一種導電膜復配促進劑制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種促進劑，提供一種導電膜復配促進劑，當其應用于非導體基材上，經(jīng)過烘干處理后，能夠形成一層導電膜，使該基材表面的方塊電阻較低，上銅速率較快，成膜鍍銅后背光評級較高，熱應力測試效果較好，能夠達到印制電路板生產(chǎn)測試的各項技術(shù)性能要求，所述導電膜復配促進劑包括水性分散體，所述水性分散體中含有導電聚合物單體及磺酸衍生物，所述水性分散體中添加有促進劑。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種導電膜復配促進劑
本專利技術(shù)涉及一種促進劑，尤其涉及一種導電膜復配促進劑。
技術(shù)介紹
一般來說，聚合物是絕緣體。但有一組特殊的聚合物，即本質(zhì)導電聚合物（如：EDOT與磺酸衍生物聚合而成的導電聚合物），其導電性介于半導體和金屬之間。近年來興起的，由于兼具金屬和聚合物的性能，很多研究和應用正迅速展開。現(xiàn)有技術(shù)中的導電膜，常與非導電基材結(jié)合，使非導體基材具有導電功能，在導電聚合物單體3,4-乙烯二氧噻吩(簡稱：EDOT)與磺酸衍生物的水性分散體中浸入經(jīng)過前期處理后的非導體基材，再取出后對其進行烘干等工藝處理，從而得到相應的一層導電膜；最后再對附著有導電膜的非導體基材進行各種性能測試。磺酸衍生物通常為聚苯乙烯磺酸鈉，所述導電膜具有半導體和金屬的雙重屬性。這層導電膜需要具備兩個條件：一方面導電膜要牢固且嵌入式的吸附于非導體基材表面，另一方面在附著的基礎上聚合并枝節(jié)形成致密的多層級網(wǎng)狀互聯(lián)的導電薄膜層，這樣才能保證導電膜附著于印制電路板非導電基材上導電性能、上銅速率、背光及熱應力的測試滿足要求。但由于非導體基材表面粗糙而不均勻，形成的導電膜不致密、不均勻，這就使得這層導電膜吸附于非導體基材微觀表面聯(lián)通效果差，結(jié)合不牢固，從而導致導電性差、上銅速率不理想、熱應力測試不理想及背光效果差，導致無法真正滿足印制電路板生產(chǎn)的相關性能指標。由導電聚合物單體3,4-乙烯二氧噻吩與磺酸衍生物的水性分散體形成的導電膜，其方塊電阻高達4.0×104～5.0×104Ω/□,上銅速率僅為0.5cm/min，成膜鍍銅后背光評級僅為5-6級，熱應力測試效果較差，無法達到印制電路板生產(chǎn)測試的各項技術(shù)性能要求。因此，為滿足市場需求，急需開發(fā)一種試劑，當其應用于非導體基材上后，能夠形成一層導電膜，使該基材的方塊電阻較低，上銅速率較快，成膜鍍銅后背光評級較高，熱應力測試效果較好，能夠達到印制電路板生產(chǎn)測試的各項技術(shù)性能要求。
技術(shù)實現(xiàn)思路
因此，針對以上內(nèi)容，本專利技術(shù)提供一種導電膜復配促進劑，當其應用于非導體基材上，經(jīng)過烘干處理后，能夠形成一層導電膜，使該基材的方塊電阻較低，上銅速率較快，成膜鍍銅后背光評級較高，熱應力測試效果較好，能夠達到印制電路板生產(chǎn)測試的各項技術(shù)性能要求。為達到上述目的，本專利技術(shù)是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：一種導電膜復配促進劑，包括水性分散體，所述水性分散體中含有導電聚合物及磺酸衍生物，所述水性分散體中添加有促進劑。進一步的改進是：所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉、聚乙烯醇、多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑、多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑中的任意一種或兩種以上的混合物。進一步的改進是：所述促進劑為聚乙烯醇，其分子量為1～50萬。進一步的改進是：所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉，其分子量為1～50萬。進一步的改進是：所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的混合物，所述聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的質(zhì)量百分比=（91～96）：（4～9）。進一步的改進是：所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉與多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑的混合物，所述聚乙烯磺酸鈉與多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑的質(zhì)量百分比為=（91～96）：（4～9）。進一步的改進是：所述促進劑與所述磺酸衍生物的質(zhì)量百分比=（5～35）：（65～95）。進一步的改進是：所述磺酸衍生物為聚苯乙烯磺酸鈉，其分子量為1～50萬。通過采用前述技術(shù)方案，本專利技術(shù)的有益效果是：本專利技術(shù)通過在含有導電聚合物單體及磺酸衍生物的水性分散體中添加促進劑，使聚合物與非導電基材接觸時，聚合物導電膜與非導電基材表面的濕潤性得到改善，降低了表面張力，從而實現(xiàn)導電膜牢固的嵌入式吸附于非導體基材表面，進一步提高了聚合物導電膜的致密性、均勻性，同時也提高了導電膜與非導體基材表面的結(jié)合強度。