封裝結構制造技術

一種封裝結構，包括一基板、一晶粒及多個錫球，其特征在于該基板另外提供一可與探針接合的元件，使探針尖頭在與基板接觸進行最終測試時，不需要再與錫球接合而造成錫球的損傷，除了能使封裝結構的外觀保持完整，并能進一步提升封裝結構的可靠度。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

一種封裝結構，特別是一種對電子元件封裝進行測試時有所改良的封裝結構。
技術介紹
在今日，電子產品已跟人類的生活密不可分，而市場一直希望電子產品能盡可能的縮小、輕量化，為了讓電子產品的尺寸能符合市場需求，勢必要將電子元件的大小持續縮小。目前最先進的半導體工藝都已經達到以納米來計算大小的水平，要在此種尺寸下進行電子元件的封裝并不是一件簡單的事，而電子元件封裝的質量對電子產品的質量又有很大的影響，因此在封裝的工序或工法上有任何的突破、改良，對整個產業界都是巨大的貢獻。電子元件封裝的流程包括:基板制作、打線、晶粒接合、封膠、測試等，其中，測試是確認產品質量的重要步驟，包括老化實驗、最終測試、外觀檢測。對于已經封裝完成的電子元件，要確認其是否能如期運作，這就是最終測試(Final Test ；FT)的工作；最終測試可包括針測，就是以兩個探針接觸電子元件并過電，通常探針所接觸的部位都是在封裝外層的錫球(solder ball)，由于探針具有尖頭，因此在探針接觸錫球時，常會在錫球表面造成坑洞，如此除了對錫球的外觀造成損壞，也可能影響封裝產品的可靠度，實有改良的必要。因此，本技術提供了一種封裝結構，由本技術所提供的封裝結構進行封裝，可避免在測試時因探針對錫球的接觸而使得錫球受損，使封裝產品的外觀及良率不被影響，進而提升封裝產品的質量。
技術實現思路
為了解決上述有關的問題，本技術的一主要目的在于提供一種封裝結構，通過提出一具有額外測試點封裝結構，使封裝完成在進行測試時，探針不需要接觸錫球，也就不會造成錫球的受損。依據上述各項目的，本技術提出一種封裝結構，包含一基板，基板有一上表面及與相對的一下表面，并配置有多個貫穿上表面至下表面的貫穿孔，且于每一貫穿孔中皆形成一內導線，并于內導線位于基板的上表面及下表面的一端分別形成電性連接的一群第一外導線及一群第二外導線，其中，位于下表面的一端上的第二外導線以散出方式配置于基板的兩側，第二外導線并在下表面的中央區域形成一晶粒配置區；一晶粒，配置于晶粒配置區，并通過多個焊墊與外導線電性鏈接；及多個錫球，配置于下表面的兩側，并與外導線電性鏈接；其中，配置于上表面的第一外導線上形成多個測試點。其中該基板的材質為高分子材料。其中該基板為一種印刷電路板。其中該基板為聚亞酰銨。其中所述錫球的聞度聞于或等于該晶粒的聞度。其中所述測試點由化學氣相沉積法形成。其中所述測試點由電鍍法形成。其中該晶粒以覆晶接合的方式與該基板接合。其中該下表面進一步配置有一封裝層，該封裝層并覆蓋該晶粒及該焊墊。其中該封裝層的材質為環氧樹脂。本技術的有益效果是:由本技術所提供的封裝結構進行封裝，可使探針在測試時僅需接觸測試點，而不需接觸錫球，避免錫球因與探針的接觸造成損壞，也使封裝產品的外觀及良率不被影響，進而提升封裝產品的質量。此外，由于本技術所提供的封裝結構簡單，故除了可以提升封裝結構的可靠度外，也可以有效地降低封裝的成本。附圖說明為能更清楚地說明本技術，以下結合較佳實施例并配合附圖詳細說明如后，其中:圖1是本技術的封裝結構基板剖面示意圖；圖2是本技術的封裝結構數組下視圖；圖3是本技術的封裝結構數組上視圖；圖4是本技術的第一實施例封裝結構剖面示意圖；圖5是本技術的第二實施例封裝結構剖面示意圖。具體實施方式本技術是一種封裝結構，通過提出新的元件，使電子元件封裝的產品更容易進行測試，進一步提高產品的可靠度，其中所提到的封裝工法或工序皆為已知的半導體相關技術，故在下述說明中，并不完整描述。此外，于下述內文中的附圖，并未依據實際的相關尺寸完整繪制，其作用僅在表達與本技術特征有關的示意圖。請參閱圖1，是本技術的封裝結構基板剖面示意圖。