一種裸芯片老煉用引出裝置及老煉方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種裸芯片老煉用引出裝置及老煉方法，包括相匹配的凸點(diǎn)基板和定位基板，凸點(diǎn)基板上設(shè)有通過導(dǎo)帶相連接的凸點(diǎn)和外接焊盤，凸點(diǎn)設(shè)置在凸點(diǎn)基板的內(nèi)部，外接焊盤設(shè)置在凸點(diǎn)基板的四周，凸點(diǎn)基板上還設(shè)有第一固定孔和第一定位孔。本發(fā)明專利技術(shù)通過凸點(diǎn)基板和定位基板的設(shè)計(jì)，將芯片焊點(diǎn)與凸點(diǎn)相接觸，再通過焊帶引出至外接焊盤，實(shí)現(xiàn)了芯片電極引出，從而能夠?qū)崿F(xiàn)裸芯片老煉篩選，并且保證裸芯片老煉篩選后能夠進(jìn)行正常壓焊。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)屬于芯片老煉篩選
；涉及。
技術(shù)介紹
在高質(zhì)量等級(jí)的電路(特別是航天用電子產(chǎn)品)組裝過程中，需要在組裝前對(duì)元器件進(jìn)行加電老煉篩選，將隱含有內(nèi)部缺陷的器件篩除，達(dá)到保證電路產(chǎn)品質(zhì)量的目的。現(xiàn)有芯片老煉篩選采用的方法是封裝后完成老煉篩選，目前無成熟的能夠?qū)β阈酒M(jìn)行老煉篩選的方法。另一方面，混合集成電路組裝的工藝生產(chǎn)過程中需要對(duì)裸芯片進(jìn)行質(zhì)量篩選，目前沒有有效的方法對(duì)裸芯片進(jìn)行老煉篩選，只能采取抽樣評(píng)估的方法，通過按比例抽樣同批次芯片，進(jìn)行封裝后完成老煉試驗(yàn)，對(duì)芯片的批次質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估，無法在組裝前對(duì)芯片進(jìn)行100%老煉篩選，導(dǎo)致混合集成電路等以裸芯片為基礎(chǔ)的電路內(nèi)部芯片的質(zhì)量無法保障。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決的問題在于提供，通過將芯片電極弓I出，實(shí)現(xiàn)裸芯片老煉篩選，保證裸芯片老煉篩選后能夠進(jìn)行正常壓焊。本專利技術(shù)是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):一種裸芯片老煉用引出裝置，包括相匹配的凸點(diǎn)基板和定位基板，凸點(diǎn)基板上設(shè)有通過導(dǎo)帶相連接的凸點(diǎn)和外接焊盤，凸點(diǎn)設(shè)置在凸點(diǎn)基板的內(nèi)部，外接焊盤設(shè)置在凸點(diǎn)基板的四周，凸點(diǎn)基板上還設(shè)有第一固定孔和第一定位孔；定位基板上設(shè)有芯片放置孔，以及第二固定孔和第二定位孔；當(dāng)凸點(diǎn)基板和定位基板扣合后，凸點(diǎn)與芯片放置孔內(nèi)放置的裸芯片的焊點(diǎn)相接觸，第一定位孔與第二定位孔相對(duì)準(zhǔn)，第一固定孔與第二固定孔相對(duì)準(zhǔn)。所述凸點(diǎn)根據(jù)待老煉的裸芯片的焊點(diǎn)分布而布設(shè)，將待老煉的裸芯片的所有的焊點(diǎn)分別通過導(dǎo)帶引出至外接焊盤。所述的凸點(diǎn)基板為柔性印制板，導(dǎo)帶和外接焊盤印制在柔性印制板上，凸點(diǎn)電鍍?cè)谌嵝杂≈瓢迳稀?所述的凸點(diǎn)與裸芯片的焊點(diǎn)一對(duì)一相接觸。