本發明公開了一種等離子體發生器及磁控濺射鍍膜機，等離子體發生器包括具有等離子體發生腔的殼體和用于向等離子體發生腔內通入氣體的供氣組件，等離子體發生腔設有多個進氣口，供氣組件設有用于分別通入兩種不同氣體的第一氣源和第二氣源，每個進氣口均連...

本發明公開了一種用于鍍膜機的自動上下料系統及控制方法，涉及鍍膜機的自動上下料技術領域，該系統包括載片轂和取放片工位，還包括控制器和用于在載片轂與取放片工位之間轉運料片的機械手，所述料片上設有定位標記，所述機械手上設有用于獲取所述料片圖像...

本發明公開了一種真空蒸鍍用蒸發裝置及臥式鍍膜機，真空蒸鍍用蒸發裝置包括加熱容器和用于將液態鍍膜材料滴入到加熱容器內的滴液組件，加熱容器的底部設有供液態鍍膜材料蒸發后的氣化物排出的多個噴口，加熱容器內設有用于承接滴液組件滴入的液態鍍膜材料...

本發明公開了一種用于AF膜的連續蒸發鍍膜裝置，包括安裝架，安裝架上間隔布置有多組蒸發機構，安裝架一側設置有多組數量與蒸發機構匹配的旋轉驅動機構，另一側設置有多組數量與蒸發機構匹配的加液機構，各蒸發機構連接在對應旋轉驅動機構上，各旋轉驅動...

本發明公開了一種真空鍍膜室，包括用于容納產品的鍍膜腔室，鍍膜腔室具有供產品進出的出入口和用于通入工藝氣體的進氣孔，鍍膜腔室內設有用于遮擋進氣孔的遮擋件和驅動遮擋件運動以調整遮擋位置的驅動裝置，通過調整遮擋件的遮擋位置使遮擋件在遮擋進氣孔...

本發明公開了一種真空鍍膜室，包括用于容納產品的鍍膜腔室，鍍膜腔室內安裝有一個以上陰極裝置，至少一個陰極裝置設有遮擋裝置，遮擋裝置包括分設于陰極裝置兩側的兩個隔擋機構，隔擋機構包括隔板和隔擋驅動組件，隔擋驅動組件與隔板相連并能驅動隔板運動...

本發明公開了一種輸送裝置及真空鍍膜生產線，輸送裝置包括第一底座和用于輸送工件轉架的可移動式輸送機，可移動式輸送機以能移動調整位置方式設置在第一底座上，可移動式輸送機設有用于驅動工件轉架轉動的轉架驅動組件。真空鍍膜生產線包括真空處理設備和...

本發明涉及真空鍍膜技術領域，且公開了一種用于AF膜的蒸發鍍膜裝置，包括安裝架，安裝架一側安裝有多組間隔布置的AF液蒸發機構，安裝架另一側安裝有與AF液蒸發機構數量匹配的擠液機構，安裝架在該側還安裝有儲液裝置，儲液裝置的出液端與各擠液機構...

本發明涉及真空鍍膜技術領域，且公開了一種多腔室真空鍍膜設備，真空鍍膜設備包括多個腔室，各腔室包括兩相對設置的腔壁，其中出入口腔室與相鄰腔室之間設有隔離門閥，還包括腔室門，腔室門、腔壁和隔離門閥共同圍合形成出入口腔室，腔室門活動鉸接在出入...

本發明公開了一種真空鍍膜裝置，包括安裝在鍍膜腔室內的旋轉架和安裝在鍍膜腔室側壁上的三組以上靶材，三組以上靶材環繞旋轉架的轉動軸線依次布置，旋轉架上安裝有多塊用于放置基片的矩形掛板，多塊矩形掛板環繞旋轉架的轉動軸線均勻間隔布置，三組以上靶...

本發明公開了一種連續鍍膜設備自動化上下料系統，包括：入料臺，用于輸入和存放待鍍膜玻片；出料臺，用于接納和輸出已鍍膜玻片；載片架和上下片站，所述上下片站為所述載片架提供上下料位置，并檢測是否有載片架進站，所述載片架用于在鍍膜設備與上下片站...

本發明公開了一種基于石墨刻蝕的材料優化方法，用于基于石墨刻蝕的材料優化裝置，裝置包括真空泵模塊、刻蝕腔、石墨靶材和流量計；真空泵模塊和流量計均通過閥門與刻蝕腔連接；石墨靶材安裝于刻蝕腔內；方法包括：在刻蝕腔中安裝材料基材；通過真空泵模塊...

本發明公開了一種用于制備低阻高透ITO膜的磁控濺射機，包括前處理室、鍍膜室和后處理室，所述鍍膜室一端與前處理室連接，另一端與后處理室連接，所述鍍膜室連接有多組分子泵組，所述分子泵組啟動時將所述鍍膜室內隔離為多個連續排列的腔室，最靠近前處...

本發明公開了一種用于真空磁控濺射鍍膜設備的洗氣方法，基于真空磁控濺射鍍膜設備的洗氣裝置，裝置包括真空泵模塊、洗氣腔、流量計和真空計；真空泵模塊、流量計和真空計均通過閥門與洗氣腔連接；方法包括以下步驟：步驟一：通過真空泵模塊將洗氣腔抽至第...

本發明公開了一種具有刻蝕和石墨轟擊工藝的AR+AF膜制備方法，首先在AR膜上進行刻蝕，在離子源區通入惰性氣體、刻蝕氣體和O2，將鍍有AR膜的基片送入所述離子源區，離化后的氣體對AR表面進行刻蝕處理，然后進行石墨轟擊，同時通入惰性氣體和O...

本發明公開了一種疏松氧化物薄膜的制備方法，首先以第一靶材和C靶共濺射，所述第一靶材材質為X，在基片上沉積X?C薄膜，然后使O<supgt;2?</supgt;氧化X?C薄膜，O<supgt;2?</supgt;與...

本發明公開了提高磁控濺射高反鋁中鋁膜和介質膜層附著力的工藝方法，在高反鋁的Al膜和介質膜之間制備AlN膜。制備AlN膜的方法為：對已經鍍制Al膜的基片的AL膜表面進行氮化處理形成AlN膜層或者在已經鍍制Al膜的基片的Al膜表面鍍制AlN...

本發明公開了一種AR膜層表面處理方法，在離子源區通入惰性氣體、O<subgt;2</subgt;和刻蝕氣體，將鍍有AR膜的基片送入所述離子源區，通過控制氣體流量、RF功率和刻蝕時間實現對所述AR膜層表面的不同厚度的刻蝕處理。...

本發明公開了一種提高AR+AF膜耐磨性和壽命的工藝方法，首先進行刻蝕，在離子源區通入惰性氣體、刻蝕氣體和O<subgt;2</subgt;，將鍍有AR膜的基片送入所述離子源區，離化后的氣體對AR表面進行刻蝕處理，然后進行后處...

本發明公開了一種真空鍍膜裝置，包括安裝在鍍膜腔室內的旋轉架和安裝在鍍膜腔室側壁上的一組以上靶材，旋轉架上安裝有多塊用于放置基片的矩形掛板，多塊矩形掛板環繞旋轉架的轉動軸線均勻間隔布置，旋轉架上于任意相鄰兩塊矩形掛板之間均設有將該相鄰兩塊...