處理基板的設備和方法技術

提供一種基板處理設備，所述基板處理設備包括：處理室，所述處理室提供處理基板的空間；排氣管，所述排氣管連接至所述處理室且提供通道，氣體經過所述通道從所述處理室排出到所述處理室外部；泵，所述泵安裝在所述排氣管上；以及閥，所述閥安裝在所述處理室和所述泵之間的所述排氣管上且開啟和閉合所述通道。所述閥包括：具有排氣孔的第一板以及第一驅動器，所述第一驅動器移動所述第一板使得所述排氣孔位于所述通道內或所述通道外。

【技術實現步驟摘要】

本文揭露的本專利技術涉及處理基板的設備，尤其涉及調整處理室的內壓的設備。
技術介紹
半導體制造エ藝在處理室內進行。此時，處理室的內壓通過安裝在排氣管上的泵控制在預定壓力。為此，安裝在排氣管上的閥的開啟/閉合操作是可控的。參照圖1，閥30移動安裝在排氣管20內的板31，以借此調整處理室10的內壓。板 31可根據エ藝壓カ的狀況而開啟排氣管20的通道21的至少一部分。當板31開啟通道21的一部分，氣體僅流經通道21的開啟區域21a，且被板31阻止流經通道21的閉合區域21b。因此，從處理室10中排放的氣流偏向開啟區域21a，由此處理室10內的氣體不均勻地流動。氣體的不均勻流動，取決于基板上的區域，改變了放置在處理室10內的基板的處理結果。
技術實現思路
本專利技術提供一種均勻地處理基板的設備。本專利技術實施例提供的基板處理設備包括處理室，所述處理室提供處理基板的空間；排氣管，所述排氣管連接至所述處理室且提供通道，氣體經過所述通道從所述處理室排出到所述處理室外部；泵，所述泵安裝在所述排氣管上；以及閥，所述閥安裝在所述處理室和所述泵之間的所述排氣管上且開啟和閉合所述通道，其中，所述閥包括第一板，所述第一板被提供為具有排氣孔；以及第ー驅動器，所述第一驅動器移動所述第一板使得所述排氣孔位于所述通道內或所述通道外。在一些實施例中，所述第一板可包括開啟區域，所述排氣孔設置在所述開啟區域中以通過氣體；以及閉合區域，所述閉合區域從所述開啟區域延伸且阻塞在所述排氣管的所述通道內的氣體的流動，其中，所述閉合區域具有大于所述通道面積的面積。在其它實施例中，所述開啟區域可具有小于所述通道的面積的面積。仍然在其它實施例中，所述閥可進ー步包括第二板，所述第二板設置在所述處理室和所述第一板之間的所述排氣管內，且開啟和閉合所述通道，其中所述排氣孔不設置在所述第二板中。還在其它實施例中，所述第一板可包括具有對應于所述通道的面積的開啟區域，且所述排氣孔可均勻地分布在所述開啟區域中。在本專利技術的其它實施例中，基板處理方法包括供應氣體至處理室內以處理基板；及通過連接至所述處理室的排氣管將氣體從所述處理室排出到所述處理室外部，其中，所述排出的氣體經過第一板的排氣孔，所述第一板的排氣孔設置在所述排氣管的通道內。在一些實施例中，所述第一板可包括開啟區域，所述開啟區域被提供為具有所述排氣孔且具有小于所述通道的面積的面積，其中，當氣體被排出時，所述開啟區域位于所述通道內，且所述排出的氣體的一部分流經所述排氣孔。在其它實施例中，在氣體被供應至所述處理室之前，可通過使所述第一板的閉合區域位于所述通道內而閉合所述排氣管，其中所述閉合區域具有大于所述通道的面積的面積，且所述排氣孔不設置在所述閉合區域中。仍然在其它實施例中，第二板可設置在所述第一板和所述處理室之間的所述排氣管內以開啟和閉合所述通道，其中，當氣體被排出時，所述第二板開啟所述通道，并且在氣體被供應至所述處理室之前，所述第二板閉合所述通道。還在其它實施例中，所述第一板可包括開啟區域，所述開啟區域被提供為具有所述排氣孔且具有對應于所述通道的面積，其中，當氣體被排出時，所述開啟區域位于所述通道內。附圖說明附圖被包括進來以提供本專利技術的進ー步理解，同時附圖被并入且構成本說明書的一部分。附圖示出了本專利技術的示例性實施例，且和說明書一起用來解釋本專利技術的原理。在 圖中圖I為示出在相關技術中閥開啟排氣管的通道的狀態的截面圖。圖2為示出根據本專利技術的一個實施例的基板處理設備的截面圖；圖3為示出圖2中的板的透視圖；圖4為示出根據本專利技術的另ー實施例的閥關閉排氣管的通道的狀態的截面圖；圖5為示出根據本專利技術的另ー實施例的閥開啟排氣管的通道的狀態的截面圖；圖6為示出根據本專利技術的另ー實施例的排氣構件的截面圖；以及圖7為示出根據本專利技術的另ー實施例、圖6中的閥開啟排氣管的通道的狀態的截面圖。