本實用新型專利技術提供一種薄膜形成裝置,在調整形成于基板的薄膜的膜厚的同時提高了蒸鍍材料的利用效率。真空蒸鍍裝置(100)具備:真空槽(1);基板保持器(2)和基板保持器保持部件(3),它們收納于所述真空槽(1)內;以及蒸鍍源,其在真空槽(1)中配置于基板保持器(2)的下方位置,作為蒸鍍源,具備蒸鍍彼此相同的蒸鍍材料的第一蒸鍍源(4)和第二蒸鍍源(5),第一蒸鍍源(4)和第二蒸鍍源(5)各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及薄膜形成裝置,特別涉及能夠對形成于基板的薄膜的膜厚進行調整的薄膜形成裝置。
技術介紹
在通過真空蒸鍍等在基板形成薄膜的薄膜形成裝置中,存在著使薄膜的膜厚在基板之間達到均勻、或者以形成預定的膜厚分布的方式調整膜厚的裝置。作為所述裝置的一例,已知這樣的裝置:在蒸鍍源與基板之間配設修正板,對從蒸鍍源向基板擴散的蒸鍍材料的量進行控制(例如,參照專利文獻I)。專利文獻I記載的蒸鍍裝置是能夠通過基板直線移動來進行蒸鍍的連續蒸鍍裝置,在該裝置中,為了得到預定的膜厚分布而配置在蒸鍍源與基板之間的修正板是以基板最靠近蒸鍍源的位置為中心設置的。具體地說明的話,在專利文獻I記載的蒸鍍裝置中,將修正板設置在蒸鍍源正上方并進行調整以使膜厚達到均勻。通過如上所述地在蒸鍍源與基板之間設置修正板,能夠對形成于基板的薄膜的膜厚進行修正。而且,通過調整修正板的尺寸和形狀,能夠更為主動地控制膜厚。專利文獻1:日本特許公開昭62-89866號公報然而,在通過在蒸鍍源與基板之間配設修正板來調整薄膜的膜厚的情況下,對于為了控制蒸鍍材料的擴散量而附著于修正板的蒸鍍材料,并未作為對基板的成膜材料而有效地利用。即,在利用修正板的薄膜形成裝置中,存在著蒸鍍材料的利用效率低的趨勢。其結果是,對于利用修正板的薄膜形成裝置,運轉成本、即成膜成本隨著附著于修正板的蒸鍍材料的量增多而增加。
技術實現思路
因此,本技術正是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供一種薄膜形成裝置,能夠在對形成于基板的薄膜的膜厚進行調整的同時提高蒸鍍材料的利用效率。根據本技術的薄膜形成裝置,通過下述方式解決所述課題,S卩,薄膜形成裝置具備:真空槽;基板保持部件,所述基板保持部件收納于所述真空槽內;以及蒸鍍源,所述蒸鍍源在所述真空槽中配置于所述基板保持部件的下方位置,其中,作為所述蒸鍍源,所述薄膜形成裝置具備蒸鍍彼此相同的蒸鍍材料的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源,所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。在上述薄膜形成裝置、即技術方案I記載的薄膜形成裝置中,著眼于在基板形成的薄膜的膜厚根據蒸鍍源的配置位置而變化的情況,來設置第一蒸鍍源和第二蒸鍍源,并使所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置在豎直方向和水平方向上不同。由此,第一蒸鍍源和第二蒸鍍源分別對基板相輔地成膜。即,第一蒸鍍源和第二蒸鍍源中的一個蒸鍍源以對另一個蒸鍍源所形成的薄膜的膜厚進行修正的方式成膜。因此,在技術方案I記載的薄膜形成裝置中,在調整薄膜的膜厚時,無需在現有的裝置中使用的修正板,或者能夠減小修正板,相應地提高了蒸鍍材料的利用效率。并且,通過蒸鍍材料的利用效率的提高,能夠削減運轉成本。另外,對于第一蒸鍍源和第二蒸鍍源各自的配置位置,通過實驗等掌握蒸鍍源的配置位置與僅利用位于該配置位置的蒸鍍源成膜的薄膜的膜厚的對應關系,然后,基于該對應關系推導出能夠得到具有預期的膜厚的薄膜的位置,并將推導出的該位置設定為配置位置。而且,也可以是,在技術方案I記載的薄膜形成裝置中,所述基板保持部件是能夠繞沿著豎直方向的旋轉中心旋轉的旋轉體,所述第一蒸鍍源配置成,在所述旋轉體的徑向上比所述第二蒸鍍源靠近所述旋轉中心、且在豎直方向上比所述第二蒸鍍源靠下方。根據上述結構,第一蒸鍍源對由基板保持部件保持的基板中靠近旋轉中心的基板集中地成膜。另一方面,第二蒸鍍源對靠基板保持部件的外緣的基板集中地成膜。其結果是,通過技術方案2記載的結構,對于在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜,能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。而且,也可以是,在技術方案I記載的薄膜形成裝置中,所述基板保持部件是能夠水平移動的移動體,在所述移動體的移動方向上比所述第一蒸鍍源靠下游側、且在水平方向中與所述移動方向交叉的交叉方向上夾著所述第一蒸鍍源的位置處配置有多個所述第二蒸鍍源,所述第一蒸鍍源配置成在豎直方向上比所述第二蒸鍍源靠下方。根據上述結構,在基板保持部件通過第一蒸鍍源的上方期間,第一蒸鍍源對基板成膜,然后在基板保持部件移動并通過第二蒸鍍源的上方期間,第二蒸鍍源以與已形成的薄膜重疊的方式對基板成膜。