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    一種雙芯片玻封二極管制造技術

    技術編號:8474684 閱讀:208 留言:0更新日期:2013-03-24 19:55
    本實用新型專利技術公開了一種雙芯片玻封二極管,它包括:同軸布置的上玻殼和下玻殼,位于上玻殼中的上芯片,位于下玻殼中的下芯片,位于上玻殼上端內部的上杜鎂絲電極,位于下玻殼下端內部的下杜鎂絲電極,以及位于上、下玻殼之間的杜鎂絲塊;其中,上杜鎂絲電極上焊接有伸出上玻殼外的上電極引線,下杜鎂絲電極上焊接有伸出下玻殼外的下電極引線,杜鎂絲塊的上部和下部分別插設在上玻殼和下玻殼內,且杜鎂絲塊的一部分位于上玻殼和下玻殼的外部,上芯片嵌在杜鎂絲塊與上杜鎂絲電極之間,下芯片嵌在杜鎂絲塊與下杜鎂絲電極之間。本實用新型專利技術的雙芯片玻封二極管成本低廉,有利于優化線路板空間。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】

    一種雙芯片玻封二極管
    本技術涉及二極管的生產制造領域,具體涉及一種雙芯片玻封二極管。
    技術介紹
    傳統結構的二極管僅具有一個芯片,玻殼兩端內部各插設一個杜鎂絲電極,玻殼內裝有嵌在兩杜鎂絲電極之間的芯片,每個杜鎂絲電極上焊接一條電極引線。這種傳統結構的二極管不利于優化線路板空間尺寸。
    技術實現思路
    本技術目的是為了解決上述問題,提供一種可優化線路板空間的雙芯片玻封二極管。本技術的技術方案是本技術的雙芯片玻封二極管,包括同軸布置的上玻殼和下玻殼,位于上玻殼中的上芯片,位于下玻殼中的下芯片,位于上玻殼上端內部的上杜鎂絲電極,位于下玻殼下端內部的下杜鎂絲電極,以及位于上、下玻殼之間的杜鎂絲塊;其中,上杜鎂絲電極上焊接有伸出上玻殼外的上電極引線,下杜鎂絲電極上焊接有伸出下玻殼外的下電極引線,杜鎂絲塊的上部和下部分別插設在上玻殼和下玻殼內,且杜鎂絲塊的一部分位于上玻殼和下玻殼的外部,上芯片嵌在杜鎂絲塊與上杜鎂絲電極之間,下芯片嵌在杜鎂絲塊與下杜鎂絲電極之間。本技術的優點是I、本技術的二極管在使用時,可將杜鎂絲塊和上電極引線接入外界電路,構成一個電路獨立工作;也可將杜鎂絲塊和下電極引線接入外界電路,構成另一電路獨立工作。這種結構的一個二極管就具備了兩個傳統二極管的功能,便于優化線路板空間。2、本技術二極管在制作時,上下兩個玻殼同時高溫焊接,可以使四個焊點減少為三個,節省焊接成本,同時較少能源浪費。附圖說明以下結合附圖及實施例對本技術作進一步描述圖I為本技術實施例的結構示意圖;其中1-上玻殼,2-下玻殼,3-上芯片,4-下芯片,5-上杜鎂絲電極,6-下杜鎂絲電極,7-杜鎂絲塊,8-上電極引線,9-下電極引線。具體實施方式如圖I所示,本實施例的二極管包括同軸布置的上玻殼I和下玻殼2,位于上玻殼I中的上芯片3,位于下玻殼2中的下芯片4,位于上玻殼I上端內部的上杜鎂絲電極5,位于下玻殼2下端內部的下杜鎂絲電極6,以及位于上、下玻殼1、2之間的杜鎂絲塊3 ;其中,上杜鎂絲電極5上焊接有伸出上玻殼I外的上電極引線8,下杜鎂絲電極6上焊接有伸出下玻殼2外的下電極引線9,杜鎂絲塊7的上部和下部分別插設在上玻殼I和下玻殼2內,且杜鎂絲塊7的一部分位于上玻殼和下玻殼的外部,上芯片3嵌在杜鎂絲塊7 與上杜鎂絲電極5之間,下芯片4嵌在杜鎂絲塊7與下杜鎂絲電極6之間。本實施例的二極管在使用時,可將杜鎂絲塊7和上電極引線8接入外界電路,構成一個電路獨立工作;同時也可將杜鎂絲塊7和下電極弓I線9接入外界電路,構成另一電路獨立工作。這種結構的一個二極管就具備了兩個傳統二極管的功能,便于優化線路板空間。當然,上述實施例只為說明本技術的技術構思及特點,其目的在于讓人們能夠了解本技術的內容并據以實施,并不能以此限制本技術的保護范圍。凡根據本技術主要技術方案的精神實質所做的等效變換或修飾,都應涵蓋在本技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種雙芯片玻封二極管,其特征在于它包括:同軸布置的上玻殼(1)和下玻殼(2),位于上玻殼(1)中的上芯片(3),位于下玻殼(2)中的下芯片(4),位于上玻殼(1)上端內部的上杜鎂絲電極(5),位于下玻殼(2)下端內部的下杜鎂絲電極(6),以及位于上、下玻殼(1、2)之間的杜鎂絲塊(7);其中,上杜鎂絲電極(5)上焊接有伸出上玻殼(1)外的上電極引線(8),下杜鎂絲電極(6)上焊接有伸出下玻殼(2)外的下電極引線(9),杜鎂絲塊(7)的上部和下部分別插設在上玻殼(1)和下玻殼(2)內,且杜鎂絲塊(7)的一部分位于上玻殼和下玻殼的外部,上芯片(3)嵌在杜鎂絲塊(7)與上杜鎂絲電極(5)之間,下芯片(4)嵌在杜鎂絲塊(7)與下杜鎂絲電極(6)之間。

    【技術特征摘要】
    1.一種雙芯片玻封二極管,其特征在于它包括 同軸布置的上玻殼(I)和下玻殼(2), 位于上玻殼(I)中的上芯片(3), 位于下玻殼(2)中的下芯片(4), 位于上玻殼(I)上端內部的上杜鎂絲電極(5), 位于下玻殼(2)下端內部的下杜鎂絲電極(6), 以及位于上、下玻殼(1、2)之間的杜鎂絲塊(7); 其中,上杜鎂絲電極(5 ...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:王儉
    申請(專利權)人:蘇州群鑫電子有限公司
    類型:實用新型
    國別省市:

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