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    在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備和方法技術

    技術編號:8761452 閱讀:235 留言:0更新日期:2013-06-06 23:09
    本發明專利技術在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備,設備至少有一臺熱蒸發沉積裝置,該裝置有具有滲透性微孔的管狀加熱器,包容管狀加熱器且與管狀加熱器之間形成套管空間的管狀保溫隔熱罩,導電膜材料或半導體材料置于管狀加熱器內,導電膜材料或半導體材料被管狀加熱器加熱蒸發,產生的蒸氣滲過管狀加熱器上的微孔,在管狀保溫隔熱罩和管狀加熱器之間形成的套管空間引導下流出管狀保溫隔熱罩軸向的狹縫開口,沉積在傳動裝置連續傳送到狹縫開口附近的玻璃或金屬基片上,經結晶形成導電膜或半導體膜層。本發明專利技術還公開了在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的方法。本發明專利技術解決了大面積沉積導電膜或半導體材料的均勻性問題。

    【技術實現步驟摘要】

    【技術保護點】
    在玻璃或金屬基片上沉積導電膜或半導體材料的設備,該設備至少有一臺熱蒸發沉積裝置,該裝置有具有滲透性微孔的管狀加熱器,包容管狀加熱器且與管狀加熱管之間形成套管空間的管狀保溫隔熱罩,在管狀保溫隔熱罩上面對玻璃或金屬基片處有軸向狹縫開口,導電膜材料或半導體材料置于管狀加熱器內,導電膜材料或半導體材料被管狀加熱器加熱蒸發,產生的蒸氣在蒸氣壓的作用下滲過管狀加熱器上的微孔、在管狀保溫隔熱罩和管狀加熱器之間形成的套管空間引導下流出管狀保溫隔熱罩軸向狹縫開口、沉積在傳動裝置連續傳送到狹縫開口附近的玻璃或金屬基片上,經結晶形成導電膜或半導體膜層。

    【技術特征摘要】

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:甘國工
    申請(專利權)人:甘國工,
    類型:發明
    國別省市:

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