所述的定位基板為環(huán)氧樹脂基板，第一定位孔與第二定位孔相對(duì)準(zhǔn)后通過定位螺栓相連接；通過第一定位孔與第二定位孔相對(duì)準(zhǔn)來定位凸點(diǎn)與裸芯片的焊點(diǎn)準(zhǔn)確接觸。所述裸芯片的焊點(diǎn)外引至外接焊盤后，凸點(diǎn)基板和定位基板之間的接觸電阻控制為:兩個(gè)外引線的電阻之和最大值為190 210mQ，最小值為120 135mQ，平均值為150 165mQ ;單個(gè)外引線的電阻平均值為80 85mQ。基于所述裸芯片老煉用引出裝置的老煉方法，包括以下步驟:I)將裸芯片放置在定位基板的芯片放置孔內(nèi)，將當(dāng)凸點(diǎn)基板和定位基板對(duì)準(zhǔn)并扣合后，使芯片焊點(diǎn)與凸點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)接觸；將凸點(diǎn)基板和定位基板固定后，裝入老化板中的插座中，在保護(hù)性氣氛下，對(duì)裸芯片進(jìn)行加電老化；2)將老化后的裸芯片取出，將凸點(diǎn)基板和定位基板連接至封裝芯片測(cè)試系統(tǒng)對(duì)裸芯片進(jìn)行測(cè)試，加裝環(huán)境保障裝置后，進(jìn)行三溫測(cè)試。所述的步驟I)中的保護(hù)性氣氛為氮?dú)猓獨(dú)獾捏w積含量低于0.5%。所述的步驟2)中環(huán)境保障裝置提供保護(hù)氣體，避免高溫測(cè)試時(shí)芯片表面高溫氧化，低溫測(cè)試時(shí)芯片表面結(jié)霜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)具有以下有益的技術(shù)效果:本專利技術(shù)提供的裸芯片老煉用引出裝置及老煉方法，通過凸點(diǎn)基板和定位基板的設(shè)計(jì)，將芯片焊點(diǎn)與凸點(diǎn)相接觸，再通過焊帶引出至外接焊盤，實(shí)現(xiàn)了芯片電極引出，從而能夠?qū)崿F(xiàn)裸芯片老煉篩選，并且保證裸芯片老煉篩選后能夠進(jìn)行正常壓焊。本專利技術(shù)提供的裸芯片老煉用引出裝置及老煉方法，為實(shí)現(xiàn)凸點(diǎn)與芯片焊點(diǎn)一對(duì)一接觸，進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，即第一定位孔和第二定位孔的對(duì)準(zhǔn)，保證了凸點(diǎn)基板與定位基板之間的相對(duì)位置，使得凸點(diǎn)與芯片焊點(diǎn)準(zhǔn)確接觸。本專利技術(shù)提供的裸芯片老煉用引出裝置及老煉方法，裸芯片電極引出凸點(diǎn)基板的引線電阻(從外引線點(diǎn)到芯片焊點(diǎn))小于芯片在封裝在常用的14線雙排直插外殼中的引線電阻(從引腳到芯片焊點(diǎn))，裸芯片電極引出凸點(diǎn)基板的電連接結(jié)構(gòu)能夠保證電極引出路徑的電阻足夠小，可以滿足裸芯片測(cè)試的需求。附圖說明圖1為凸點(diǎn)基板結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為定位基板結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，所述是對(duì)本專利技術(shù)的解釋而不是限定。