【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及拾取裝置，本專利技術尤其涉及一種半導體器件的拾取裝置。
技術介紹
眾所周知，在半導體器件制造過程中，經常需要在一道工序完成以后，將所涉及的半導體器件從一個制造平臺拾取到下一個制造平臺，以便進行下一道加工工序。由于半導體器件是精細元器件，對半導體器件的拾取通常要求污染小、損傷小以及完好率高。但是，現有技術的半導體拾取裝置無法滿足這一要求。
技術實現思路
本專利技術提供了一種半導體器件的拾取裝置，它包含:吸氣管，與一抽氣裝置相連；以及吸嘴，與吸氣管相連。其中，吸嘴呈中空結構，并且吸嘴的壁含有多組吸氣孔，通過吸氣孔，吸氣管和吸嘴相通，從而在抽氣裝置抽氣時，吸氣管和吸嘴中相對于外界氣壓形成負壓，以實現對半導體器件的吸附作用并進而拾取半導體器件。采用本專利技術的半導體器件拾取裝置，可以大大減小污染、降低半導體器件制造過程中由于拾取而造成的損傷，從而大大提高半導體器件的完好率。附圖說明圖1是本專利技術的半導體器件拾取裝置的側視圖；圖2是本專利技術的半導體器件拾取裝置的俯視圖。其中，標號I為吸氣管；標號2為吸嘴；而標號3為吸氣孔。具體實施例方式下面參照附圖，說明本專利技術半導體器件拾取裝置的結構。如圖1所示，本專利技術的半導體器件拾取裝置由吸氣管I和吸嘴構成2。吸氣管I和吸嘴2相通，而吸氣管I與外界抽氣裝置(圖中未示出)相連，以確保吸氣管I以及吸嘴2中相對于外界保持在負壓狀態，從而實現對半導體器件的吸附和拾取。圖2示出的是吸嘴2的具體結構。圖2中示出的吸嘴2呈環狀橢圓形，在環狀結構的上、下、左、右處，對稱、均勻地分布著多組細小的吸氣孔。由于吸嘴2與吸氣管是相...
【技術保護點】
一種半導體器件拾取裝置，包含：吸氣管，與一抽氣裝置相連；以及吸嘴，與所述吸氣管相連，其中，所述吸嘴呈中空結構，并且所述吸嘴的壁含有多組吸氣孔，通過所述吸氣孔，所述吸氣管和吸嘴相通，從而在所述抽氣裝置抽氣時，所述吸氣管和吸嘴中相對于外界氣壓形成負壓，以實現對半導體器件的吸附作用并進而拾取所述半導體器件。
【技術特征摘要】
1.一種半導體器件拾取裝置，包含: 吸氣管，與一抽氣裝置相連；以及 吸嘴，與所述吸氣管相連， 其中，所述吸嘴呈中空結構，并且所述吸嘴的壁含有多組吸氣孔，通過所述吸氣孔，所述吸氣管和吸嘴相通，從而在所述抽氣裝置抽氣時，所述吸氣管和吸嘴中相對于外界氣壓形成負壓，以實現對半導體器件的吸附作用并進而拾取所述半導體器件。2.按權利要求1所述的半導體器件拾取裝置，其中，所述吸嘴是用聚醚醚酮即PEEK材料制成的。3.按權利要求1所述的半導體器件拾取裝置，其中，所述吸嘴呈環形或橢圓或圓形幾何形狀。4.根據前述任一權利要求所述的半導體器件拾取裝置，其中，所述吸氣孔在所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：龔平，孫宏偉，王建新，
申請(專利權)人：無錫華潤安盛科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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