掩模基板信息生成方法和掩模基板的制造方法技術

提供一種掩模基板信息生成方法和掩模基板的制造方法，可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺后掩模基板的平整度惡化而引起晶片曝光裝置制品成品率低的問題。該掩模基板信息生成方法，包括：取得表示掩模基板的主面的平整性的第一信息的工序；取得表示由根據上述第一信息和與曝光裝置的掩模吸盤的結構有關的信息進行的把上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及取得有關由上述模擬得到的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規格的信息的工序。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體領域的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半導體裝置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服務器。
技術介紹
隨著半導體器件的微細化的進展，對光刻工序的微細化的要求日益提高。器件的設計規則的微細化已達0.13μm，必須控制的圖形尺寸精度要求達到10nm程度的極嚴格的精度。其結果是，近年來，半導體制造過程中采用的光刻工序中的問題日益凸現。問題有作為圖形形成工序的高精度化的要因之一的光刻工序中采用的掩模基板的平整度。就是說，在伴隨微細化的光刻工序中的焦點容限減小中，掩模基板的平整度已經不能忽視。經過本專利技術人等對掩模基板的平整度的反復研究的結果，搞清楚了以下問題。掩模基板的表面形狀千差萬別，即使是同樣的平整度，也有凸形、凹形、鞍形及其混合形等各種形狀。因此，例如是同樣的平整度，在利用真空吸盤將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺的場合，根據掩模臺和真空吸盤的性質配合情況的不同，可出現在吸附時掩模基板發生大變形的場合，幾乎不變形的場合或相反平整度良好的場合。這是因為吸附后的掩模基板的平整度與吸附前的掩模基板的表面形狀有關，于是，即使是同樣的掩模基板也會因為真空吸附的部位不同而改變。然而，由于過去只對平整度進行管理，由于掩模基板的表面形狀而使得在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺時出現掩模基板平整度大為惡化的場合。于是，顯而易見，利用在這種平整度劣化的掩模基板上形成圖形而得到的曝光掩模制造半導體器件，就成為制品成品率低的重要原因。
技術實現思路
如上所述，本專利技術人等，在對將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺前后的掩模基板的平整度進行比較時，確認存在由于掩模基板的表面形狀而使得吸附后的平整度惡化，從而發現這一平整度惡化是制品成品率低的主要原因。本專利技術正是考慮到上述情況而提出的，其目的在于提供可以解決在將掩模基板吸附到晶片曝光裝置的掩模臺后掩模基板的平整度惡化而引起晶片曝光裝置制品成品率低的問題的、有效的曝光掩模的制造方法，掩模基板信息生成方法，半導體裝置的制造方法，掩模基板，曝光掩模及服務器。本專利技術的第一方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述第一信息和上述第二信息的對應關系，從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息的工序；將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。本專利技術的第二方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的對多個掩模基板的對應關系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。本專利技術的第三方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述信息的對應關系的工序；從作成的對應關系中選擇表示凸狀的表面形狀的信息工序；從上述多個掩模基板中選擇具有與所選擇的此信息有著上述對應關系的掩模基板的選擇工序；以及在所選擇的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。本專利技術的第四方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和該上述第一信息和上述第二信息的對應關系的工序；從作成的對應關系中選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。本專利技術的第五方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括從表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息和表示根據測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的對多個掩模基板的對應關系中，選擇表示所希望的平整度的第二信息，將具有與所選擇的此第二信息有著上述對應關系的第一信息所表示的表面形狀相同的表面形狀的掩模基板，以與上述多個掩模基板有別的方式制備的工序；以及在制備的此掩模基板上形成所希望的圖形的工序。本專利技術的第六方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括取得表示各掩模基板各掩模基板的主面的表面形狀的第一信息的工序；取得表示根據上述掩模基板的主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及判斷根據上述模擬所取得的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規格并在判斷合乎規格時處理上述掩模基板形成曝光掩模的工序。本專利技術的第七方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示吸附到曝光裝置的掩模臺前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及對應地存儲上述各掩模基板和上述第一信息及上述第二信息的工序。本專利技術的第八方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的信息的工序；以及存儲在所取得的信息中表示主面的表面形狀為凸狀的信息及與其相對應的掩模基板的工序。本專利技術的第九方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括對多個掩模基板的每一個，取得表示主面的表面形狀的第一信息和表示根據測定裝置測定的上述主面的平整度和曝光裝置的掩模吸盤的結構將各掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬所得到的平整度的第二信息的工序；以及對應存儲上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的工序。本專利技術的第十方面的半導體裝置的制造方法的特征在于包括將利用上述第一至第三方面任何一個的曝光掩模的制造方法制造的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，在所希望的基板上成像形成上述圖形的像的工序；以及根據上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。本專利技術的第十一方面的半導體裝置的制造方法的特征在于包括具備由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光體所組成的圖形，將上述主面的周邊區域的表面形狀朝向上述基板的周緣側，高度較上述主面的中央區域的表面低的形狀的曝光掩模吸附到曝光裝置的掩模臺上的工序；利用照明光學系統對形成于上述曝光掩模上的圖形進行照明，利用投影光學系統使上述圖形的像在所希望的基板上形成成像的工序；以及根據上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的層圖形化，并用于半導體元件的形成的工序。本專利技術的第十二方面的掩模基板的特征在于具備由具有主面的基板和覆蓋上述主面的遮光體組成的圖形，上述主面的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種掩模基板信息生成方法，包括：　　　　取得表示掩模基板的主面的平整性的第一信息的工序；　　　　取得表示由根據上述第一信息和有關曝光裝置的掩模吸盤的結構的信息進行的把上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及　　　　取得有關由上述模擬得到的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規格的信息的工序。