參見圖1，圖2，一種裸芯片老煉用引出裝置，包括相匹配的凸點(diǎn)基板和定位基板，凸點(diǎn)基板上設(shè)有通過導(dǎo)帶3相連接的凸點(diǎn)I和外接焊盤2，凸點(diǎn)I設(shè)置在凸點(diǎn)基板的內(nèi)部，外接焊盤2設(shè)置在凸點(diǎn)基板的四周，凸點(diǎn)基板上還設(shè)有第一固定孔4和第一定位孔5 ；定位基板上設(shè)有芯片放置孔6，以及第二固定孔7和第二定位孔8 ；當(dāng)凸點(diǎn)基板和定位基板扣合后，凸點(diǎn)I與芯片放置孔6內(nèi)放置的裸芯片的焊點(diǎn)相接觸，第一定位孔5與第二定位孔8相對(duì)準(zhǔn),第一固定孔4與第二固定孔7相對(duì)準(zhǔn)。進(jìn)一步，為了將裸芯片的電極引出，凸點(diǎn)I根據(jù)待老煉的裸芯片的焊點(diǎn)分布而布設(shè)，將待老煉的裸芯片的所有的焊點(diǎn)分別通過導(dǎo)帶3引出至外接焊盤2。具體的，就需要根據(jù)待老煉裸芯片的焊盤分布進(jìn)行凸點(diǎn)陣列的位置、導(dǎo)帶連線、夕卜接焊盤的版圖設(shè)計(jì)。所述的凸點(diǎn)基板為柔性印制板，通過基板制造工藝進(jìn)行布線制造，導(dǎo)帶3和外接焊盤2印制在柔性印制板上，而凸點(diǎn)I電鍍?cè)谌嵝杂≈瓢迳稀榱耸雇裹c(diǎn)I與裸芯片的焊點(diǎn)(pad) —對(duì)一相接觸，進(jìn)行以下對(duì)準(zhǔn)設(shè)計(jì):所述的定位基板為環(huán)氧樹脂基板，第一定位孔5與第二定位孔8相對(duì)準(zhǔn)后通過定位螺栓相連接；通過第一定位孔5與第二定位孔8相對(duì)準(zhǔn)來定位凸點(diǎn)I與裸芯片的焊點(diǎn)準(zhǔn)確接觸。裸芯片的焊點(diǎn)外引至外接焊盤2后，凸點(diǎn)基板和定位基板之間的接觸電阻控制為:兩個(gè)外引線的電阻之和最大值為190 210m Q，最小值為120 135m Q，平均值為150 165mQ ;單個(gè)外引線的電阻平均值為80 85mQ。具體的，為驗(yàn)證裸芯片電極引出凸點(diǎn)基板的性能，對(duì)裸芯片電極引出凸點(diǎn)基板與芯片的接觸電阻進(jìn)行測(cè)試，兩個(gè)外引線的電阻之和最大值是202.668mQ，最小值為131.579mQ，平均值為161.408mQ，單個(gè)外引線的電阻平均值為80.704mQ。而在標(biāo)準(zhǔn)封裝中，兩個(gè)引腳的電阻之和最大值是308.407mQ，最小值為160.631mQ，平均值為216.889mQ，單個(gè)外引線的電阻平均值為108.444mQ。對(duì)比可知，裸芯片電極弓丨出凸點(diǎn)基板的引線電阻(從外引線點(diǎn)到芯片pad)小于芯片在封裝在常用的14線雙排直插外殼中的引線電阻(從引腳到芯片pad)，裸芯片電極引出凸點(diǎn)基板的電連接結(jié)構(gòu)能夠保證電極引出路徑的電阻足夠小，可以滿足裸芯片測(cè)試的需求。基于所述裸芯片老煉用引出裝置的老煉方法，包括以下步驟:I)將裸芯片放置在定位基板的芯片放置孔內(nèi)，將當(dāng)凸點(diǎn)基板和定位基板對(duì)準(zhǔn)并扣合后，使芯片焊點(diǎn)與凸點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)接觸；將凸點(diǎn)基板和定位基板固定后，裝入老化板中的插座中，在保護(hù)性氣氛下，對(duì)裸芯片進(jìn)行加電老化；具體的，所述的保護(hù)性氣氛為氮?dú)猓獨(dú)獾捏w積含量低于0.5% ；2)將老化后的裸芯從老化系統(tǒng)中取出，將凸點(diǎn)基板和定位基板連接至封裝芯片測(cè)試系統(tǒng)對(duì)裸芯片進(jìn)行測(cè)試(可以用現(xiàn)有通用的封裝芯片測(cè)試系統(tǒng)對(duì)裸芯片進(jìn)行測(cè)試，)，力口裝環(huán)境保障裝置后，進(jìn)行三溫測(cè)試。