如圖1所示，基板12是由高分子材料所構成，例如:印刷電路板或是聚亞酰胺(Polyimide ；PI);基板12具有一上表面120及和與上表面120對應的一下表面122，基板12并配置有多個貫穿上表面120至下表面122的貫穿孔(圖未示)，在每一貫穿孔(圖未示)中都配置有內導線(trace) 123，且內導線123的兩端分別在上表面120及下表面122延伸并形成外導線121a、121b，其中，夕卜導線121a以電鍍(Plating)或化學氣相沉積(PECVD)法在上表面120形成多個測試點18，外導線121b以扇出(fan out)方式配置于基板12的下表面122的兩側,夕卜導線121b并在下表面122的中央區域形成一晶粒配置區1210 ;多個錫球16配置于下表面122的兩側，錫球16并與下表面122的外導線121b的扇出端電性連接。接著，請參閱圖2及圖3，是本技術的封裝結構數組下視圖及本技術的封裝結構數組上視圖。如圖2所示，一基板12上可以形成多組如圖1所示的結構，可從基板12下方看到每組結構均有至少兩個錫球16及至少兩組外導線121b ;再如圖3所示，從基板12的上方往下看，每組結構均有至少兩個測試點18。接著，請參閱圖4，是本技術的第一實施例封裝結構剖面示意圖。如圖4所示，晶粒14配置于晶粒配置區1210，使晶粒14上多個焊墊19面對下表面122，將焊墊19以覆晶(flip chip)的方式與下表面122接合，焊墊19并與外導線121b電性連接；晶粒14的高度等于或小于錫球16的高度，以避免封裝結構I的下表面122朝下放置時，晶粒14受到擠壓而受損；至于其他元件配置方式均與圖1相同，故不再贅述；在完成封裝結構I的封裝后，僅需以探針(圖未示)接觸測試點18，便能完成對封裝結構I的最終測試。再接著，請參閱圖5，是本技術的第二實施例封裝結構剖面示意圖。如圖5所示，封裝結構I’為封裝結構I在下表面122進一步配置一個高分子材質所形成的封裝層17，例如:此高分子材質可以為一種環氧樹脂(epoxy);而封裝層17是以涂布、點膠…等方式配置，并覆蓋了晶粒14、焊墊19及一部份的外導線121b ;封裝結構I’其余元件配置方式均與封裝結構I相同，故不再贅述。由本技術所提供的封裝結構1、1’進行封裝，可使探針(圖未示)在測試時僅需接觸測試點18，而不需接觸錫球16，避免錫球16因與探針(圖未示)的接觸造成損壞，也使封裝產品的外觀及良率不被影響，進而提升封裝產品的質量。雖然本技術以前述的較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本技術，任何熟習相像技藝者，在不脫離本技術的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本技術的專利保護范圍須視本 說明書所附的申請專利范圍所界定者為準。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種封裝結構，其特征在于，包括：一基板，該基板有一上表面及與相對的一下表面，并配置有多個貫穿該上表面至該下表面的貫穿孔，且于每一該貫穿孔中皆形成一內導線，并于所述內導線位于該基板的該上表面及該下表面的一端分別形成電性連接的一群第一外導線及一群第二外導線，其中，位于該下表面的一端上的該群第二外導線以散出方式配置于該基板的兩側，該群第二外導線并在該下表面的中央區域形成一晶粒配置區；一晶粒，配置于該晶粒配置區，并通過多個焊墊與所述外導線電性鏈接；及多個錫球，配置于該下表面的兩側，并與所述外導線電性鏈接；其中，配置于該上表面的該群第一外導線上形成多個測試點。

【技術特征摘要】
1.一種封裝結構，其特征在于，包括: 一基板，該基板有一上表面及與相對的一下表面，并配置有多個貫穿該上表面至該下表面的貫穿孔，且于每一該貫穿孔中皆形成一內導線，并于所述內導線位于該基板的該上表面及該下表面的一端分別形成電性連接的一群第一外導線及一群第二外導線，其中，位于該下表面的一端上的該群第二外導線以散出方式配置于該基板的兩側，該群第二外導線并在該下表面的中央區域形成一晶粒配置區； 一晶粒，配置于該晶粒配置區，并通過多個焊墊與所述外導線電性鏈接；及 多個錫球，配置于該下表面的兩側，并與所述外導線電性鏈接； 其中，配置于該上表面的該群第一外導線上形成多個測試點。2.根據權利要求1所述的封...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳石磯，
申請(專利權)人：標準科技股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：