【技術特征摘要】
JP 2001-5-31 164695/2001;JP 2002-2-28 054919/20021.一種掩模基板信息生成方法，包括取得表示掩模基板的主面的平整性的第一信息的工序；取得表示由根據上述第一信息和有關曝光裝置的掩模吸盤的結構的信息進行的把上述掩模基板設置于上述曝光裝置上時的模擬得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及取得有關由上述模擬得到的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎規格的信息的工序。2.一種掩模基板信息生成方法，包括在多個掩模基板的各主面上主要有形成了圖案的第一區域和吸附到曝光裝置的掩模臺上的第二區域，取得表示這些掩模基板的主面的上述第一區域的平整性的第一信息的工序；取得這些掩模基板的主面的上述第二區域的平整度的第二信息的工序；以及對應地存儲上述第一信息和上述第二信息的工序。3.如權利要求2所述的掩模基板信息生成方法，其特征在于包括選擇上述第二信息的表面形狀為凸狀的掩模基板的工序。4.一種掩模基板信息生成方法，包括取得表示掩模基板的主面的表面形狀的第一信息、表示吸附到曝光裝置的掩模臺上前的上述主面的平整度的第二信息的工序；取得表示把上述曝光裝置的掩模臺上的掩模基板吸附配置在相對于吸盤0～90度旋轉后的方向上時的上述主面的平整度的第三信息的工序；以及取得有關由上述工序取得的第三信息是否合乎規格的信息的工序。5.一種掩模基板信息生成方法，包括在掩模基板的主面上主要有形成了圖案的第一區域和吸附到曝光裝置的掩模臺上的第二區域，取得表示該掩模基板的主面的上述第一區域的平整性的第一信息的工序；取得上述掩模基板的主面的上述第二區域的平整度的第二信息的工序；取得吸附到曝光裝置的掩模臺上時的上述第一區域的平整度的第三信息的工序；以及對應地存儲上述掩模基板以及上述第一、第二和第三信息的工序。6.一種掩模基板信息生成方法，包括取得表示掩模基板的主面的表面形狀的第一信息、表示吸附到曝光裝置的掩模臺上前的上述主面的平整度的第二信息的工序；取得表示把上述曝光裝置的掩模臺上的掩模基板吸附配置在相對于吸盤0～90度旋轉后的方向上時的上述主面的平整度的第三信息的工序；對應地存儲上述掩模基板以及上述第一、第二和第三信息的工序。7.一種掩模基板信息生成方法，包括取得表示掩模基板的主面的表面形狀的第一信息、表示吸附到曝光裝置的掩模臺上前的上述主面的平整度的第二信息的工序；取得表示把上述曝光裝置的掩模臺上的掩模基板吸附配置在相對于吸盤0～90度旋轉后的方向上時的上述主面的平整度的第三信息的工序；對應地存儲上述掩模基板以及上述第一、第二和第三信息的工序；以及取得有關上述第三信息是否合乎規格的信息的工序。8.如權利要求5～7中任一項所述的掩模基板信息生成方法，其特征在于在收容掩模基板的容器上顯示上述對應地存儲的各掩模基板以及上述第一、第二和第...

【專利技術屬性】
技術研發人員：伊藤正光，
申請(專利權)人：株式會社東芝，
類型：發明
國別省市：JP[日本]