所述的環(huán)境保障裝置提供必要的保護(hù)氣體，避免高溫測(cè)試時(shí)芯片表面高溫氧化，低溫測(cè)試時(shí)芯片表面結(jié)霜。具體的，C4082為代表品種制造了凸點(diǎn)基板和定位基板，已經(jīng)進(jìn)行了實(shí)際應(yīng)用，老煉篩選效果明顯。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種裸芯片老煉用引出裝置，其特征在于，包括相匹配的凸點(diǎn)基板和定位基板，凸點(diǎn)基板上設(shè)有通過導(dǎo)帶（3）相連接的凸點(diǎn)（1）和外接焊盤（2），凸點(diǎn)（1）設(shè)置在凸點(diǎn)基板的內(nèi)部，外接焊盤（2）設(shè)置在凸點(diǎn)基板的四周，凸點(diǎn)基板上還設(shè)有第一固定孔（4）和第一定位孔（5）；定位基板上設(shè)有芯片放置孔（6），以及第二固定孔（7）和第二定位孔（8）；當(dāng)凸點(diǎn)基板和定位基板扣合后，凸點(diǎn)（1）與芯片放置孔（6）內(nèi)放置的裸芯片的焊點(diǎn)相接觸，第一定位孔（5）與第二定位孔（8）相對(duì)準(zhǔn)，第一固定孔（4）與第二固定孔（7）相對(duì)準(zhǔn)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種裸芯片老煉用引出裝置，其特征在于，包括相匹配的凸點(diǎn)基板和定位基板，凸點(diǎn)基板上設(shè)有通過導(dǎo)帶(3)相連接的凸點(diǎn)(I)和外接焊盤(2)，凸點(diǎn)(I)設(shè)置在凸點(diǎn)基板的內(nèi)部，外接焊盤(2)設(shè)置在凸點(diǎn)基板的四周，凸點(diǎn)基板上還設(shè)有第一固定孔(4)和第一定位孔(5)； 定位基板上設(shè)有芯片放置孔(6)，以及第二固定孔(7)和第二定位孔(8); 當(dāng)凸點(diǎn)基板和定位基板扣合后，凸點(diǎn)(I)與芯片放置孔(6)內(nèi)放置的裸芯片的焊點(diǎn)相接觸，第一定位孔(5)與第二定位孔(8)相對(duì)準(zhǔn)，第一固定孔(4)與第二固定孔(7)相對(duì)準(zhǔn)。2.如權(quán)利要求1所述的裸芯片老煉用引出裝置，其特征在于，凸點(diǎn)(I)根據(jù)待老煉的裸芯片的焊點(diǎn)分布而布設(shè)，將待老煉的裸芯片的所有的焊點(diǎn)分別通過導(dǎo)帶(3)引出至外接焊盤⑵。3.如權(quán)利要求1所述的裸芯片老煉用引出裝置，其特征在于，所述的凸點(diǎn)基板為柔性印制板，導(dǎo)帶(3)和外接焊盤(2)印制在柔性印制板上，凸點(diǎn)(I)電鍍?cè)谌嵝杂≈瓢迳稀?.如權(quán)利要求1所述的裸芯片老煉用引出裝置，其特征在于，所述的凸點(diǎn)(I)與裸芯片的焊點(diǎn)一對(duì)一相接觸。5.如權(quán)利要求1所述的裸芯片老煉用引出裝置，其特征在于，所述的定位基板為環(huán)氧樹脂基板，第一定位孔(5)與第二定位孔(8...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉帥洪，朱海峰，田竹蘭，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第九研究院第七七一研究所，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：