在導電性方面：導電方塊電阻從4.0×104～5.0×104Ω/□減低到100～200Ω/□；熱應力方面：在有鉛焊料溫度為288℃，浸錫三次，每次10s的條件下，未添加促進劑在浸錫之后其導電膜表面與鍍銅層就開始出現(xiàn)開裂現(xiàn)象；添加促進劑之后，在有鉛焊料288℃，浸錫三次，每次10s的條件下，其導電膜表面與鍍銅層仍不開裂。上銅速率方面從0.50cm/min提高到2.5cm/min；背光測試從6-7級提高到9-10級。具體實施方式以下將結(jié)合具體實施例來詳細說明本專利技術(shù)的實施方式，借此對本專利技術(shù)如何應用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。實施例一：一種導電膜復配促進劑，包括水性分散體，所述水性分散體中含有導電聚合物單體及磺酸衍生物，所述導電聚合物為3,4-乙烯二氧噻吩，所述磺酸衍生物為聚苯乙烯磺酸鈉，所述水性分散體中添加有促進劑，所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉（分子量：1～50萬）及多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的混合物，以制備100g的導電膜復配促進劑為例，各組分的含量如下：蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉1.65g聚乙烯磺酸鈉（分子量：20萬）0.8g多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑0.05g。所述聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的質(zhì)量百分比在（91～96）：（4～9）范圍內(nèi)皆可實現(xiàn)本專利技術(shù)的目的。將以上各組分混合，即制得導電膜復配促進劑。實施例二：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉1.87g聚乙烯磺酸鈉（分子量：30萬）0.63g。實施例三：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉1.62g聚乙烯磺酸鈉（分子量：40萬）0.88g。實施例四：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉2.375g聚乙烯醇（分子量：50萬）0.125g。實施例五：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉2.25g聚乙烯醇（分子量：35萬）0.25g。實施例六：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉1.875g聚乙烯磺酸鈉（分子量：10萬）0.6g多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑0.025g。其中，所述聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的質(zhì)量百分比在（91～96）：（4～9）范圍內(nèi)皆可實現(xiàn)本專利技術(shù)的目的。實施例七：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量(質(zhì)量百分比)蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉1.65g聚乙烯磺酸鈉（分子量：17萬）0.8g多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑0.05g。其中，所述聚乙烯磺酸鈉與多元醇聚氧丙烯醚表面活性劑的質(zhì)量百分比在（91～96）：（4～9）范圍內(nèi)皆可實現(xiàn)本專利技術(shù)的目的。實施例八：本實施例中，促進劑的各組分及其含量換成如下所示，其余步驟與實施例一致。組分名稱添加量蒸餾水95g3，4-乙烯二氧噻吩2.5g聚苯乙烯磺酸鈉1.875g聚乙烯磺酸鈉（分子量：1萬-本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種導電膜復配促進劑，包括水性分散體，所述水性分散體中含有導電聚合物單體及磺酸衍生物，其特征在于：所述水性分散體中添加有促進劑。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種導電膜復配促進劑，包括水性分散體，所述水性分散體中含有導電聚合物單體及磺酸衍生物，其特征在于：所述水性分散體中添加有促進劑，所述促進劑為聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的混合物，所述聚乙烯磺酸鈉與多元胺聚氧乙烯醚表面活性劑的質(zhì)量比=（91～96）：（4～9）；或聚乙烯磺酸鈉與...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫洪日，雷微，
申請(專利權(quán))人：廈門市安多特新材料科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：