一種清洗霧化噴射裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術涉及半導體晶片工藝技術領域，特別涉及一種清洗霧化噴射裝置。該清洗霧化噴射裝置，包括：上殼體、與上殼體連接的下殼體；上殼體為二階圓筒狀，包括第一階殼體和第二階殼體，第一階殼體的橫截面積小于第二階殼體的橫截面積；第一階殼體設有可與功率放大器連接的電纜接頭，第二階殼體中設有換能器；下殼體的兩側壁設有通氣孔隙，下殼體的中心位置設有霧化噴射通孔，通氣孔隙與霧化噴射通孔相通且具有夾角。本實用新型專利技術提供的清洗霧化噴射裝置，結構簡單，集成度高，可有效實現噴射超微霧化液滴，在不損傷晶片表面圖案的前提下，對晶片進行有效清洗，并最大程度的節約水資源。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種清洗霧化噴射裝置，其特征在于，包括：上殼體、與上殼體連接的下殼體；所述上殼體為二階圓筒狀，包括第一階殼體和第二階殼體，第一階殼體的橫截面積小于第二階殼體的橫截面積，所述第二階殼體中設有換能器；所述下殼體的兩側壁設有第二通氣孔，所述下殼體的中心位置設有霧化噴射通孔，所述第二通氣孔與霧化噴射通孔相通且具有夾角。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉效巖，吳儀，初國超，劉海曉，
申請(專利權)人：北京七星華創電子股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：