本發明提供一種用于半導體熱處理設備的回轉機構及半導體熱處理設備，半導體熱處理設備還包括晶舟，回轉機構包括：支撐部，用于承載晶舟，支撐部具有第一限位部；驅動軸，用于驅動支撐部轉動，驅動軸具有第二限位部，第一限位部與第二限位部可拆卸地插接配...

本申請公開了一種離子束流測量頭及離子束流測量裝置，離子束流測量頭包括：收集板，用于收集所述離子束流中的正離子；至少兩個絕緣元件，每個所述絕緣元件一端與所述收集板固定連接，另一端可滑動地設置于所述收集板上，所述至少兩個絕緣元件朝向所述收集...

本發明提供一種流量比例控制方法、裝置和半導體加工設備，該方法包括：根據預先配置的硬件參數，確定各進氣管路組中所有進氣管路的通氣截面積中的最大值；確定多個區域中流量比值最大的區域，并將該區域對應的目標通氣面積設定為最大值；根據最大值以及各...

本申請提供一種半導體工藝設備及其點火腔室，點火腔室包括腔室本體和輸送管線，腔室本體包括燃燒室內壁和包圍燃燒室內壁的燃燒室外壁，二者之間形成稀釋氣通道，燃燒室外壁連有稀釋氣管線，稀釋氣管線與稀釋氣通道連通，燃燒室內壁連有燃料氣管線和助燃氣...

本申請涉及一種藥液管理方法、藥液管理設備及半導體工藝設備，藥液管理方法包括：接收到針對目標工藝槽的第一藥液更新需求，檢測目標工藝槽當前的狀態；響應于目標工藝槽處于響應第二藥液更新需求的狀態，比較第一藥液更新需求與第二藥液更新需求的優先級...

本發明提供了半導體工藝設備及其控制方法；其中，在半導體工藝設備控制方法中，響應于當前工藝任務開始執行，根據半導體工藝設備的標識信息的值判斷是否需要提前對下一工藝任務的控制模式進行切換；若是，控制下一工藝任務的控制模式從管道模式切換為串行...

本發明公開了一種故障模式影響判定方法和半導體工藝設備，包括：獲取n個評價主體對半導體工藝設備的m個故障的a種評價因子評分，n、m和a都為大于1的整數，根據n個評價主體對m個故障的a種評價因子評分，確定各個評價主體對各個故障的評分權重和評...

本說明書實施例提供了一種調度方法、裝置、半導體工藝設備及存儲介質，其中調度方法在當前狀態下，目標晶圓位于第一機械手上時，通過遍歷目標晶圓的下一步目標模塊，獲得多個第一備選序列；如此，通過遍歷目標晶圓的下一步目標模塊的方式獲得第一備選序列...

本申請提供一種半導體工藝設備、工藝腔室及下電極組件，下電極組件包括卡盤、邊緣環以及聚焦環，卡盤用于承載晶圓；邊緣環圍繞卡盤設置，用于保護聚焦環；聚焦環圍繞卡盤設置，并位于邊緣環的下方，聚焦環與邊緣環配合形成調節電，聚焦環為中空，聚焦環用...

本申請公開了一種工藝任務的執行方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：在預設的調節時機，獲取設定時間段內采集的實際大氣壓力的等效值，所述調節時機包括以下至少一個：工藝任務執行前、工藝任務中的工藝執行前和工藝中的主工藝步的前一工藝步執行前...

本申請提出一種半導體加工設備，包括反應腔室、上蓋以及：法蘭，設置于上蓋；導向件，與反應腔室相固定；第一導向組件，與上蓋相對固定，且抵接于導向件的第一側面；第二導向組件，與上蓋相對固定，且抵接于導向件的第二側面，所述第二側面與第一側面不共...

本申請公開了一種存片機構、翻轉機構、翻轉裝置及傳輸系統，涉及半導體裝備領域。一種存片機構包括：多個限位端，每個限位端在存片機構的中部區域至邊緣區域的方向上可移動，且每個限位端朝向中部區域的一側設有多層分別用于限位多片晶圓的限位槽。一種翻...

本發明公開一種承載裝置及半導體工藝腔室，屬于半導體工藝設備技術領域，所述的承載裝置包括依次堆疊的多個承載舟，其中，每個所述承載舟均包括多個舟片和多個導電結構，在每個所述承載舟中，相鄰的兩個所述舟片中的一者為奇數舟片另一者為偶數舟片；每個...

本說明書實施方式提供了一種溫度報警方法、裝置、半導體工藝設備及電子設備，該溫度報警方法應用于半導體工藝設備，半導體工藝設備中設置有多個加熱帶，包括：獲取目標加熱帶的工藝信息；基于目標加熱帶的工藝信息，確定目標加熱帶的目標安全溫度范圍；目...

本發明提供了一種溫度控制方法、裝置及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，該溫度控制方法用于對半導體設備中的目標溫區進行溫度控制，半導體設備包括用于對目標溫區進行加熱的加熱裝置，用于檢測目標溫區溫度的溫度傳感器和用于對目標溫區進行降溫的降...

本發明提供了一種半導體承載系統及半導體設備，涉及半導體設備技術領域，為解決相關技術提供的半導體設備中，晶圓的溫度均勻性差的問題而設計。該半導體承載系統包括承載裝置和能夠向承載裝置的承載面與晶圓之間形成的導熱空間供氣的氣路系統，該氣路系統...

本申請公開了一種勻流結構及半導體工藝設備的工藝腔室，涉及半導體領域。一種勻流結構，應用于半導體工藝設備的工藝腔室，勻流結構包括：第一勻流件、多個遮擋件和多個彈性件；第一勻流件設有沿勻流結構的中心至邊緣分布的多圈第一氣孔；多個遮擋件沿勻流...

本申請公開了一種磁控管驅動機構和磁控濺射設備，涉及半導體技術領域，可以在不開腔和不拆卸磁控管的前提下，調整靶材與磁控管的間距，大幅降低了成本。磁控管驅動機構包括：驅動組件，第一傳動組件和第二傳動組件；驅動組件與第一傳動組件連接，用于帶動...

本發明提供了一種工藝任務分配方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，該工藝任務分配方法包括：接收工藝加工任務，獲取工藝加工任務對應的晶圓盒中的待加工晶圓數量，判斷待加工晶圓數量是否小于第一預設數量；如果是，獲取半導體工藝設備中當前未分...

本申請公開了一種晶圓吸附裝置、吹掃盤及半導體工藝設備，晶圓吸附裝置包括：第一盤體，包括相對設置的第一面和第二面；手臂桿，中空設置，且手臂桿一端由第一面的中心貫通至第二面，另一端用于連接機械手臂以及抽氣裝置，以通過抽氣裝置經手臂桿對第一盤...