反應離子擋板,5.流量控制器,6.硅片,7.電池主柵區域。具體實施例方式 為了更好地理解本專利技術,下面結合附圖和實例來說明本專利技術的技術方案,但是本專利技術并不局限于此。一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,包括反應室I、氣體管道2、噴淋裝置3和反應離子擋板4,其中,噴淋裝置3位于反應室I的頂部,反應氣體通過氣體管道2由噴淋裝置 3進入反應室I,氣體管道2上設置有流量控制器5 ;在硅片6的制絨過程中,在硅片6正面上方添加反應離子擋板4,通過控制反應離子檔板4的位置,實現電池主柵區域7未制絨的效果。所述的反應離子擋板4位于娃片6正面上方0-100cm。所述的反應離子擋板4位于硅片6正面上方O. Ol-IOcm0反應離子擋板4位于硅片正面電池主柵區域7正上方,形狀與電池主柵區域7的形狀一致。反應離子擋板4的寬度為0-30cm ;所述的反應離子擋板4的寬度優選為O. 01_5cmo所述的反應離子擋板4為至少一個,而且多個反應離子擋板4之間相互平行。反應離子擋板4由耐腐蝕材料制成。反應離子擋板4優選由石墨制成,或者是由耐腐蝕的陶瓷材料、金屬材料或高分子材料的其中一種或幾種制成。采用該裝置制備的晶體硅太陽能電池可以改善其焊接拉力,提高組件性能的穩定性以及轉化效率。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,包括反應室、氣體管道、噴淋裝置,其特征在于,噴淋裝置位于反應室的頂部,反應氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應室,氣體管道上設置有流量控制器,反應室中還設有反應離子擋板,置于需制絨硅片的正面上方。

    【技術特征摘要】
    1.一種晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,包括反應室、氣體管道、噴淋裝置,其特征在于,噴淋裝置位于反應室的頂部,反應氣體通過氣體管道由噴淋裝置進入反應室,氣體管道上設置有流量控制器,反應室中還設有反應離子擋板,置于需制絨硅片的正面上方。2.根據權利要求I所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,其特征在于反應離子擋板位于娃片正面上方0-100cm。3.根據權利要求2所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,其特征在于反應離子擋板位于娃片正面上方O. Ol-IOcnio4.根據權利要求I所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝置,其特征在于反應離子擋板位于硅片正面電池主柵區域正上方,形狀與電池主柵區域的形狀一致。5.根據權利要求4所述的晶體硅太陽能電池RIE制絨裝...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:李秉霖姜言森任現坤張春艷程亮賈河順馬繼磊孫繼峰
    申請(專利權)人:山東力諾太陽能電力股份有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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