具體實施例方式下文中將參照附圖詳細描述根據本專利技術的優選實施例的。有關公知的功能或配置的詳細描述將被排除以免不必要地模糊本專利技術的主題。圖2是示出根據本專利技術的一個實施例的基板處理設備的截面圖。參照圖2，根據當前實施例的基板處理設備10使用等離子體來處理基板W。基板處理設備10包括處理室100、基板支撐部200、氣體供應部300、等離子體產生部400和排氣構件500。處理室100提供處理基板W的空間。處理室100包括本體110、密封蓋120和襯墊(liner)130。本體110包括具有上開ロ的內部空間。本體110的內部空間作用為處理基板W的空間。本體110由金屬形成。本體110可以由鋁形成。排氣孔102設置在本體110的底部。排氣孔102作用為通道，氣體經過該通道停留在本體110內，并且在基板處理工藝中產生的反應副產物經過此通道被排出到本體110外部。密封蓋120覆蓋本體110的上開ロ。密封蓋120具有板的形狀，并密封本體110的內部空間。密封蓋120可以由不同于本體110的材料形成。密封蓋120可以由電介質(dielectric)材料構成。襯墊130設置在本體110內。襯墊130包括具有上開口和下開ロ的內部空間。襯墊130可具有圓柱的形狀。襯墊130可具有對應于本體110的內表面的半徑。襯墊130沿本體110的內表面延伸。支撐環131設置在襯墊130的上端。支撐環131具有環繞襯墊130的環狀板形狀(ring plate shape),且從襯墊130向外突出。支撐環131放置在本體110的上端上，且支撐襯墊130。襯墊130和本體110可以由相同的材料形成。襯墊130可以由鋁形成。襯墊130保護本體110的內表面。當エ藝氣體被激發，在處理室100內可能產生弧放電。所述弧放電可能損壞周邊裝置。襯墊130保護本體110的內表面免受弧放電的損壞。襯墊130在價格上比本體110低，且能夠容易的替換。因而，當襯墊130被弧放電損壞時，襯墊130可用新的襯墊來替換。 基板支撐部200設置在本體110內。基板支撐部200支撐基板W。基板支撐部200包括靜電卡盤，所述靜電卡盤通過使用靜電カ來吸持基板W。靜電卡盤(也用200表示)包括電介質板210、下電極220 、加熱器230、支撐板240和絕緣(insulation)板 270。電介質板210設置在靜電卡盤200的上端。電介質板210以圓盤形狀的電介質材料提供。基板W放置在電介質板210的頂面上。電介質板210的頂面具有小于基板W的半徑的半徑。因而，基板W的邊緣位于電介質板210之外。第一供應通道211形成于電介質板210中。第一供應通道211從電介質板210的頂面延伸至電介質板210的底面。第一供應通道211彼此分離隔開，且被提供作為將傳熱介質供應至基板W的底面的路徑。下電極220和加熱器230嵌入在電介質板210中。下電極220放置于加熱器230之上。下電極220電氣連接至外部電源(未顯示)。該外部電源包括DC電源。根據施加到下電極220上的直流電，電カ在下電極220和基板W之間發揮作用，且基板W通過該電カ而貼附至電介質板210。加熱器230電氣連接至外部電源(未顯示)。加熱器230通過抵制從外部電源提供的電流而產生熱量。所產生的熱量經過電介質板210而被傳遞至基板W。基板W通過加熱器230產生的熱量保持在預定溫度。加熱器本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種基板處理設備，其特征在于，包括：處理室，所述處理室提供處理基板的空間；排氣管，所述排氣管連接至所述處理室且提供通道，氣體經過所述通道從所述處理室排出到所述處理室外部；泵，所述泵安裝在所述排氣管上；以及閥，所述閥安裝在所述處理室和所述泵之間的所述排氣管上，且開啟和閉合所述通道，其中，所述閥包括：第一板，所述第一板被提供為具有排氣孔；以及第一驅動器，所述第一驅動器移動所述第一板使得所述排氣孔位于所述通道內或所述通道外。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：盧載旻，
申請(專利權)人：細美事有限公司，
類型：發明
國別省市：