一種檢查SAT汽化閥堵塞的方法技術

本發明專利技術公開了一種檢查SAT(次常壓化學汽相淀積設備)汽化閥堵塞的方法，包括：通過一次成膜制作硼磷硅玻璃光片，作為測試片一；采用相同工藝和參數通過多次成膜制作與測試片一厚度相同的硼磷硅玻璃光片，作為測試片二；對測試片一和測試片二進行硼磷濃度測量；比較測試片一和測試片二中的硼磷濃度；當硼濃度相差大于等于0.4mol％，磷濃度相差大于等于0.2mol％，判定汽化閥堵塞；當硼濃度相差小于0.4mol％，磷濃度相差小于0.2mol％，判定汽化閥暢通。本發明專利技術檢查SAT汽化閥堵塞的方法能快速檢測BPSG成膜是否有濃度異常，能準確判斷汽化閥是否堵塞。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及集成電路制造領域，特別是涉及一種檢查SAT(次常壓化學汽相淀積設備)汽化閥堵塞的方法。
技術介紹
BPSG(硼磷硅玻璃)是集成電路中應用于制品金屬前絕緣層。由于在二氧化硅中摻雜了 B (硼)元素和P (磷)元素，因此其本身有較好的平坦性或和CMP (化學機械拋光設備)構成平坦化工藝，能夠對雜質(Na+)進行吸附。氣化閥是將液態源硼源和磷源進行氣化成氣體，再參與化學反應生成BPSG的一個部件。氣化閥內部暢通時，生產的BPSG膜層中BP濃度在不同的深度均勻分布；氣化閥內部堵塞時，會導致反應的初始階段氣化能力異常，導致兩個后果，即反應的初始階段BP摻雜不足或者過量，造成成膜初期濃度大幅偏低或者大幅偏高，這樣的結果是導致整個BPSG膜層中出現BP析出或者膜BPSG膜層剝落，導致絕緣層失效。傳統的方法通過對BPSG膜層進行SMS (二次離子質譜分析)分析，分析其中BP濃度的分布是否在成膜初期會有大幅偏低或者大幅偏高來判斷汽化閥是否堵塞，但是這種方法耗時長，費用高。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種檢查SAT汽化閥堵塞的方法，能快速檢測BPSG成膜是否有濃度異常，能準確判斷汽化閥是否堵塞。為解決上述技術問題本專利技術的檢查SAT汽化閥堵塞的方法，包括以下步驟(I)通過一次成膜制作硼磷硅玻璃光片，作為測試片一；(2)采用與步驟(I)相同工藝和參數通過多次成膜制作與測試片一厚度相同的硼磷娃玻璃光片，作為測試片二 ；(3)對測試片一和測試片二進行硼磷濃度測量；(4)比較測試片一和測試片二中的硼磷濃度；當硼濃度相差大于等于O. 4m0l%，磷濃度相差大于等于O. 2m0l%，判定汽化閥堵塞；當硼濃度相差小于O. 4mol %，磷濃度相差小于O. 2mol %，判定汽化閥暢通。其中，實施步驟⑴時，成膜時間為100秒。其中，實施步驟(2)時，通過五次成膜，每次成膜時間20秒制作測試片二。本專利技術的檢查SAT汽化閥堵塞的方法，通過制作兩枚厚度相同的測試片，兩枚測試片制作工藝和參數完全相同，不一樣的地方一枚是一次成膜，另外一枚是多次成膜疊加而成。在氣化閥有異常時，反應的初期BP濃度的是異常的，一次成膜的測試片初期BP濃度雖然不穩定，但因在一次成膜過程中濃度變化小，無法準確判斷汽化閥是否堵塞。一次成膜和多次疊加成膜的測定片利用在膜層中分別有一處BP濃度異常和多處濃度異常。用濃度測量儀器(比如XRF3640)測量這兩枚測定片的BP濃度時，多次成膜的測試片其BP濃度會比一次成膜的測試片BP濃度高很多或者低很多。通過比較這兩枚測定片中BP濃度差值的具體數值能準確判定該氣化閥是否堵塞。本專利技術的檢查SAT汽化閥堵塞的方法，能快速檢測BPSG成膜是否有濃度異常，能準確判斷汽化閥是否堵塞。附圖說明下面結合附圖與具體實施方式對本專利技術作進一步詳細的說明圖1是本專利技術的流程示意圖。圖2是本專利技術一實施例中測試片一的示意圖。圖3是專利技術一實施例中測試片一的SMS分析示意圖，顯示膜厚與BP濃度關系。圖4是專利技術一實施例中測試片二的示意圖。圖5是專利技術一實施例中測試片二的SMS分析示意圖，顯示膜厚與BP濃度關系。具體實施例方式如圖1所示，本專利技術的檢查方法，在工藝參數溫度4800C ;壓力200托；氣體氦氣6000毫升/分鐘，臭氧4000毫升/分鐘，TEOS (正硅酸二乙脂)600毫克/分鐘，TEB (三乙基硼酸)100毫克/分鐘，TEPO (磷酸三乙脂)50毫克/分鐘的條件下，包括以下步驟(I)如圖2所示，通過一次成膜，成長時間100秒，制作硼磷硅玻璃測試片一；(2)如圖4所示，通過五次成膜，每次成膜時間20秒，制作與所述測試片一厚度相同的硼磷硅玻璃測試片二；(3)用濃度測試儀XRF3640測量測試片一和測試片二的硼磷濃度；(4)比較測試片一和測試片二中的硼磷濃度；當硼濃度相差大于等于O. 4mol %，磷濃度相差大于等于O. 2mol %，判定汽化閥堵塞；當硼濃度相差小于O. 4mol %，磷濃度相差小于O. 2mol %，判定汽化閥暢通。 如圖3、圖5所示，通過SMS分析對測試片一和測試片二進行BP濃度測定，即可發現這兩枚測試片膜層BP濃度在發生汽化閥堵塞時相差很大。利用兩枚測試片膜層BP濃度的差值，采用濃度測試儀即能判斷出汽化閥是否堵塞。 以上通過具體實施方式和實施例對本專利技術進行了詳細的說明，但這些并非構成對本專利技術的限制。在不脫離本專利技術原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本專利技術的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種檢查SAT汽化閥堵塞的方法，其特征是，包括以下步驟：(1)通過一次成膜制作硼磷硅玻璃光片，作為測試片一；(2)采用與步驟(1)相同工藝和參數通過多次成膜制作與測試片一厚度相同的硼磷硅玻璃光片，作為測試片二；(3)對測試片一和測試片二進行硼磷濃度測量；(4)比較測試片一和測試片二中的硼磷濃度；當硼濃度相差大于等于0.4mol％，磷濃度相差大于等于0.2mol％，判定汽化閥堵塞；當硼濃度相差小于0.4mol％，磷濃度相差小于0.2mol％，判定汽化閥暢通。

【技術特征摘要】
1.一種檢查SAT汽化閥堵塞的方法，其特征是，包括以下步驟(1)通過一次成膜制作硼磷硅玻璃光片，作為測試片一；(2)采用與步驟(I)相同工藝和參數通過多次成膜制作與測試片一厚度相同的硼磷硅玻璃光片，作為測試片二 ；(3)對測試片一和測試片二進行硼磷濃度測量；(4)比較測試片一和測試片二中的硼磷濃度；當硼濃度相差大于等于O...

【專利技術屬性】
技術研發人員：程望陽，嚴瑋，周俊，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發明
國別省市：