并且,在與基板保持部件的移動方向交叉的交叉方向上,在夾著第一蒸鍍源的位置配置有多個第二蒸鍍源。因此,第二蒸鍍源對由基板保持部件保持的基板中的、在上述交叉方向上遠離第一蒸鍍源的配置位置的基板進行成膜。以上的結果是,通過技術方案3記載的結構,對于在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜,能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。根據本技術的技術方案I記載的薄膜形成裝置,在調整薄膜的膜厚時,無需在現有的裝置中使用的修正板,或者能夠減小修正板,相應地提高了蒸鍍材料的利用效率。根據本技術的技術方案2或3記載的薄膜形成裝置,對于在由基板保持部件保持的各基板形成的薄膜,能夠調整膜厚以在基板間形成預期的膜厚分布。附圖說明圖1為示出本技術的第一實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意圖。圖2為關于本技術的第一實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關系的說明圖。圖3圖4圖。圖5系的說明圖。是示出本技術的第一實施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的圖。為示出本技術的第二實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意為關于本技術的第二實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關圖6是示出本技術的第二實施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的圖。標號說明1、11:真空槽;2、12:基板保持器;3、13:基板保持器保持部件;3a:旋轉軸部;3b:保持部件主體;4、14:第一蒸鍍源;5、15:第二蒸鍍源;16:保持部件驅動機構;16a:導軌;STl:第一工位;ST2:第二工位;100,200:真空蒸鍍裝置。具體實施方式本技術中的特征性的結構為,薄膜形成裝置具備:真空槽;基板保持部件,所述基板保持部件收納于所述真空槽內;以及蒸鍍源,所述蒸鍍源在所述真空槽中配置于所述基板保持部件的下方位置,其中,所述薄膜形成裝置具備作為所述蒸鍍源的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源,所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。下面,為了具體地說明上述結構,參照圖1至圖6對本技術的實施方式涉及的兩個例子進行說明。圖1至圖3是用于說明本實施方式的第一實施方式的圖。圖1為示出本技術的第一實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意圖。圖2為關于本技術的第一實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關系的說明圖。另外,在該圖中,標有符號R的值表示與基板保持器保持部件3的旋轉中心相距的距離,標有符號H的值表示與基板保持器2相距的豎直距離。圖3是示出本技術的第一實施方式中形成于基板的薄膜的膜厚分布的圖。另外,在該圖中,橫軸表示相對于基板保持器保持部件3的旋轉中心的位置,縱軸表示在各位置的基板形成的薄膜的膜厚相對于基準膜厚的相對膜厚。圖4至圖6是用于說明本實施方式的第二實施方式的圖。圖4為示出本技術的第二實施方式涉及的薄膜形成裝置的設備結構的示意圖。圖5為關于本技術的第二實施方式中的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源的位置關系的說明圖。另外,在該圖中,標有符號W的值表示與基板保持器12的中央線相距的距離,本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種薄膜形成裝置,所述薄膜形成裝置具備:真空槽;基板保持部件,所述基板保持部件收納于所述真空槽內;以及蒸鍍源,所述蒸鍍源在所述真空槽中配置于所述基板保持部件的下方位置,其特征在于,作為所述蒸鍍源,該薄膜形成裝置具備蒸鍍彼此相同的材料的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源,所述第一蒸鍍源和所述第二蒸鍍源各自的配置位置是在豎直方向和水平方向上相互不同的位置。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:林達也,姜友松,鹽野一郎,長江亦周,
申請(專利權)人:株式會社新柯隆,
類型:實用新型
國別省市:
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