【技術實現步驟摘要】
本技術是關于一種半導體器件，特別是一種具有柵極線結構的半導體器件。
技術介紹
1、隨著各種電子產品朝小型化發展的趨勢，半導體器件的設計也必須符合高積集度及高密度的要求。對于具備凹入式閘極結構的動態隨機存取存儲器(dynamic?randomaccess?memory，dram)而言，由于其可以在相同的半導體襯底內獲得更長的載子通道長度，以減少電容結構的漏電情形產生，因此在目前主流發展趨勢下，其已逐漸取代僅具備平面閘極結構的動態隨機存取記憶體。一般來說，具備凹入式閘極結構的動態隨機存取存儲器是由數目龐大的存儲單元(memory?cell)聚集形成陣列區，用來存儲信息，而每一個存儲單元可由晶體管組件與電容器組件串聯組成，以接收來自字線(word?line，wl)及位線(bitline，bl)的電壓信息。因應產品需求，所述陣列區中的存儲單元密度須持續提升，造成相關制作工藝與設計上的困難度與復雜度不斷增加。因此，現有技術或結構還待進一步改良以有效提升相關存儲器件的效能及可靠度。
技術實現思路
1、本技術之一目的在于提供一種半導體器件，在焊盤之間設置最底面低于金屬硅化物層的焊盤間隔，有效地隔絕焊盤與柵極線結構之間的接觸。藉此，可改善所述插塞結構與所述柵極線結構因可能產生的結構缺陷所衍生的短路問題，從而提高半導體器件的組件效能與操作表現。
2、本技術之一目的在于提供一種半導體器件包括襯底、多個插塞結構與多個柵極線結構、金屬硅化物層、多個焊盤以及多個焊盤間隔。所述插塞結構與所述柵極線
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1.一種半導體器件，其特征在于包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的最底面高于所述柵極線結構的最頂面。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的所述最底面還高于所述柵極線蓋層的最底面。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的所述最底面低于所述焊盤的最底面。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬硅化物層的最底面高于所述柵極線結構的最頂面。
8.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述插塞結構的最頂面高于所述柵極線結構的最頂面。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤的最底面高于所述柵極線結構的最頂面。
11.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔還物理
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第二間隙壁結構設置在相鄰的兩個所述焊盤間隔之間。
13.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述第一間隙壁結構和所述第二間隙壁結構分別包括依序設置在所述柵極線結構的側壁上的第一間隙壁、第二間隙壁和第三間隙壁，其中，所述第一間隙壁和所述第三間隙壁包括與所述焊盤間隔相同的材料。
14.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬硅化物層的最大寬度小于所述插塞結構的最大寬度。
15.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的最底面低于所述金屬硅化物層的最頂面。
16.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的最底面低于所述柵極線結構的最頂面。
17.根據權利要求16所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極線結構包括依序堆疊的半導體層、阻障層、及金屬層，所述焊盤間隔的所述最底面低于所述阻障層的最頂面。
18.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述第一間隙壁結構包括依序設置的第一間隙壁、空隙層及第三間隙壁，所述焊盤間隔的最頂面物理性接觸所述空隙層。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的最底面高于所述柵極線結構的最頂面。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的所述最底面還高于所述柵極線蓋層的最底面。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
6.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔的所述最底面低于所述焊盤的最底面。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬硅化物層的最底面高于所述柵極線結構的最頂面。
8.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述插塞結構的最頂面高于所述柵極線結構的最頂面。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤的最底面高于所述柵極線結構的最頂面。
11.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述焊盤間隔還物理性接觸所述第一間隙壁結構的所述最頂點。
...【專利技術屬性】
技術研發人員：馮立偉，
申請(專利權)人：福建省晉華集成電路有限公司，
類型：新型
國別省市：
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