【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及封裝的
，具體為S0T26-3LB封裝引線框架。
技術介紹
標準的S0T26-3L封裝型式的引線框架為單基島與中間引腳相連.工藝流程為基島點上絕緣膠，絕緣膠上放置芯片。金絲鍵合在芯片焊區(qū)與引線框架3個引腳上，圖1中，I為基島、2為芯片、3為電源輸入腳、4為地線腳、5為輸出腳，其中地線腳4位于右側(cè)。現(xiàn)有的S0T26-3L產(chǎn)品電源輸入腳3，通過絕緣膠連接到芯片2底部，電源輸入腳3需加十幾伏特，或幾十伏特的電壓，由于點膠工藝無法保證點膠精準的厚度和絕緣膠封裝工藝中其材料絕緣強度不一致，還有成品在實際使用過程中工作時間的變長，溫度的升高，造成產(chǎn)品由電源輸入腳3透過絕緣膠、芯片2漏電。造成靜態(tài)漏電流會偏大或是逐漸變大， 消耗過多的電能，造成不必要的能源浪費，還會造成產(chǎn)品的失效，降低了產(chǎn)品合格率。
技術實現(xiàn)思路
針對上述問題，本專利技術提供了 S0T26-3LB封裝引線框架，其不會消耗過多的電能，不浪費能源，提高了產(chǎn)品的合格率。S0T26-3LB封裝引線框架，其技術方案是這樣的其包括基島、電源輸入腳、輸出腳、地線腳、芯片，基島表面點上絕緣膠后，絕緣膠上放置所述芯片，所述芯片上表面有輸出焊區(qū)、接地焊區(qū)、輸入焊區(qū)，其特征在于所述電源輸入腳通過金絲鍵合連接所述輸入焊區(qū)，所述地線腳位于左側(cè)，所述地線腳和所述基島相連接形成整體，所述接地焊區(qū)通過金絲鍵合連接所述基島，所述輸出腳位于右側(cè)，所述輸出腳通過金絲鍵合連接所述輸出焊區(qū)。采用本專利技術后，由于電源輸入腳通過金絲鍵合直接連接所述輸入焊區(qū)，故其電能直接輸送至芯片，不會消耗過多的電能，不浪費能源，提高了產(chǎn)品的合格...
【技術保護點】
SOT26?3LB封裝引線框架，其包括基島、電源輸入腳、輸出腳、地線腳、芯片，基島表面點上絕緣膠后，絕緣膠上放置所述芯片，所述芯片上表面有輸出焊區(qū)、接地焊區(qū)、輸入焊區(qū)，其特征在于：所述電源輸入腳通過金絲鍵合連接所述輸入焊區(qū)，所述地線腳位于左側(cè)，所述地線腳和所述基島相連接形成整體，所述接地焊區(qū)通過金絲鍵合連接所述基島，所述輸出腳位于右側(cè)，所述輸出腳通過金絲鍵合連接所述輸出焊區(qū)。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：劉康，侯友良，
申請(專利權)人：無錫紅光微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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