本發(fā)明專利技術(shù)公開一種濕蝕刻基板的方法，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊。由于本蝕刻方法使用雙向蝕刻工藝，故可同時蝕刻多個基板以形成多個通孔。意即，在此濕蝕刻工藝中可同時形成所有所需的通孔。此外，每一蝕刻工藝操作中可蝕刻多個基板。因此，此種濕蝕刻基板的法能有效地減少工藝時間與制造成本。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及ー種晶片級光學(xué)間隙層(wafer level optical spacer),且特別是涉及ー種晶片級光學(xué)間隙層的エ藝改良。
技術(shù)介紹
隨著電子產(chǎn)品微型化模塊及低價化的趨勢，晶片級模塊技術(shù)(wafer levelmodule,WLM)的開展備受矚目。晶片級模塊技術(shù)主要為在電子產(chǎn)品中采用晶片級制造技木，以縮小電子產(chǎn)品的體積并減少制造成本。舉例來說 ，將晶片級模塊的技術(shù)應(yīng)用于制作鏡頭模塊上，能使鏡頭模塊的體積遠小于傳統(tǒng)的鏡頭模塊的體積，進而便于應(yīng)用在例如筆記本型電腦、手機等電子裝置的相機模塊上。圖IA為已知的晶片級光學(xué)透鏡模塊的局部俯視圖，而圖IB為沿圖IA的AA’剖面線的晶片級光學(xué)透鏡模塊的局部剖面圖。請同時參照圖IA及圖1B，已知的晶片級光學(xué)透鏡模塊100至少包括透鏡基板110、第一間隙層120、第二間隙層130以及ー對基板142、144。透鏡基板110具有透光基板112及配置在透光基板112兩側(cè)的至少一透鏡114。透鏡基板110位于上述的ー對基板142、144之間。第一間隙層層120位于基板142及透光基板112之間以維持第一空間SI。此外，第二間隙層130位于基板144及透光基板112之間以維持第二空間S2。如圖IB所示，透鏡114位于第一空間SI及第ニ空間S2之間。在此晶片級光學(xué)透鏡模塊中，為了在間隙層中埋置至少ー個晶片級光學(xué)透鏡，必須在上述間隙層中形成通孔。一般而言，目前通常使用玻璃材料來形成間隙層。圖2為已知用于制造晶片級光學(xué)透鏡模塊的間隙層的方法。在此方法中，針對ー個基板，一次僅能制作出一個通孔，且在于基板上制作出多個通孔后，才可對下ー個玻璃基板進行通孔的制作。詳細而言，如圖2所示，當(dāng)要使用玻璃基板200來形成晶片級光學(xué)透鏡模塊的間隙層時，必須利用激光(LASER)在玻璃基板200上形成多個通孔201。然而，在此種激光鉆孔エ藝中，一次只能在玻璃基板200上制作出一個通孔201。此外，每次的激光鉆孔エ藝操作中僅可處理一片玻璃基板200。由此可知，已知利用激光鉆孔以形成多個通孔201的方法為較耗時且冗長，從而缺乏成本效益。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種，能節(jié)省通孔的制作時間。本專利技術(shù)提供一種，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊。包括以下步驟。首先，提供多個基板，并以掩模屏蔽每一基板，以形成多個經(jīng)屏蔽的基板。然后，在蝕刻槽中提供蝕刻劑。在預(yù)定時間中將經(jīng)屏蔽的基板浸于蝕刻劑中，以形成多個經(jīng)蝕刻的基板，其中每ー經(jīng)蝕刻的基板具有適于埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊的多個通孔。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，每ー基板的至少相對兩表面于預(yù)定時間中被蝕刻。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，上述的相鄰兩基板之間存在間隙。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，上述的蝕刻槽的底部具有多個溝槽，且這些溝槽對應(yīng)容納這些基板的一部分。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，每ー基板為玻璃基板，且此玻璃基板用以作為晶片級光學(xué)透鏡模塊的間隙層。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例,蝕刻劑包括氫氟酸(hydrofluoric acid, HF)。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，上述的基板的數(shù)目等于或大于十個。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，每ー掩模具有預(yù)定圖案，此預(yù)定圖案暴露每ー基板將被蝕刻的部分，井覆蓋每一基板不被蝕刻的其他部分。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，此方法還包括移除上述的經(jīng)蝕刻的基板的掩模及清潔上述的經(jīng)蝕刻的基板。根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，此方法還包括在于蝕刻槽中提供蝕刻劑后加熱蝕刻劑。綜上所述，根據(jù)本專利技術(shù)的實施例，透過此種，能同時在ー個基板上形成多個通孔。