為了提供一種能夠針對每個用戶選擇在預定時間的警報通知以及通知內容的自動分析系統，具有：自動分析裝置，其對患者檢體進行分析；存儲部，其存儲所述自動分析裝置的消耗品數據；控制部，其進行所述自動分析裝置的警報控制以及控制向所述存儲部的數據輸入...

本發明提供能夠在短時間內高精度地調整分注噴嘴相對于分注對象物的位置的自動分析裝置。本發明的自動分析裝置(10)具備具有進行液體的抽吸和噴出的分注噴嘴(113)的分注裝置(11)、作為收納分注噴嘴(113)進行抽吸和噴出的液體的容器的分注...

提供利用微波的等離子處理裝置，能抑制反射波從而輻射高的軸比的圓偏振波，此外，能選擇性地改變偏振波的輻射方式。具有：2n個固態元件微波源（2）；2n個同軸波導管變換器（3），其與固態元件微波源分別連接，將微波電力從TEM模變換成TE10模...

本發明的目的在于提供一種在利用光來計測液體樣品內所包含的粒子的尺寸時，能夠應對因各種理由而變化的靈敏度的技術。本發明的粒子計測裝置使用基準樣品來校正樣品所包含的粒子的尺寸，所述基準樣品具備具有與樣品容器窗相同的材質以及厚度的基準樣品窗，...

本發明提供一種檢體容器攝像裝置以及檢體處理裝置，能夠在確保檢體容器的距光源較遠的部分的照度的同時對檢體容器及其內部的檢體進行攝像。具備：架搬送路，其移送收納有放入了檢體的檢體容器的檢體架；照相機，其設置在所述架搬送路的側方，對位于所述架...

作業解析系統具有：作業測量部(210)，從測量給定的作業中的作業者的動作的傳感器收集測量數據；測量數據蓄積部(120)，蓄積作業測量部所收集的測量數據；以及測量數據解析部(220)，基于蓄積于測量數據蓄積部的測量數據，來對給定的作業進行...

本發明的目的在于提供一種分注裝置以及探頭的狀態確認方法，能夠抑制分注精度的降低并且掌握探頭的適當的更換時期。因此，本發明是一種分注裝置，其具備：探頭，其抽吸以及噴出液體；傳感器，其檢測所述探頭的前端的接觸；驅動部，其在上下方向上驅動所述...

本發明的目的在于，提供推定異物不良率的技術。本發明的評價裝置之一是評價組裝由多個部件構成的處理裝置的組裝作業的評價裝置，特征在于，評價裝置具備計算功能部以及不良率算出部，計算功能部取得表示重力所作用的方向的重力信息，按組裝作業中所含的每...

關于帶電粒子束裝置，提供一種能夠實現防止與拍攝圖像相關的畫質劣化的技術。帶電粒子束裝置具備向試樣照射帶電粒子束并將試樣的信息圖像化的拍攝裝置和計算機。計算機存儲通過多次掃描相同區域而得到的各圖像(掃描圖像)，將各圖像分類為包含劣化圖像的...

自動分析裝置(1)具有B/F分離部(104)、反應液吸引噴嘴(106)、置換液排出噴嘴(108)，B/F分離部(104)構成為能夠沿鉛直方向及水平方向移動，或者，具有B/F分離部(104)、反應液吸引噴嘴(106)、置換液排出噴嘴(10...

制作向站點導入的多個電池的充電計劃。一種充電計劃制作方法，制作簽訂一個或多個電力合同的一個或多個站點處的多個電池的充電計劃，其中，所述充電計劃制作方法具有以下內容：受理站點處的電力使用量、由多個電池消耗的預定的各消耗電力量、以及能夠對多...

本發明能夠無梳齒地形成孔，能夠使用便利性和自由度高的凝膠，防止由凝膠的溶脹導致的樣品的分離性能降低。電泳盒(1)具備：凝膠槽(2)；收納于凝膠槽(2)中的凝膠(7)；被投入緩沖液的緩沖液槽(3)，其為與凝膠槽(2)連續的槽，該緩沖液被注...

本發明的晶片處理裝置特征在于，具有：處理室（104），其配置在真空容器內部，在內側被處理用氣體；樣品臺（201），其配置于處理室內，支承處理對象的晶片，具有圓筒形；高低差部，其環狀地包圍樣品臺的上部的載置晶片（204）的載置面；氣體分散...

提供一種等離子體處理方法，是無需置換多種氣體，可以保護多孔質膜中的細孔、和存在于多孔質膜中的被稱為線縫的接縫的被處理體的蝕刻方法，在對于具有孔洞的Low―k膜進行等離子蝕刻的等離子體處理方法中，使用由含氟元素氣體和含碳元素氣體的混合氣體...

等離子處理裝置具備：具備載置半導體晶片的載置面的樣品臺；具備包圍樣品臺配置的環狀的薄膜電極的電介質制環；和覆蓋薄膜電極的電介質制的基座環，薄膜電極包含：位于比半導體晶片的背面低的位置的第1部分；位于比半導體晶片的主面高的位置的第2部分；...

本發明的目的在于提供一種減少手動清掃探針的頻度、提高了分析效率的自動分析裝置及探針的清洗方法。為此，本發明的自動分析裝置包括分注液體的探針和檢測所述探針的堵塞的堵塞檢測部，該自動分析裝置在所述堵塞檢測部檢測到所述探針的堵塞時，利用經調溫...

本發明目的在于，提供探測僅憑借從俯視圖得到的平面的尺寸數據得不到的形狀不良狀況、準確地進行蝕刻參數的控制的技術。為此，本發明的服務器基于形成于試樣的蝕刻形狀的特征量和目標值的變化量、與半導體制造裝置的蝕刻參數的相關數據來進行蝕刻參數的控...

本發明為了提供通過抑制等離子蝕刻處理中的帶電異物對樣品的附著從而能夠實現異物減少的等離子處理方法，提供如下等離子處理方法，具有：等離子處理室，使用等離子對樣品進行處理；高頻電源，供給用于生成所述等離子的高頻電力；靜電吸附電極，對所述樣品...

本發明的目的在于提供一種用戶容易掌握有壽命部件的當前的使用狀況、更換時期的自動分析裝置。為此，本發明是一種自動分析裝置，其對檢體中的分析對象進行分析，所述自動分析裝置具備：有壽命部件，其用于進行分析；控制部，其預測所述有壽命部件的剩余壽...

在本發明的具備水冷式的試劑冷藏庫的自動分析裝置中，也能通過使外部空氣在排出到內部空間前高效地冷卻、干燥，從而抑制在不希望的場所發生結露。在具備冷藏試劑的試劑冷藏庫的自動分析裝置中，所述試劑冷藏庫具有：冷卻水流路，該冷卻水流路將冷卻水提供...