此外，由于本實施例的為雙向濕蝕刻法，因此能于每個蝕刻步驟中同時蝕刻多個基板。由此可知，上述能有效地減少エ藝時間與制造成本。 為讓本專利技術(shù)的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。附圖說明附圖為用以對本專利技術(shù)提供進ー步理解，這些附圖并入并構(gòu)成此說明書的一部分；其繪示本專利技術(shù)的實施例，并與說明書一同用以解釋本專利技術(shù)的原理。圖IA為已知的晶片級光學(xué)透鏡模塊的局部俯視圖。圖IB為沿圖IA的AA’剖面線的晶片級光學(xué)透鏡模塊的局部剖面圖。圖2為已知用于制造晶片級光學(xué)透鏡模塊的間隙層的方法。圖3為本專利技術(shù)實施例的的流程圖。圖4A至圖4E為使用圖3的的示意圖。附圖標(biāo)記說明100 :晶片級光學(xué)透鏡模塊110:透鏡基板112:透光基板114:透鏡120 :第一間隙層層130 :第二間隙層層142、144、300 :基板200 :玻璃基板201、305:通孔301 :掩模302 :預(yù)定圖案303 :蝕刻劑304 :蝕刻槽306a、306b :表面400 :經(jīng)屏蔽的基板402,404 :基板的部分500:經(jīng)蝕刻的基板G:間隙 SI :第一空間S2 :第二空間SllO S140:步驟LASER :激光具體實施例方式以下將仔細參照本專利技術(shù)的優(yōu)選實施例，其實例繪示附圖式。于任何可能情況下，附圖及說明書中所使用的相同標(biāo)號表示相同或類似的部分。這些附圖并未依實際比例繪示，而僅用以說明本專利技術(shù)。以下將參照用以說明的例示的實施方式敘述本專利技術(shù)的多個示例。應(yīng)理解所提供的許多特定細節(jié)、關(guān)系及方法為用以提供本專利技術(shù)的全面性理解。另外，本專利技術(shù)可以許多不同形式來體現(xiàn)，而不應(yīng)理解為僅限于以下所提出的實施例。舉例而言，本專利技術(shù)可以方法或系統(tǒng)來作為體現(xiàn)。本專利技術(shù)提供一種，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊。圖3為本專利技術(shù)實施例的的流程圖。圖4A至圖4E為使用圖3的的示意圖，其中上述方法適于同時形成多個通孔，且每一操作步驟能處理多個基板。請參照圖3及圖4A至4E，此包括以下步驟。首先，如圖4A所示，提供多個基板300(步驟S110)。然后，請參照圖4B，以掩模301屏蔽每一基板300，以形成多個經(jīng)屏蔽的基板400 (步驟S120)。在本實施例中，掩模301于蝕刻后可被移除。另外，掩模301具有用以在基板400上形成通孔的預(yù)定圖案302。詳細而言，每ー預(yù)定圖案302暴露基板400將被蝕刻的部分404，并覆蓋基板400不被蝕刻的其他部分402。然后，在蝕刻槽304中提供蝕刻劑303 (步驟S130)。其后，如圖4C及圖4D所示，在預(yù)定時間中將經(jīng)屏蔽的基板400浸在蝕刻劑303中，以形成多個經(jīng)蝕刻的基板500 (步驟S140)。至此，便完成濕蝕刻基板的エ藝。在本實施例中，由于經(jīng)屏蔽的基板400是浸在蝕刻劑303中，故每一基板400的至少相對兩表面306a、306b會于預(yù)定時間中被蝕刻。因此，本實施例的為ー種雙向濕蝕刻法。而為了增強此雙向濕蝕刻法，本實施例例如是將基板400排列于具有間隙G的蝕刻槽中，此間隙G存在于每兩個相鄰基板400之間。此外，為了確保在蝕刻エ藝中基板位置的穩(wěn)定性，蝕刻槽例如可于底部具有多個溝槽(未繪示)，且溝槽對應(yīng)容納基板400的一部分。在步驟S140之后，本實施例的還可包括移除經(jīng)蝕刻的基板500的每ー掩模301，以及清潔每ー經(jīng)蝕刻的基板500。然后，如圖4D與圖4E所示，每ー經(jīng)蝕刻的基板500便具有多個通孔305，且這些通孔305可埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊。請參照圖3及圖4A至圖4E，在執(zhí)行的過程中，每ー步驟中可處理多個基板300。舉例而言，在本實施例中，每ー濕蝕刻步驟中所使用的基板300的數(shù)目等于或大于十個，其中本實施例是以使用十個基板為例，本專利技術(shù)并不受限于此。此外，在每ー濕蝕本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種濕蝕刻基板的方法，用以形成多個通孔以埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊，該濕蝕刻基板的方法包括：提供多個基板；以掩模屏蔽每一基板，以形成多個經(jīng)屏蔽的基板；于蝕刻槽中提供蝕刻劑；以及在預(yù)定時間中將該多個經(jīng)屏蔽的基板浸于該蝕刻劑中，以形成多個經(jīng)蝕刻的基板，其中每一經(jīng)蝕刻的基板具有適于埋置多個晶片級光學(xué)透鏡模塊的多個通孔。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳振亨，
申請(專利權(quán))人：奇景光電股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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